حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

اختصاصی از حامی فایل روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت: word (قابل ویرایش)

تعداد صفحات: 16

حجم:92.5 kb

عنوان مقاله: روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

به جرئت می توان گفت که طراحی منطق یک مدار الکترونیکی تنها قسمت کوچکی از کل کاری است که برای تولید صنعتی آن مدار صورت می گیرد .

نکاتی از قبیل در نظر گرقتن اثر قطعات بکار رفته در مدار ، طراحی محافظ ۱ برای قسمت مختلف مدار ، بکار بردن روش هایی برای کم کردن اثر نویز در مدارها ، طراحی مدار چاپی با رعایت استاندارد لازم (برای کاهش تداخل الکترو مغناطیسی) انتخاب نوع آی سی های به کار رفته در  مدار ، طراحی فیلتر برای قسمت های مختلف مدار ، وجز آن ، همه و همه از مسائلی هستند که در کارامد بودن مدار اثر سرنوشت سازی دارند . شاید به همین علت است که کمتر کسی پس از طراحی مدار روی کاغذ ، جرئت می کند اقدام به ساختن آن کند .

این مقاله به یکی از این مسائل یعنی کاهش اثر نویز در مدارهای الکترونیکی پرداخته است ، آن هم از دیدگاهی خاص یعنی عرضه روش های عملی برای این مقصود . برای بررسی دقیق تر ، گذراندن درس سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC) توصیه می شود .

سیستم های الکترنیکی باید طوری طراحی و ساخته شوند که دو شرط زیر را داشته باشند .

۱- خود منبع نویز نباشند . ( قسمت های دیجیتالی مدار ، فرستنده های رادیویی ، و کامپیوترها ، نمونه هایی از منابع نویز اند )

۲- به نویز خارجی حساس نباشند .

به عبارت دیگر سیستم های الکترونیکی باید بتوانند در شرایط صنعتی به خوبی کار کنند و نویز سیتم های الکتریکی و الکترونیکی دیگر ( مانند لامپ های فلورسنت و نئون ، خطوط قدرت ، فرستنده ها ، وسایل الکترونیک دیجیتال و جز آن) روی آنها اثری نداشته باشد . از طرفی خود این سیستم ها باید طوری طراحی شوند که قسمتی از آنها روی قسمت های دیگر تداخل ایجاد نکند .

 

سازگاری الکترو مغناطیسی (EMC)

یک سیستم الکتریکی وقتی دارای سازگاری الکترو مغناطیسی است که بتواند در محیط الکترو مغناطیسی مورد نظر به خوبی کار کند و خود منبع نویز نباشد .

با توجه به اهمیت EMC  ، استاندردهای متفاوتی را مراجع ذیصلاح برای دستگاه های الکترونیکی وضع کرده اند . برای مثال  FCC 2 استانداردهایی را برای حداکثر تشعشع الکترو مغناطیسی وسایل الکترونیکی دارد و لازم است این استانداردها به دقت رعایت شوند و گرنه دستگاه های ساخته شده اجازه ندارند به بازار عرضه شوند . عوامل لازم برای تاثیر نویز عبارتند از : منبع نویز ، کانال کوپلاژ ، و گیرنده نویز .

نویز به روش های زیر به سیستم های الکترونیکی نفوذ می کند .

  • کوپلاژ توسط میدان های الکتریکی و مغناطیسی ( و الکترو مغناطیسی ) مانند تشعشع الکترو مغناطیسی .
  • کوپلاژ هدایتی مانند انتقال نویز از طریق خط تغذیه مشترک .

روش های مختلفی برای کاهش اثر نویز در مدارهای الکتریکی وجود دارد . در این مقاله تعدادی از این روش ها را به اجمال بررسی می کنیم و تحقیق بیشتر و دقیق تر را به خواننده وامی گذاریم .

۱ زمین کردن صحیح

همانطور که می دانید کابل های استاندارد تغذیه سه سیم دارند : فاز ، نول ، و سیم زمین . سیم زمین معمولاً به   (( چاه زمین )) ساختمان متصل می شود و در پتانسیل زمین قرار دارد . معمولاً بدنه دستگاه های الکتریکی به سیم متصل می شوند تا از حوادثی مانند برق گرفتگی جلوگیری شود .

برخی از نکات مهمی که در طراحی زمین سیستم های الکترونیکی وجود دارد در ادامه بیان می شود .

۱۱ کاهش امپدانی مشترک

هنگام طراحی مدار ، می توان به دو صورت قسمت های مختلف را به زمین متصل کرد .

در نگاه اول ممکن است تفاوتی بین این دو روش مشاهده نشود اما از آنجایی که هادی های به کار رفته برای اتصال زمین ، هادی کامل نیستند ، امپدانسی بین هر قسمت مدار و زمین وجود دارد . می توان دید که در اتصال سری زمین ، یک امپدانس مشترک بین گروه های زمین مدار وجود دارد . بنابراین تغیرات سریع جریان تغذیه در مدارهای ۱ و ۲ باعث تغییر پتانسیل زمین مدار ۳ می شود و بدین ترتیب می توانند در مدار ۳ ایجاد تداخل کنند .

اما اگر قسمت های مختلف مدار را به صورت موازی زمین کنیم ، این مشکل برطرف می شود .

روش دیگر برای کاهش امپدانس مشترک استفاده از (( صفحه زمین )) است .

صفحه زمین یک لایه هادی با عرض زیاد است که امپدانس بسیار کمی دارد .

در صورتی که صفحه زمین در دسترس باشد ، می توان از (( زمین چند نقطه ای )) استفاده کرد .

توجه به این نکته بسیار مهم است که صفحه زمین باید خود دارای امپدانس بسیار کمی باشد تا بتواند یک زمین خوب برای مدار به حساب آید . مثلاً در طراحی بردهای چند لایه معمولاً یکی از لایه های برد را به طور کامل به صفحه زمین اختصاص می دهند .


دانلود با لینک مستقیم


روش های کاهش نویز در مدارهای الکترونیکی

الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای و کاربرد آن در کنترل فعال نویز

اختصاصی از حامی فایل الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای و کاربرد آن در کنترل فعال نویز دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای و کاربرد آن در کنترل فعال نویز


الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای و کاربرد آن در کنترل فعال نویز



 

 

 

 

مقدمه 1
فصل 1: آشنایی با کنترل فعال نویز 8
1-1 کنترل فعال نویز 8
2-1 نویزهای باند پهن و باند باریک 11
3-1 راهکارهای کنترل فعال نویز 11
4-1 کنترل فعال نویزهای باند باریک 15
5-1 کنترل فعال نویز چند کاناله 16
18 LMS فصل 2: فیلترهای وفقی و الگوریتم
1-2 فیلتر های وفقی 18
22 MSE 2-2 معیار عملکرد
3-2 روش تندترین شیب 26
28 LMS 4-2 الگوریتم
29 LMS 5-2 پایداری الگوریتم
30 LMS 1-5-2 اثبات پایداری الگوریتم
2-5-2 محاسبه محدوده پایداری 31
به روش لیاپانف 32 LMS 3-5-2 تحلیل پایداری الگوریتم
35 MSLMS فصل 3: الگوریتم
1-3 اصول حاکم بر الگوریتم پیشنهادی 35
2-3 الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای 39
44 MSLMS 3-3 پایداری الگوریتم
50 MSLMS و LMS 4-3 مقایسه سرعت همگرایی در الگوریتمهای
54 MSFXLMS و FXLMS فصل 4: الگوریتم های
1-4 مسیر ثانویه 54
با راهکار پیشرو 56 ANC در FXLMS 2-4 الگوریتم
58 μ 3-4 انتخاب اندازه پله
4-4 شناسایی مسیر ثانویه 59
61 MSLMS و FXLMS 5-4 ترکیب الگوریتم های
نوع اول 63 MSFXLMS 1-5-4 الگوریتم
نوع دوم 65 MSFXLMS 2-5-4 الگوریتم
نوع سوم 66 MSFXLMS 3-5-4 الگوریتم
نوع چهارم 68 MSFXLMS 4-5-4 الگوریتم
فصل 5: شبیه سازی کامپیوتری 70
1 مشخصات مدل فرایند 70 -5
71 MSLMS و LMS مبتنی بر ANC 2 شبیه سازی سیستم های -5
80 MSFXLMS و FXLMS مبتنی بر ANC 3 شبیه سازی سیستم های -5
فصل 6: نتیجه گیری و پیشنهادها 92
1-6 نتیجه گیری پژوهش 92
2-6 پیشنهادها 94
پیوست 96
الف- فاز پاسخ فرکانسی فیلترهای وفقی 96
ب- تأثیر درجه فیلترهای وفقی 97
ج- تأثیر اندازه پله 102
فهرست منابع

 

 


دانلود با لینک مستقیم


الگوریتم حداقل میانگین مربعات چند مرحله ای و کاربرد آن در کنترل فعال نویز

سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB

اختصاصی از حامی فایل سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB


سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB

 

 

 

 

چکیده : . .................................................................................................................................................................................... 1
مقدمه: ....................................................................................................................................................................................... 2
تاریخچه : .................................................................................................................................................................................. 4
فصل اول: سیستمهای باند فرا پهن . ..................................................................................................................................... 5
فراپهن باند در مقایسه با باند باریک ................................................................................................................................... 6
فرستنده ها ............................................................................................................................................................................... 9
گیرنده ها .................................................................................................................................................................................. 9
فصل دوم : تقویت کننده کم نویز و ساختارهای مختلف آن . ........................................................................................ 11
روش اول: ............................................................................................................................................................................... 12
روش دوم:............................................................................................................................................................................... 13
فصل سوم : تکنولوژیهای نیمه هادی تقویت کننده های کم نویز باند فراپهن . .......................................................... 15
16 ........................................................................................................................................... . SiGe یک مثال برای ساختار
18 ................................................................................................................................................................................. . CMOS
18 ............................................................................................................................................................ . CMOS ساختار 1
22 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 2
24 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 3
26 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 4
29 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 5
32 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 6
35 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 7
38 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 8
و
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
41 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 9
44 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 10
46 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 11
49 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 12
51 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 13
مقایسه ساختارهای بررسی شده : .................................................................................................................................... 54
های ارائه شده برای باند فراپهن . .................................................................... 56 MMIC فصل چهارم : ترانزیستورها و
57 ................................................................................................................................................... (AVAGO) HP شرکت
58 ................................................................................................................................................................ . ATF‐34143
59 ................................................................................................................................................................... Hittite شرکت
59 .......................................................................................................................................................... HMC‐ALH444
60 .......................................................................................................................................................... HMC753LP4E
61 ............................................................................................................................................................. HMC772LC4
فصل پنجم : نتیجه گیری . ................................................................................................................................................... 63
منابع و ماخذ .......................................................................................................................................................................... 65
فهرست منابع فارسی ............................................................................................................................................................ 65
فهرست منابع لاتین .............................................................................................................................................................. 66
سایتهای اطلاع رسانی . ....................................................................................................................................................... 67
چکیده انگلیسی


دانلود با لینک مستقیم


سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB

پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا

اختصاصی از حامی فایل پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا


پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا

مطالب این پست : دانلود پایان نامه :

پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا 101 صفحه  با فرمت ورد (دانلود متن کامل پایان نامه)

 

واحد بجنورد

دانشکده مهندسی

 

پایان نامه کارشناسی رشته مهندسی برق – الکترونیک

 

 

موضوع :

ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا

استفاده هم زمان از فیلترهای وفقی و شبکه های عصبی در حالت فرکانس متغیر

 

استاد راهنما :

جناب آقای موسوی تقی آبادی

 

نگارش :

مهدی ملاح – علی عابد تازه آبادی

چکیده

تاکنون برای حذف نویزهای آکوستیکی از روش های فعال[1] و غیر فعال[2]استفاده شده است. برخلاف روش غیر فعال می‌توان بوسیله‌ی روش فعال، نویز را در فرکانس های پایین (زیر 500 هرتز)، حذف و یا کاهش داد. در روش فعال از سیستمی استفاده می شود که شامل یک فیلتر وفقی است. به دلیل ردیابی خوب فیلتر [3]LMS در محیط نویزی، الگوریتم FXLMS[4] بعنوان روشی پایه ارائه شده است. اشکال الگوریتم مذکور این است که در مسائل کنترل خطی استفاده می شود. یعنی اگر فرکانس نویز متغیر باشد و یا سیستم کنترلی بصورت غیرخطی کار کند، الگوریتم فوق به خوبی کار نکرده و یا واگرا می شود.

بنابراین در این پایان نامه، ابتدا به ارائه ی گونه ای از الگوریتم FXLMS می پردازیم که قابلیت حذف نویز، با فرکانس متغیر، در یک مجرا و در کوتاه‌ترین زمان ممکن را دارد. برای دستیابی به آن می توان از یک گام حرکت وفقی بهینه () در الگوریتم FXLMS استفاده کرد. به این منظور محدوده ی گام حرکت بهینه در فرکانس های 200 تا 500 هرتز را در داخل یک مجرا محاسبه کرده تا گام حرکت بهینه بر حسب فرکانس ورودی به صورت یک منحنی اسپلاین مدل شود. حال با تخمین فرکانس سیگنال ورودی به صورت یک منحنی اسپلاین مدل شود. حال با تخمین فرکانس سیگنال ورودی بوسیله ی الگوریتم MUSIC[5] ، را از روی منحنی برازش شده، بدست آورده و آن را در الگوریتم FXLMS قرار می‌دهیم تا همگرایی سیستم در کوتاه‌ترین زمان، ممکن شود. در نهایت خواهیم دید که الگوریتم FXLMS معمولی با گام ثابت با تغییر فرکانس واگرا شده حال آنکه روش ارائه شده در این پایان نامه قابلیت ردگیری نویز با فرکانس متغیر را فراهم می آورد.

همچنین‌به دلیل‌ماهیت غیرخطی سیستم‌های‌ANC ، به ارائه‌ی نوعی شبکه‌ی عصبی‌ RBF TDNGRBF ) [6] ( می‌پردازیم که توانایی مدل کردن رفتار غیرخطی را خواهد داشت. سپس از آن در حذف نویز باند باریک فرکانس متغیر در یک مجرا استفاده کرده و نتایج آن را با الگوریتم FXLMS مقایسه می کنیم. خواهیم دید که روش ارائه شده در مقایسه با الگوریتم FXLMS، با وجود عدم نیاز به تخمین مسیر ثانویه، دارای سرعت همگرایی بالاتر (3 برابر) و خطای کمتری (30% کاهش خطا) است. برای حذف فعال نویز به روش TDNGRBF، ابتدا با یک شبکه ی GRBF به شناسایی مجرا می‌پردازیم. سپس با اعمال N تاخیر زمانی از سیگنال ورودی به N شبکه ی GRBF (با ترکیب خطی در خروجی آنها)، شناسایی سیستم غیرخطی بصورت بر خط امکان پذیر می شود. ضرایب بکار رفته در ترکیب خطی با استفاده از الگوریتم [7]NLMS بهینه می شوند.

[1] -Active

[2] -passive

[3] -Least mean square

4- Filter- x LMS

5 -Multiple signal classification

6 -Time Delay N- Generalized Radial Basis Function

[7] -Normalized LMS

متن کامل را می توانید دانلود کنید چون فقط تکه هایی از متن این پایان نامه در این صفحه درج شده است(به طور نمونه)

 

همراه با تمام ضمائم با فرمت ورد که ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه ارائه روش جدید جهت حذف نویز آکوستیکی در یک مجرا