حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود آزمایش تست دیود

اختصاصی از حامی فایل دانلود آزمایش تست دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

 

آزمایش تست دیود

وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .

هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .

نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .

مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم

KVL = VS + 100 ID + VD = 0

VS = 100 ID + VD

VS = 100 ID

در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .

VR = 100 IS IS = ID = =

KVL= VS + VR+ VD = 0

VS = VR + VD

VS = 100IS + VD

8

6

4

2

VS

800

600

400

200

VR

15،6

25

50

ID

آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت

وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .

نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .

برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .

IEJ = = 0.95 ( MA )

V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )

V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )

L2 = = = 0.47 ( MA )

I3 = = = 0.47 ( MA )

KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA

 

V10K = 9.57 V1K = 0.47

I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA

V1K = 0.47

I1K = 0.47

آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور

وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر

ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .

30

25

20

14

12

10

5

VS

5.74

5.69

5.63

5.51

5.33

4.89

2.52

V0

MA

0.2

0.02A

0.05A

0.10A

0.17A

0.29A

0.43A

I

هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .

بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .

V1K = 15 V1K = 1.23

I1K = 1.2 MA I1K =

V10K = 13.88 V10K = 1.23

I10K = 1.2 MA I10K =

بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .

نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .


دانلود با لینک مستقیم


دانلود آزمایش تست دیود

دانلود آزمایش تست دیود

اختصاصی از حامی فایل دانلود آزمایش تست دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

 

آزمایش تست دیود

وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد .

هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است .

نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد .

مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم

KVL = VS + 100 ID + VD = 0

VS = 100 ID + VD

VS = 100 ID

در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم .

VR = 100 IS IS = ID = =

KVL= VS + VR+ VD = 0

VS = VR + VD

VS = 100IS + VD

8

6

4

2

VS

800

600

400

200

VR

15،6

25

50

ID

آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت

وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر .

نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با منبع قرار دارد مثل یک مقاومت سری با منبع عمل می کند و به همین دلیل جریان زیاد می کشد که این عمل باعث داغ شدن آن می شود .

برای اینجام این آزمایش در ابتدا جریان کل ولتاژ ها را بدست می آوریم سپس توسط یک مولتی متر جواب ها را با هم مقایسه می کنیم .

IEJ = = 0.95 ( MA )

V2 = V3 0.5 × 103 × 0.95 × 10-3 ~ 0.47 (V )

V2 = 10 × 103 × 0.95 × 10-3 = 9.5 ( V )

L2 = = = 0.47 ( MA )

I3 = = = 0.47 ( MA )

KCL : I1 = I2 + I3 = 0.47MA + 0.47MA = 0.95MA

 

V10K = 9.57 V1K = 0.47

I10K = 0.93 MA I1K = 0.46 MA

V1K = 0.47

I1K = 0.47

آزمایش استفاده از دیود زنر به عنوان رگولاتور

وسایل مورد نیاز : منبع DC ، مقاومت 470 اهم ، دیود زنر ، برد بورد و مولتی متر

ابتدا مدار فوق را بر روی برد بورد نصب می کنیم و سپس ولتاژ DC را به صورت متناوب تا 30V بالا می بریم و عملکرد زنر را به عنوان تثبیت کننده ولتاژ خوبی مشاهده می کنیم . این عملکرد را توسط مولتی متر اندازه گیری می کنیم .

30

25

20

14

12

10

5

VS

5.74

5.69

5.63

5.51

5.33

4.89

2.52

V0

MA

0.2

0.02A

0.05A

0.10A

0.17A

0.29A

0.43A

I

هدف : دراین آزمایش هدف این است که مقادیر ولتاژ و جریان را که از مقاومت عبور می کند بدست آوریم .

بعد از بستن مدار روی برد بورد و اندازه گیری ولتاژ و جریان مقاومت ها مقادیر زیر بدست می آید .

V1K = 15 V1K = 1.23

I1K = 1.2 MA I1K =

V10K = 13.88 V10K = 1.23

I10K = 1.2 MA I10K =

بدلیل موازی بودن با مقاومت 1 K اهم ولتاژ برابر است .

نکته : عیبی که این مدار دارد عبور جریان زیاد از مقاومت 1 K اهم و داغ شدن به دلیل کم بودن با مقدار آن می باشد .


دانلود با لینک مستقیم


دانلود آزمایش تست دیود

دانلود آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از حامی فایل دانلود آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 34

 

 

دانشگاه جامع علمی و کاربردی

واحد کوشا

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

ارائه شده به:

نام استاد:

دکتر موسوی

توسط :

نادر عباسی شایسته

رشته : کنترل صنعتی

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .


دانلود با لینک مستقیم


دانلود آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

تحقیق در مورد اثر خازنی دیود

اختصاصی از حامی فایل تحقیق در مورد اثر خازنی دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 15 صفحه


 قسمتی از متن .doc : 

 

بسم الله الرحمن الرحیم

موضوع تحقیق:

اثر خازنی دیود

استاد مربوطه :

جناب اقای مهندس پیمان محمدی

پژوهشگر :

جلال قویدل

زمستان 87

مقدمه دیود یک قطعه ‌الکترونیکی است که ‌از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ، سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته می‌شود. چون دیود یک قطعه دو پایانه ‌است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانه‌هایش سه حالت را پیش می‌آورد.دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که ‌الکترونها را در ماده n و حفره‌ها را در ماده p تحت فشار قرار می‌دهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود)تغذیه یا بایاس معکوس که ولتاژ دو سر دیود کوچکتر از صفر است، یعنی ولتاژ به دو سر دیود طوری وصل می‌شود که قطب مثبت آن به ماده n و قطب منفی آن به ماده p وصل گردد و به علت کشیده شدن یونها به کناره عرض ناحیه تهی افزایش می‌یابد (گرایش معکوس دیود).مشخصه دیود در گرایش مستقیم فرض کنید توسط مداری بتوانیم ولتاژ دو سر یک دیود را تغییر دهیم و توسط ولتمتر و آمپرمتر ولتاژ و جریان دیود را در هر لحظه اندازه گیری کرده ،بر روی محورهای مختصات رسم نماییم.جریان I در جهتی است که دیود قادر به عبور آن است .به همین علت اصطلاحاَ گفته می شود دیود در گرایش مستقیم یا بایاس مستقیم است . در هر حال اگر توسط پتانسیومتر ولتاژ دو سر دیود را از صفر افزایش دهیم ،مشاهده می شود تا ولتاژ به خصوصی ، جریان قابل ملاحظه ای از دیود عبور نمی کند.به این ولتاژ زانو می گویند ،این ولتاژبرای دیودهای از جنس ژرمانیم 2/0 ولت و برای دیودهای سیلیسیم 7/0 ولت است .تا ولتاژ زانو اگرچه دیود در جهت مستقیم است ، اما هنوز دیود روشن نشده است .از این ولتاژ به بعد ، به طور ناگهان جریان در مدار افزایش یافته و هرچه ولتاژ دیود را افزایش دهیم ، جریان دیود افزایش می یابد . مشخصه دیود در گرایش معکوس هرگاه جهت دیود را تغییر داده یعنی برعکس حالت گرایش مستقیم ، در جهت بایاس معکوس جریان مدار خیلی کم بوده و همچنین با افزایش ولتاژ معکوس دو سر دیود جریان چندان تغییر نمی کند به همین علت به آن جریان اشباع دیود گویند که این جریان حاصل حاملهای اقلیت می باشد . حدود مقدار این جریان برای دیودهای سیلیسیم ،نانو آمپر و برای دیودهای ژرمانیم حدود میکرو آمپر است. ارگ ولتاژ معکوس دیود را همچنان افزایش دهیم به ازاء ولتاژی ، جریان دیود به شدت افزایش می یابد . ولتاژ مزبور را ولتاژ شکست دیود می نامند و آنرا با VB نشان می دهند . دیودهای معمولی ،اگر در ناحیه شکست وارد شوند از بین می روند .(اصطلاحاَ می سوزند). بنابر این ولتاژ شکست دیود یکی از مقادیر مجاز دیود است که توسط سازنده معین می گردد و استفاده کننده از دیود باید دقت نماید تا ولتاژ معکوس دیود به این مقدار نرسد. البته در حالت مستقیم نیز جریان دیود اگر از حدی تجاوز نماید به علت محدودیت توان دیودباعث از بین رفتن دیود می گردد.این مقدار نیز یکی از مقادیر مجاز دیود است و به آن جریان مجاز دیود گفته می شود و توسط سازنده دیود معین می گردد.

 

دسته بندی دیودها

در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد اثر خازنی دیود

دانلود پاورپوینت دیود پیوندی

اختصاصی از حامی فایل دانلود پاورپوینت دیود پیوندی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

نوع فایل:  ppt _ pptx ( پاورپوینت )

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید : 

 

تعداد اسلاید : 42 صفحه

تمرین های فصل 2 – 3 الکترونیک 1 بسمه تعالی فصل دوم : دیود پیوندی 1- در مدار شکل زیر دیود ژرمانیوم در دمای معمولی دارای جریان اشباع معکوس A µ 10 , ولتاژ شکست v 100 و مقاومت اهمی ناچیز است .
جریان مدار را در حالت های زیر بدست آورید : الف ( دیود به صورت مستقیم با یاس شده باشد. ب ( دیود به صورت معکوس با یاس شده باشد. + _ VD 1k I + _ 30V حل : الف – I = IS ( e - 1) = 10 × 0.001 ( e - 1)mA I = 10 × 0.001 × e جهت حل این معادله از روش سعی خطا استفاده می نماییم . ولتاژ دو سر دیود ژرمانیم در حال هدایت تقریبا 0.2 ولت است بنا براین داریم : I = (30 - 0.2) / 1 = 29.8mA بنابراین با I = 29.5mA شروع می کنیم , 29.5 = 10 × 0.001 × e ~ 150mA جریان تقریبی درست نیست I = 29.5mA 29.6 = 10 × 0.001 × e ~ 21.9mA 29.55 = 10 × 0.001 × e ~ 57.32mA و ملاحظه می شود که I = 29.6mA به جواب نزدیک می باشد لذا داریم , I = 29.6mA ب – در حالت بایاس معکوس جریان مدار جریان اشباع معکوس خواهد بود . I = IS = 10 A درست نیست I = 29.55mA درست نیست I = 29.6mA 19 .
مدارشکل زیر را در نظر بگیرید.
با فرض Is2 = Is1 = 15nA و Is4 = Is3 = 40nA ولتاژها و جریان های دیودها را بدست آورید.
D2 D4 D1 D3 + + + + + - - - - - V1 V3 V2 V4 20V حل : داریم , V1 = V2 , V3 = V4 , V1 + V3 = - 20 ID1 + ID2 = ID3 + ID4 دیود ها در بایاس معکوس می باشند وبه شکست نرسیده اند ( فرض می کنیم ولتاژ شکست بیشتر از 20 ولت باشد)اگرازD3 وD4جریان اشباع معکوس بگذرد داریم , ID1 + ID2 = ID3 + ID4 = - ( IS3 + IS4 ) = - ( 20+ 40 ) = - 60n IS1= IS2 و VD1 = VD2 بوده و دراین صورت جریان ID1 و ID2 هر کدام 30nA می شود که از جریان اشباع معکوس آن ها بیشتر خواهد بود ودیود های D2 وD1 در شکست می باشند که امکان پذیر نمی باشد دیود های D2 وD1 جریان اشباع معکوس گذشته و از دیودهای D3 وD4 جریانی کمتر از جریان اشباع معکوس آن ها خواهد گذشت و داریم , ID1 = ID2 = - 15nA , ID3 + ID4 = 2ID2 = - 30nA )1 ) چون V3 = V4 ID4 / ID3 = IS4 / IS3 = 40 / 20 = 2 ID4 = 2 ID3 و با جایگزینی در رابطه 1 خواهیم داشت , ID3 + 2 ID3 = -30nA ID3 = - 10nA ID4 = - 20nA با جایگزینی در رابطه دیود خواهیم داشت , ID3 = IS3 ( e - 1 ) - 10 = 20 ( e - 1 ) e = ½ و بدست می آوریم , V3 = - 2 × 26 ln2 = - 36mV V4 = V3 – 36mV و با KVL خواهیم داشت , V1 = V2 = - 20 – V3 = - 20 – ( - 0.036 ) = - 19.964 V فصل سوم : مدارهای دیودی I3 10K 10K 10K 10K 1- درمدارهای دیودی شکل زیر ولتاژ ها و جریان های نشان داده شده را محاسبه کنید.
دیود ها را ایده ال در نظر بگیرید.
10 v 30 v حل : V k =( 30 × 10) /(10 +10) = 15 V A = (10 × 10) /(10 +10) = 5 \ D , off است.
I3 = 0 A K V A < V K D4 , D3 , D2 , D1 , on فرض می شوند. حل : I20 =10 / 20 = ½ m A I80 = 10 / 80 = 1/8 m A I40 = 10 / 40 = 1 / 4 m A I10 = 10 / 10 =1 m A ID4 = I

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  ................... توجه فرمایید !

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .

 



 « پرداخت آنلاین »


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پاورپوینت دیود پیوندی