دانلود ترجمه مقاله Finite Element Modeling of a Ti based Compact RF MEMS Series Switch Design for Harsh Environment

اختصاصی از حامی فایل دانلود ترجمه مقاله Finite Element Modeling of a Ti based Compact RF MEMS Series Switch Design for Harsh Environment دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده: صرف نظر از ویژگی های بسیار عالی RF که سوئیچ های میکروالکترومکانیکی را در انواع کاربردهای با فرکانس بالا پردازش می کنند، برخی از این مناطق کاربردی نیازمند سوئیچی هایی هستند که می توانند در برابر محیط خشن تر مانند درجه حرارت بالا و یا تنش های حرارتی بالا مقاومت کنند. این مقاله مدل سازی المان محدود یک MEMS DC RF فشرده طراحی شده در سوئیچ اتصال بر اساس مواد تیتانیومی برای مقاومت در برابر در چنین شرایطی را نشان می دهد. این سوئیچ با پیچ­هایی در تمام جوانب طراحی شده تا نیروهای بازیابی الاستیک را افزایش دهد. ابعاد پیشنهادی در این سوئیچ بسیار فشرده هستند و مساحت کل سطح آن 1/0 میلیمتر مربع است. سوئیچ مدل سازی شده برای باند L بهینه سازی شده است که منجر به جداسازی بالای 52 دسی بل و از دست دادن الحاق بسیار کم 007/0 دسی بل در 2 گیگاهرتز و

ولتاژ تحریک پایین 5/18 ولت خواهد شد.

کلمات کلیدی: MEMS RF، جداسازی بالا، سوئیچ اهمی، غشاء تیتانیوم، پیچش متقابل

مقدمه:

 اخیرا، سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) بر اساس سوئیچ RF توجه بسیاری در هر دو سازمان های دانشگاهی و صنعتی دریافت کرده اند. سوئیچ های RF-MEMS به دلیل مزایای فوق العاده ای خود مانند جداسازی بالا، از دست دادن الحاق پایین، حالت خطی بسیار عالی و مصرف برق بسیار کم جایگزین GaAs FET ، MESFETs قدیمی و سوئیچ دیود p-i-n شده اند (گلداسمیت، لین، پاورز، وو و نورول، 1995).

فایل ورد 17 ص

مقاله ای در ارتباط با سنسور فشار MEMS پیزوالکتریک

اختصاصی از حامی فایل مقاله ای در ارتباط با سنسور فشار MEMS پیزوالکتریک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله به زبان انگلیسی و شامل 8 صفحه می باشد. در زیر چکیده این مقاله را مشاهده می کنید:

The paper examines the modeling and simulation of piezoelectric MEMS pressure sensor which is AlGaN/GaN based  circular high electron mobility transistor (C-HEMT) structure. Residual stress after manufacturing process is modeled as first. After this step etching of substrate is considered and this step represents the stress state of sensor before its using. Only preliminary harmonic piezoelectric simulation of piezoelectric sensor is performed, where deformed shape of sensor caused by intrinsic stress is considered

قیمت خرید 3000 تومان می باشد.

سمینار ارشد برق احساس و کنترل الکترونیک شتاب سنج mems

اختصاصی از حامی فایل سمینار ارشد برق احساس و کنترل الکترونیک شتاب سنج mems دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

  در این کار تکنیک های طراحی سیستم برای حس و کنترل جنبش ساختاری MEMS با جرم خیلی کوچک و ظرفیت خازنی خیلی پایین تحقیق گردیده و برای ساخت شتا سنج COMS MEMS مجتمع نویز پایین بکار گرفته شده است. ساختارهای COMS MEMS  با میکرو ماشین کاری سطحی ساخته شده اند که جرم کلی به اندازه خیلی کوچکتر از10^–kgو ظرفیت خازنی کمتر از fF 100 دارند. شتاب COMS MEMS  به طور معمول حساسیتی پایی در حدود 1mv/g و تغییرات خازنی در اثر تغییر شتاب حدود 0/4fF/g را دارا می باشند بنابراین نویز و دیگر اثرات مخرب بایستی حداقل گردند. برای شتاب سنج MEMS سه نوع منبع نویز وجود دارد: نویز الکترونیکی حاصل از واسط مدار و سنسور، نویز براونی حرارتی – مکانیکی ناشی از مصرف انرژی برای دمپ و نویز چندی کننده وقتی که سیستم شامل مبدل آنالوگ به دیجیتال هم باشد. غیر خطی های دیگری هم شامل آفست موقعیت سنسور، آفست مدار و شارژ نامطلوب در گرههای امپدانس بالای سانسور وجود دارند. در قسمت طراحی مدار حسگر مدل نویز مداری را مطرح کرده ایم که توسط آزمایش تایید شده و دید کلی برای آلی های دیگر اضافه شده اند که شامل ساختار کم نویز حس ولتاژ پیوسته – زمانی براساس پایدار چاپر، حداقل کردن نویز وابسته ورودی براساس تطبیق خازنی در اتصال سنسور به مدار، بایاس dc قوی در گره احساس که بصورت پریودیک شارژ ناخواسته را ریست (reset) می کند و حذف آفست توسط تقویت کننده تمام تفاضلی، نمونه اولیه که با این تکنولوژی ساخته شده دارای کف نویز 50mg/rtHZ می باشد که نویز براونی را پوشش داده و آفست سنسور را بیش از 40dB کاهش می دهد.

مقدمه:

   در طول بیست سال گذشته پیشرفت میکروتکنولوژی قادر ساخته که سنسورهای کوچک و محرک های آن بصورت یکپارچه در یک بسته بندی ایجاد شوند. این فناوری باعث ایجاد سیستم های میکرو الکترونیک و مکانیک MEMS شده است. در این گزارش دو مورد احساس و کنترل سیستم های MEMS مورد توجه قرار میگرد. در این گزارش مدارات الکترونیک برای سنسورهای خازن کم نویز و سیستم های کنترل با فیدبک قوی ارائه شده است.

تعداد صفحه :84