این بسته شامل موارد زیر است :
فصل اول :
کلیات ، مفاهیم و طبقه بندی هزینه ها
تعداد سوال : 17 تا
نوع فایل : pdf تایپ شده
اختصاصی از کنکور حسابداری و مدیریت
برای امتحانات پایان ترم دانشگاه ها وآزمون ارشد
***************************************
کاری ازکنکور حسابداری و مدیریت
پُل ارتباط با مدیر سایت:(از ساعت 6 الی 11 شب)
0911-741-5287
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 7
آزمایش تست دیود
وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .
هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .
نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .
مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم
KVL = VS + 100 ID + VD = 0
VS = 100 ID + VD
VS = 100 ID
در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .
VR = 100 IS IS = ID = =
KVL= VS + VR+ VD = 0
VS = VR + VD
VS = 100IS + VD
8
6
4
2
VS
800
600
400
200
VR
15،6
25
50
ID
آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت
وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .
نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .
برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .
IEJ = = 0.95 ( MA )
V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )
V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )
L2 = = = 0.47 ( MA )
I3 = = = 0.47 ( MA )
KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA
V10K = 9.57 V1K = 0.47
I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA
V1K = 0.47
I1K = 0.47
آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور
وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر
ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .
30
25
20
14
12
10
5
VS
5.74
5.69
5.63
5.51
5.33
4.89
2.52
V0
MA
0.2
0.02A
0.05A
0.10A
0.17A
0.29A
0.43A
I
هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .
بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .
V1K = 15 V1K = 1.23
I1K = 1.2 MA I1K =
V10K = 13.88 V10K = 1.23
I10K = 1.2 MA I10K =
بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .
نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 7
آزمایش تست دیود
وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .
هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .
نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .
مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم
KVL = VS + 100 ID + VD = 0
VS = 100 ID + VD
VS = 100 ID
در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .
VR = 100 IS IS = ID = =
KVL= VS + VR+ VD = 0
VS = VR + VD
VS = 100IS + VD
8
6
4
2
VS
800
600
400
200
VR
15،6
25
50
ID
آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت
وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .
نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .
برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .
IEJ = = 0.95 ( MA )
V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )
V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )
L2 = = = 0.47 ( MA )
I3 = = = 0.47 ( MA )
KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA
V10K = 9.57 V1K = 0.47
I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA
V1K = 0.47
I1K = 0.47
آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور
وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر
ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .
30
25
20
14
12
10
5
VS
5.74
5.69
5.63
5.51
5.33
4.89
2.52
V0
MA
0.2
0.02A
0.05A
0.10A
0.17A
0.29A
0.43A
I
هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .
بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .
V1K = 15 V1K = 1.23
I1K = 1.2 MA I1K =
V10K = 13.88 V10K = 1.23
I10K = 1.2 MA I10K =
بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .
نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 13
تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک و
توضیحاتی در رابطه با ضخامت سنجها
در این مطلب شما توضیحات مختصری در رابطه با انواع مختلف تستهای ذرات مغناطیسی و همچنین توضیحات مختصری درباره مایعات نافذ و تست التراسونیک که جزء تستهای غیر مخرب محسوب می شوند را می خوانید ، در پایان نیز توضیحات مختصری را در مورد انواع مختلف ضخامت سنجها آورده شده است.
تست ذرات مغناطیسی (MT):
از این روش می توان برای یافتن عیوب سطحی و یا نزدیک به سطح در قطعات فرومغناطیسی استفاده نمود. در این تکنیک تمام یا بخشی از قطعه مغناطیس شده و فلوی مغناطیسی از داخل قطعه عبور داده می شود. هر گاه عیبی در سطح یا نزدیکی سطح قطعه وجود داشته باشد باعث نشت فلوی مغناطیسی در قطعه می گردد و نتیجتا باعث به وجود آمدن دو قطب S,N می گردد. که با پاشیدن ذرات ریز فرومغناطیسی مانند اکسید آهن آغشته به مواد فلروسنت بر روی سطح قطعه می توان ترک را زیر نور ماوراء بنفش مشاهده نمود.
مغناطیس کردن به وسیله کابل (MAGNETIZATION by cable):گاهی اوقات ابعاد قطعات به اندازه ای بزرگ است که امکان استفاده از کویل امکان پذیر نیست. وقتی این مسئله اتفاق می افتد یک سیم مسی عایق شده ( روپوش دار) را میتوان برای ایجاد میدان مغناطیسی در ماده استفاده کرد. در این روش سیم (کابل) را به دور قطعه می چرخانیم ( شبیه کویل ) تا یک میدان طولی در قطعه ایجاد شود. استفاده از روش پراد (Use of prode method):
پراد وسیله ای است که با استفاده از عبور جریان از میله های مسی موجب ایجاد یک میدان مغناطیسی موضعی می شود . ( (Local magnetizeبطور کلی با روش پراد بیشترین قدرت آشکارسازی برای عیوب موازی خط جوش وجود دارد.
روش یوک (Yoke):یوک قطعه ای است فلزی و U شکل با یک سیم پیچ پیچیده شده دور آن که جریان را از خود عبور می دهد. هنگامی که کویل حامل جریان شود در امتداد قطعه یوک ، یک میدان مغناطیسی طولی در قطعه تست ایجاد می شود. در میدان مغناطیسی ایجاد شده توسط یوک میدان مغناطیسی خارجی می تواند ذرات آهن را به شدت جذب کند و جهت بررسی عیوب سطحی به کار می رود. اگر ذرات آهن در میدان میان دو قطب یوک اعمال شود. علائم عیوب سطحی را به آسانی می توان مشاهده نمود. جریان متناوب یکی از مناسبترین جریانهای الکتریکی است که موارد مصرف روزمره دارد به همین دلیل از آن استفاده زیادی به منظور منبعی برای تست ذرات مغناطیسی می باشد.
ذرات (Particles ):ذرات مورد استفاده در تست MT از موادی که به دقت از لحاظ مغناطیس شوندگی ، شکل و قابلیت نفوذپذیری انتخاب شده اند می باشند. این ذرات، مغناطیس باقی مانده را در خود نگه نمی دارند. این ذرات از براده های تراش کاری هم کوچکترند و در حقیقت این ذرات شبیه پودر می باشند . ذرات بر مبنای روشهای استفاده آنها به دو گروه خشک و تر طبقه بندی می شوند. ذرات مغناطیسی توسط نشت میدان مغناطیسی جذب می شوند و تجمع ذرات در محل عیب و نشت میدان می توان موجب آشکار شدن علائم عیب شود .در روش فلروسنت از لامپ UV ( ماوراء بنفش ) که دارای نور مرئی می باشند و به آن نور سیاه نیزگفته می شود استفاده می گردد. پس عملیات تست به وسیله روش فلروسنت در نور مرئی انجام پذیر نیست. ذرات مغناطیسی باید دارای قابلیت نفوذپذیری زیاد باشند تا اطمینان از این که جذب این ذرات توسط میدانهای ضعیف هم صورت می گیرد حاصل شود و همچنین باید این ذرات قابلیت نگهداری کم داشته باشند تا مغناطیس باقیمانده در آن کم باشد و این مواد باید بلافاصله بعد از قطع میدان برطرف شوند البته اگر جذب نشتی میدان نشوند.
این فایل SAMSUNG J500F مشکلات مربوط به سریال و آنتن گوشی را حل می کند.
عزیزانی که بعد از تعویض هارد، بعد از بازکردن قفل شبکه و یا ترمیم شبکه (Repair Network) ، با مشکل IMEI /01 مواجه می شوند کافیست گوشی خود را روت کرده، این فایل را دانلود کرده و توسط یکی از باکس های Z3X ، اختاپوس Octopus ، دانگل BST این فایل را بر روی گوشی خود رایت نمایند. رایت این فایل تنها چند ثانیه زمان می برد و پس از آن می بینید که تمامی مشکلات آنتن و شبکه گوشی شما برطرف می گردد.