دسته بندی : پزشکی
فرمت فایل : Doc ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) Word
قسمتی از محتوی متن ...
تعداد صفحات : 98 صفحه
مقدمه : .
یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر سخنران: Herbert H.
Sawin پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:.
July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست ارزیابی های سمینار معرفی سمینار طرح کلی سمینار شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان روند کار و نوع سمینار اطلاعات برای ذخیره جا در هتل اطلاعات ثبت نام آموزش در سایت یادداشتهای نمونه سمینار مقالات اخیر ساوین تماس ها برای سوالات ثبت نام در وب سایت اطلاعات ناحیة بوستون سوابق آقای ساوین 1-معرفی فیزیک پلاسما فرآیند ریزالکترونیک 2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics) مدل سیفتیک گازی مدل توزیع ماکسول- بولتزمن مدل گازی ساده شده محتوای انرژی نرخ برخورد بین مولکولها مسیر آزاد سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح فشار گازی خواص انتقال جریان گاز وضعیت سیال رسانایی رساناها احتمال برخورد پراکندگی گاز- گار پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت انتشار ارتجاعی برخورد غیر ارتجاعی نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی عکس العمل های فاز- گازی 3-فیزیک پلاسما توزیع انرژی الکترونی سینتیک همگونی پلاسما مدل توزیع (مارجینوا) مدل توزیع (دروی وشتاین) انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی سینتیک گاز رقیق شده شکافت انتشار دو قطبی تجمع غلاف سینتیک سادة غلاف حفاظت یا پوشش «دیبای» تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm) آزمایش غلاف بوهم خصوصیات میلة آزمایش شکست و نگهداری، تخلیة rf تقریب میدان مشابه تقریب میدان غیرمشابه مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf اندازه گیری تخریب rf مدل توازن الکترونیکی مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf) سیستم همگن (متقارن) توزیع ولتاژ در سیستم rf توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن مدار معادل تخلیة rf تنظیم الکترودها سینتیک بمباران یونی تخلیة اپتیکی لم اندازه گیری حرکت ریزنگاری تخلیة اپتیکی فرآیند برخورد الکترون برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما 4-تخلیه های مدار مستقیم (DC) امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی بمباران خنثی امیژن ثانویه عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی ناحیة کاتدی یونیزاسیون در غلاف توزیع انرژی یونها الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع) ناحیة آند مدل سازی پلاسمایی DC 5-تخلیه های Rf فیزیک پلاسمای rf خازنی فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون فیزیک تخلیة هلیکون پیکره بندی و سخت افزار رآکتور همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده تنظیم کننده های موج کوتاه رآکتورهای لوله ای رآکتورهای صفحه موازی (دیودی) رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن گیرندگان یون واکنشی گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
گیرندگان اشعه یون واکنشی بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین گیرندگان دیودی ارتجاعی رآکتورهای تریودی بایاسینگ Rf محدود کردن مغناطیسی چند قطبی منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی ECR توزیع شده منابع در حال جریان نزولی ماگنترولها مونتاژ کردن لایه لایه ای تبرید برگشتی هلیوم محکم کاری الکترواستاتیک جستجوی نقطة نهایی تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی ثبت حرکات تداخلی ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی فاز گازی تولید اتم اکسیژن بارگزاری رآکتورها واکنشهای سطحی شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
ارتقاء پلمیری سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+ پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
طیف نگاری تخلیه اپتیکی توده نگاری میکروسکوپی میلة آزمایش لانگ میر فلورسنت القایی با لیزر تحلیل امپدانس پلاسمایی ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده 8-الکترون گیری جلوه ها ده مبارزه برتر الکترون گیری مکانیزمهای گسترش مقطعی جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما پراکندگی یونی در جوله های خاص تغییر سطوح در جلوه های ویژه الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی اتم گیری با القاء یونی اتم گیری خودبخود جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات شکست جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا) نسبت منظری الکترون گیری وابسته تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات 9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی مدل سازی سطحی ساده شده خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده پراکندگی از قسمت سطح منبع ارتقاء کیفیت سطحی مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها پراکندگی یونی جهت دار شدن یونی زاویة ماسک ترکیب مجدد سطحی جابجایی از پلاسما تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری خشن کردن سطوح در حین اتم گیری 10-تخریب پلاسما آلودگی خصوصیات منحصر به فرد تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی تخریب چهارچوبها و قابها خوردگی بعد از اتم گیری 11-فرآیندهای اتم گیری الکترون گیری و الکترون دهی اعضا پلی سیلیکون الکترون گیری دروازه ای الکترون گیری اکسیدی الکترون گیری نیتریدی الکترون گیری دی الکتریک با K پائین الکترون گیری آلومینیوم الکترون گیری مس 12-جابجایی انتشار جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها جابجایی انتشار بایاس تنظیم با خط صحیح دید منابع رطوبت ده با غلظت بالا ترکیب و آلیاژ جابجایی انتشاری عکس العملی مقدمه چینی برای هدف جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما وسایل و تجهیزات مربوط به VD تمیز کردن اطاقک واکنش عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت نیترید سیلیکون دی اکسید سیلیکون آکسی فلورید یدهای سیلیکون اکسیدهای سیلیکون و کربن لایه های پرفلور و کربن 13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته مقیاس گذاری منابع پلاسما منابع پلاسمای خطی منابع جاری پلاسما 14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند وسایل عمل آزمایشی آزمایشات مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC) کاهش PFCهای دیگر جمع بندی کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما سابقه خلاصة نتایج نمرة تحقیقات و نتایج محاسبات سینیک شیمیایی رآکتورهای کاهنده تجارتی رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی 15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک استرلیزه کردن با پلاسما صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند مراحل پردازش میکرومکانیکی الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی الکترون گیری Si در سیستم STS نسبت الکترون گیری نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته نسبت الکترون گیری ضد نور متحدالشکل بودن عوامل تقویت کننده 16-ضمیمه 17-مرجع ها معرفی سمینار (همایش) تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند.
کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند.
درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند.
در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.
بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک.
متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید
بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.
( برای پیگیری مراحل پشتیبانی حتما ایمیل یا شماره خود را به صورت صحیح وارد نمایید )
«پشتیبانی فایل به شما این امکان را فراهم میکند تا فایل خود را با خیال راحت و آسوده دریافت نمایید »
دانلود مقاله یون گیری واکنشی
