تحقیق و بررسی در مورد یون گیری واکنشی 65 ص

اختصاصی از حامی فایل تحقیق و بررسی در مورد یون گیری واکنشی 65 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 65

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

ارزیابی های سمینار

معرفی سمینار

طرح کلی سمینار

شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین

زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان

روند کار و نوع سمینار

اطلاعات برای ذخیره جا در هتل

اطلاعات ثبت نام

آموزش در سایت

یادداشتهای نمونه سمینار

مقالات اخیر ساوین

تماس ها برای سوالات

ثبت نام در وب سایت

اطلاعات ناحیة بوستون

سوابق آقای ساوین

1-معرفی

فیزیک پلاسما

فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

مدل سیفتیک گازی

مدل توزیع ماکسول- بولتزمن

مدل گازی ساده شده

محتوای انرژی

نرخ برخورد بین مولکولها

مسیر آزاد

سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح

فشار گازی

خواص انتقال

جریان گاز

وضعیت سیال

رسانایی رساناها

احتمال برخورد

پراکندگی گاز- گار

پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت

انتشار ارتجاعی

برخورد غیر ارتجاعی

نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی

عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

توزیع انرژی الکترونی

سینتیک همگونی پلاسما

مدل توزیع (مارجینوا)

مدل توزیع (دروی وشتاین)

انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی

سینتیک گاز رقیق شده

شکافت انتشار دو قطبی

تجمع غلاف

دانلود پاورپوینت شیمی پایه دهم تجربی و ریاضی مبحث انواع یون و نامگذاری آنها - 28 اسلاید

اختصاصی از حامی فایل دانلود پاورپوینت شیمی پایه دهم تجربی و ریاضی مبحث انواع یون و نامگذاری آنها - 28 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

برای نشان دادن یک یون تک اتمی باید هم نماد شیمیایی عنصری که یون از اتم آن ایجاد شده است و هم نوع و میزان بار آن را بنویسیم.

چنانچه بار یون +1 یا -1 نباشد برای مثال در مورد یون منیزیم آن را به صورت        و در مورد یون اکسید آن را به صورت      می نویسیم نوشتن آن به صورت های        یا          درست نیست

مناسب برای دانش آموزان و دبیران و اولیا.

برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:

دانلود تحقیق اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+

اختصاصی از حامی فایل دانلود تحقیق اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فلوتاسیون یون یک فرایند تفکیک شامل جذب یک ماده فعال و کانتریون و در حد فاصل محلول آبی / هواست. که برای حذف یون های فلز سنگین سمی از محلول دی آبی رقیق، فوق العاده است. ما در اینجا اثر گیماند لیت ساز عصبی و Trien را روی فلوتاسیون یون کاتیون دبی با دودکیل سولفات DS و به صورت دودکیل سولفات سدیم SDS اضافه شده را نشان می دهیم. فلورتاسیون یون در سیستم (II) Trien SDS- CU باعث حذف ترجیحی CU (II) می شود که بر عکس قابلیت گزینش مشاهده شده در سیستم (II) Trien SDS- CU بدون Trien است. سرعت دی حذف Ni2+, Cu2+  با DS خیلی سریعتر از (وجود Tries) نسبت به یون های ساده بود و غلظت نهایی فنر به طور قابل توجهی کمتر بود. اندازه گیری دی کشش سطحی نشان دادند که Trien باعث بهبود فعالیت سطحی و چگونگی جذب سطحی محلول های SDS- CU (II), SDS – Ni (II) شد. تغییر کمی انرپی آزاد گیبس برای جذب سطحی حاصل از کمپلک یون به ازاء CU (II) برابر -3.6 kg/mol و به ازاء Ni (II) برابر -3.5 kg/mol بود و شامل اثرات فعل و انفعالات هیدروفولیک بین مجموعه دی Trien فلزی در حد فاصل هوا / محلول می باشد و با تغییرات میزان دهیدراسیون مربوط به جذب مشترک مجموعه Trien – فلز با DS در حد فاصل هوا/ محلول همراه است.

1- مقدمه:

فلتاسیون یون ، یک تکنیک تفکیک استفاده شده برای حذف یونهای غیر فعال سطحی از محلول دی آلی از طریق اضافه کردن یک ماده فعال می باشد. ماده فعال به طور خود به خود در حد فاصل هوای محلول متمرکز شده و یونهای حذف شده با فعل و انفعال الکترو استاتیک یا کی سیت به ماده فعال متصل شده اند. یونهای در حال واکنش با ماده فعال سوتعی از محلول زدوده شده اند که گاز در محلول پخش شده و حباب دی حاصل تشکیل یک فوم پایدار می دهند. در مقایسه با روش دی تفکیک های دیگر فلوتاسیون یون مزایایی از لحاظ سهولت عملیات و هزینه دی پائین دارد و برای پردازش حجم دی زیاد محلولت های آبسی رقیق خیلی برجسته است.

فلوتاسیون یون یک پدیده حد فاصلی (میانی) بوده که مسائل جذب ساده فعال و کاتنریون غیر فعال سطح است. لیو و دویل از لحاظت تئوری فرایند جذب سطحی را در فلوتاسیون یون از نقطه نظر فرمودینامیکی بررسی نموده اند با اعمال معادله گیسبس به یک سیستم آبی، Na A + M Xn  چگالی جذب سطحی و  ماده فعال یون نفر با معادلات زیر مشخص شده است.

در اینجا  Y بر ابر کشش سطحی، R برابر ثابت گاز و T برابر از دمای مطلق است. این روابط فرض می کند که محلول رقیق بوده و هیچ گونه نمک اضافی ندارد. در بررسی قابلیت گزینش بین یون دی فلز این دو تحقق نشان دادند که به ازای گوگیانددی کاتیونی ساده هر چه شعاع یونی کریستال بزرگتر باشد چگالی جذب سطحی آن بیشتر است و عوامل دیگری را به صورت مشابه فراهم می نمایند. این یافته مطابق با کار قبلی است. مورگان و شونر و وارد دیدند که مراتب گزینش برخی از یون های فلز هالیدی به صورت  بوده و مراتب کاهش شعاع یونی کریستال هستند مانموهان پی به مرتبه گزینش و جذب سطحی یون های فنر زمین قلیایی بوده اند که  بود که مرتبه نزولی شعاع یونی کریستال است.

ما قبلاً دو مدل تعیین گزینش جذب سطحی بین دو یون فنر را در حد فاصل بار شده نشان دادیم یک مدل بر اساس داده ای کشش سطحی محلول دی حاوی نمک سدیم کلکتور همراه با نمک فنری مجزا بود و دیگری از معادله گراهام با در نظر گرفت انرژی آزاد گیبس انواع مختلف فعل و انفعالات کمک گرفت و ممکن است در جذب سطحی رخ دهد در حالی که اکثر عملیات اولیه انرژی آزاد گیبس جذب سطحی گونه ای حمل شده را در حد فاصل جامد/ محلول در نظر گرفته این مدل یون دی کوگیما غیر فعال سطح جذب شده در سطح بار شده ماده فعال عالی را در حد فاصل بخار / محلول در نظر گرفت به دلیل سیار بودن مولکول های ماده فعالی عالی جذب شده در لایه یون های کوگیماند ممکن است توسط ماده فعال کی لت شده در حالی که طی جذب سطحی در سطوح جامد به ندرت نمونه دی جذب سطحی شده توسط جذب سطحی جامد کی لت شده اند از این رو دوره ای انرژی بر مختلف می تواند در عملیات کلاسیک جیمز وهلی و دیگران وجود داشته باشد. بر آن جذب مشترک یک یون غیر فعال سطح عبارت اصلی به صورت    در نظر گرفته شده بود که عامل دی الکتریکی هیدروفوبیک کی لت و هیدراسیون را نشان می دهد شکل معاده به صورت روبروست:

...

16 صفحه فایل Word

پلی سیلان فلوئورو آلکیله؛ یک سنسور شیمیایی بسیار حساس و اختصاصی یون فلوراید

اختصاصی از حامی فایل پلی سیلان فلوئورو آلکیله؛ یک سنسور شیمیایی بسیار حساس و اختصاصی یون فلوراید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه

به دلیل اهمیت آنیون ها در فرایندهای مختلف، شناسایی آن ها، اهمیت قابل توجهی دارد. به دلیل نسبت بار به اندازه ی کوچک تر آنیون ها نسبت به کاتیون ها، طراحی سنسورهای حساس و اختصاصی، برای آن ها سخت تر از کاتیون هاست. در سال های اخیر، به دلیل اثرات یون های فلوراید بر سلامتی انسان، طراحی سنسورهایی برای تشخیص آن ها، اهمیت قابل توجهی پیدا کرده است.

اخیرا، پلی مرهای کانجوگه، اهمیت زیادی، به عنوان سنسورهای شیمیایی فلوئورسانس برای سنجش فلوراید پیدا کرده اند.

ما اخیرا، یک سنتز آسان برای پلی سیلان فلوئوروآلکیله ی سیگما-کانجوگه گزارش کرده ایم. میانکنش های ضعیف Si….F-C سبب پایداری کونفورماسیون میله ای می شوند. تمایل اتم های Si به اتم های F، انگیزه ی طراحی سنسورشیمیایی تشخیص دهنده ی یون فلوراید شد. برخلاف دیگر گیرنده ها که فقط یک جایگاه اتصالی برای یون فلوراید دارند، این سنسورشیمیایی ساخته شده از پلی سیلان، دارای چندین جایگاه اتصالی فلوراید است و از این رو، حساسیت بیشتری دارد.مشخص شده است که سیگنال های نوری پلی سیلان های نیمه هادی، به تغییرات طول سیگما-کانجوگاسیون بستگی دارد و تغییرات کنفورماسیونی، آن را تغییر می دهد. ما در این مطالعه، نوع جدیدی از سنسورهای شیمیایی را بر اساس کنفورماسیون 1 برای تشخیص یون های فلوراید را نشان دادیم. این سنسور شیمیایی، بسیار حساس و اختصاصی است و می تواند یون های فلوراید موجود در محلول THF را در حد ppm آشکارسازی کند.

دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی

اختصاصی از حامی فایل دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :98

بخشی از متن مقاله

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

• ارزیابی های سمینار
• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیة بوستون
• سوابق آقای ساوین

1-معرفی

• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک سادة غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میلة آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیة rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیة rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیة اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیة اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

• امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
• بمباران خنثی امیژن ثانویه
• عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
• ناحیة کاتدی
• یونیزاسیون در غلاف
• توزیع انرژی یونها
• الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
• ناحیة آند
• مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

• فیزیک پلاسمای rf خازنی
• فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
• فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
• فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

• همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
• شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
• تنظیم کننده های موج کوتاه
• رآکتورهای لوله ای
• رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
• رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
• گیرندگان یون واکنشی
• گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
• گیرندگان اشعه یون واکنشی
• بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
• گیرندگان دیودی ارتجاعی
• رآکتورهای تریودی
• بایاسینگ Rf
• محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
• منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
• ECR توزیع شده
• منابع در حال جریان نزولی
• ماگنترولها
• مونتاژ کردن لایه لایه ای
• تبرید برگشتی هلیوم
• محکم کاری الکترواستاتیک
• جستجوی نقطة نهایی
• تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
• ثبت حرکات تداخلی
• ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
• مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
• فاز گازی
• تولید اتم اکسیژن
• بارگزاری رآکتورها
• واکنشهای سطحی
• شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
• ارتقاء پلمیری
• سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
• الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
• اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
• پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
• مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
• الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
• الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
• الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
• مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
• توده نگاری میکروسکوپی
• میلة آزمایش لانگ میر
• فلورسنت القایی با لیزر
• تحلیل امپدانس پلاسمایی
• ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

• ده مبارزه برتر الکترون گیری
• مکانیزمهای گسترش مقطعی
• جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
• پراکندگی یونی در جوله های خاص
• تغییر سطوح در جلوه های ویژه
• الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
• اتم گیری با القاء یونی
• اتم گیری خودبخود
• جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
• شکست
• جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
• نسبت منظری الکترون گیری وابسته
• تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

• مدل سازی سطحی ساده شده
• خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
• انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
• پراکندگی از قسمت سطح منبع
• ارتقاء کیفیت سطحی
• مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
• تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
• پراکندگی یونی
• جهت دار شدن یونی
• زاویة ماسک
• ترکیب مجدد سطحی
• جابجایی از پلاسما
• تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
• خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

• آلودگی
• خصوصیات منحصر به فرد
• تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
• تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
• تخریب چهارچوبها و قابها
• خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

• الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
• پلی سیلیکون
• الکترون گیری دروازه ای
• الکترون گیری اکسیدی
• الکترون گیری نیتریدی
• الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
• الکترون گیری آلومینیوم
• الکترون گیری مس

12-جابجایی

• انتشار
• جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
• جابجایی انتشار بایاس
• تنظیم با خط صحیح دید
• منابع رطوبت ده با غلظت بالا
• ترکیب و آلیاژ
• جابجایی انتشاری عکس العملی
• مقدمه چینی برای هدف
• جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
• وسایل و تجهیزات مربوط به VD
• تمیز کردن اطاقک واکنش
• عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
• نیترید سیلیکون
• دی اکسید سیلیکون
• آکسی فلورید یدهای سیلیکون
• اکسیدهای سیلیکون و کربن
• لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

• جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
• استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
• مقیاس گذاری منابع پلاسما
• منابع پلاسمای خطی
• منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

• وسایل عمل آزمایشی
• آزمایشات
• مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
• مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
• استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
• کاهش PFCهای دیگر
• جمع بندی
• کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
• سابقه
• خلاصة نتایج
• نمرة تحقیقات و نتایج
• محاسبات سینیک شیمیایی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

• استرلیزه کردن با پلاسما
• صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
• مراحل پردازش میکرومکانیکی
• الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
• الکترون گیری Si در سیستم STS
• نسبت الکترون گیری
• نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
• نسبت الکترون گیری ضد نور
• متحدالشکل بودن
• عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل