دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
.jpg)
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 28
نکات کاربردی
طراحی قطب نمای الکتریکی
KMZ52 و KMZ51با استفاده از
ص 2 :
خلاصه :
سنسورهای میدان مغناطیسی هستند ، که برایPhilips Semiconductors از شرکت KMZ52 و KMZ51
کاربردهای قطب نما اختصاص یافته است. هر دو سنسور به اثر مقاومت مغناطیسی تکیه دارند و
حساسیت مورد نیاز را ایجاد می کنند و میدان مغناطیسی زمین را به صورت خطی اندازه گیری می کنند.
شامل یک سنسور میدان دوبعدی است، بهKMZ52 تنها محور سنسور میدان هست، KMZ51زمانیکه
طوریکه برای یک قطب نما مورد نیاز است، که در داخل یک جعبه بسته بندی شده است. هر دو آی سی
مجهز هستند. این سیم پیچها ( compensation ciols ) و سیم پیچ جبران کننده Set / Resetبه سیم پیچ
( electro-magnetic ) و تکنیک فیدبک آهنربای الکتریکی Offsetباعث می شوند تا تکنیکی برای حذف
Signal Conditioning Unitبرای حذف حساسیت با دما را ایجاد کنند. از این گذشته المانهای سنسور، یک
برای ساخت یک قطب نمای الکتریکی مورد نیاز هستند.Direction Determination Unitو یک
می باشد. offset تقویت سیگنالهای سنسور و جبران Signal Conditioning Unitوظایف اصلی
بالا ، درجه حساسیت باید جبران شود. هر دو تکنیکهای جبران Resolutionبرای سیستمهای با
برای Compensation coils و Set / Resetسازی می تواند به آسانی با کنترل کردن با هم
، زاویه ای کهDirection Determination Unit انجام شود. در KMZ52 / KMZ51
تحریک می شود مانند خروجی قطب نما مطلوب است .
و تعیین جهت( signal conditioning )این مقاله نشان می دهد که چطور شرایط سیگنال
تحقق می یابد . همچنینKMZ52 یا KMZ51 در ترکیب با ( direction determination )
، انحراف مغناطیسی ( interference fields )تکنیکهای کالیبراسیون با نسبت به میدان تداخل
و مایل شدن در خروجی نشان داده می شود .
سرانجام درستی سیستم بررسی می شود و مثالهائی برای کامل کردن سیستمهای قطب نما
آورده شده است.
نکات کاربرد
طراحی قطب نمای الکتریکی
KMZ52 و KMZ51با استفاده از
مولف:
Thomas stork
Philips Semiconductors
Systems Laboratory Hamburg,
Germany
کلمات کلیدی
میدان مغناطیسی زمین
سنسورهای مقاوت مغناطیسی
8-segmentقطب نمای
بالاresolutionقطب نمای با
ص 4 :
خلاصه مطلب :
این مقاله شرح می دهد که چطور سیستمهای قطب نمای الکتریکی با استفاده از سنسورهای مقاومت
تحقق می یابد. بنابراین، در وهله اول Philips Semiconductors از شرکت KMZ52 و KMZ51مغناطیسی
یک مقدمه ای در مورد ویژگی های میدان مغناطیسی زمین داده شده است. در ادامه بلوکهای ساختمان اصلی یک قطب نمای الکتریکی نشان داده شده است، که دو تا از المانهای سنسور که برای اندازه گیری و دیگری signal conditioning unit میدان زمین در سطح افق هستند ، که یکی y و xمولفه های
می باشد .direction determination unit
برای تهیه ی یک سری اطلاعات در مورد المانهای سنسور ، اثر مقاومت مغناطیسی و بهینه کردن (نوار باریک آلومینیوم) به طور خلاصه شرح barber poleخصوصیات سنسور که با استفاده از ساختمان
و سیم پیچهای جبران کننده set/reset، مانند KMZ51شده است. همچنین ویژگی های مهم محصولات
Signal Conditioning Unit اشاره شده است. یکی از وظایف اصلی (compensation coils)
تقویت کردن ولتاژ خروجی سنسور می باشد، که برای تهیه کردن سیگنالهای ورودی منطقی از
امری ضروری offset پیروی می کنیم. از سوی دیگر، حذف Direction determination unit
است . برای سیستمهای با دقت بالا ، همچنین تغییر حساسیت ناشی از اختلاف دما باید جبران شود . روشهای عملی برای انجام دادن همه این کارها در سخت افزار یا در نرم افزار داده شده اند.
بلوک ساختمانی است که برای تحریک کردن زاویه بسته به مطلوب بودن direction determination unit
مقدار خروجی قطب نما است. جهت نجومی بین شمال مغناطیسی و جهت چرخش است. برای سیستم arctan (وضوح) بالا، باید قانون ریاضی به وسیله اعمال کردن تابع Resolutionهای قطب نمای با
به نسبت دو سیگنال سنسور انجام شود. این نشان داده می شود، که چطور این تابع به صورت نرم افزار - 8 تحقق یابد ، segmentی انجام می شود. بدون این محاسبات، خیلی ساده می تواند با یک قطب نمای
.(N،NE،…)که فقط نقطه میانگین یا نزدیک عدد اصلی نمایش داده می شود
از طرف دیگر این مقاله تحقق وظایف اصلی قطب نما، همچنین کالیبراسیون قطب نماهای الکتریکی
در مقابل منابع خطای خارجی مانند میدانهای تداخل مغناطیسی، انحراف بین شمال حقیقی و مغناطیسی و خطای مایل بودن را در بردارد. در نهایت ، تعیین درستی و صحت سیستم و مثالهائی برای کامل کردن سیستمهای قطب نما داده شده اند.
ص 5 :
عنوان
1- مقدمه
2- میدان مغناطیسی زمین
3- بلوکهای ساختمان یک قطب نمای الکتریکی
برای کاربردهای قطب نما ( MR )4- سنسورهای مقاومت مغناطیسی
4.1- المانهای سنسور مقاومت مفناطیسی
4.1.1- اثر مقامت مغناطیسی
barber pole 4.1.2- بهینه سازی ویژگیهای سنسور با استفاده از ساختار
( نوار باریک آلومینیوم )
