چکیده: صرف نظر از ویژگی های بسیار عالی RF که سوئیچ های میکروالکترومکانیکی را در انواع کاربردهای با فرکانس بالا پردازش می کنند، برخی از این مناطق کاربردی نیازمند سوئیچی هایی هستند که می توانند در برابر محیط خشن تر مانند درجه حرارت بالا و یا تنش های حرارتی بالا مقاومت کنند. این مقاله مدل سازی المان محدود یک MEMS DC RF فشرده طراحی شده در سوئیچ اتصال بر اساس مواد تیتانیومی برای مقاومت در برابر در چنین شرایطی را نشان می دهد. این سوئیچ با پیچهایی در تمام جوانب طراحی شده تا نیروهای بازیابی الاستیک را افزایش دهد. ابعاد پیشنهادی در این سوئیچ بسیار فشرده هستند و مساحت کل سطح آن 1/0 میلیمتر مربع است. سوئیچ مدل سازی شده برای باند L بهینه سازی شده است که منجر به جداسازی بالای 52 دسی بل و از دست دادن الحاق بسیار کم 007/0 دسی بل در 2 گیگاهرتز و
ولتاژ تحریک پایین 5/18 ولت خواهد شد.
کلمات کلیدی: MEMS RF، جداسازی بالا، سوئیچ اهمی، غشاء تیتانیوم، پیچش متقابل
مقدمه:
اخیرا، سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) بر اساس سوئیچ RF توجه بسیاری در هر دو سازمان های دانشگاهی و صنعتی دریافت کرده اند. سوئیچ های RF-MEMS به دلیل مزایای فوق العاده ای خود مانند جداسازی بالا، از دست دادن الحاق پایین، حالت خطی بسیار عالی و مصرف برق بسیار کم جایگزین GaAs FET ، MESFETs قدیمی و سوئیچ دیود p-i-n شده اند (گلداسمیت، لین، پاورز، وو و نورول، 1995).
فایل ورد 17 ص
دانلود ترجمه مقاله Finite Element Modeling of a Ti based Compact RF MEMS Series Switch Design for Harsh Environment
