حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود پایان نامه پیش گویی رفتار پویای کانال سیار سلولی به کمک شبکه های عصبی

اختصاصی از حامی فایل دانلود پایان نامه پیش گویی رفتار پویای کانال سیار سلولی به کمک شبکه های عصبی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه پیش گویی رفتار پویای کانال سیار سلولی به کمک شبکه های عصبی


دانلود پایان نامه پیش گویی رفتار پویای کانال سیار سلولی به کمک شبکه های عصبی

پیش گویی رفتار پویای کانال سیار سلولی به کمک شبکه های عصبی

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب* 

فرمت فایل:PDF

تعداد صفحه:89

پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد “M.Sc”

مهندسی برق - مخابرات

فهرست مطالب :

چکیده 1
مقدمه 2
فصل اول: مدل سازی کانال سیار مخابراتی 4
-1 مقدمه 5 -1
-2 نویز 6 -1
-1 توان نویز 7 -2 -1
-3 محوشدگی رایلی 8 -1
-1 اثر داپلر 8 -3 -1
-2 کانال های چندمسیره 10 -3 -1
-3 مدل رایلی 10 -3 -1
-4 اثرات محوشدگی و نویز 12 -3 -1
فصل دوم: مدوله سازی تطبیقی و پیش گویی رفتار کانال 15
-1 مقدمه 16 -2
-2 ملاک های تطبیق 16 -2
-3 مدوله سازی تطبیقی 19 -2
-1 تاثیر تاخیر انتشار در مدوله سازی تطبیقی 25 -3 -2
-4 پیش بینی رفتار کانال 28 -2
-1 پیش بینی خطی کانال 28 -4 -2
فصل سوم: تخمین و پیش گویی رفتار کانال رایلی باند باریک به کمک شبکه های عصبی 34
-1 مقدمه 35 -3
کل کانال به نسبت سیگنال به نویز محض و توان محوشدگی 35 SNR -2 تجزیه ی -3
-3 تخمین نسبت سیگنال به نویز 37 -3
-1 تخمین کور به کمک شبکه های عصبی 38 -3 -3
38 TxDA -1 تخمین کور در مقایسه با تخمین -1 -3 -3
-2 شبکه ی عصبی پایه شعاعی 40 -1 -3 -3
-3 نویز تصادفی و نقش حالت اولیه در تولید آن 42 -1 -3 -3
-2 ساختار مدل پیشنهادی 44 -3 -3
-3 شبیه سازی و نتایج تجربی 45 -3 -3
-4 مقایسه و ارزیابی 49 -3 -3
-4 پیش گویی توان محوشدگی به کمک شبکه های عصبی 52 -3
-1 ساختار مدل پیشنهادی 52 -4 -3
-2 آموزش شبکه 52 -4 -3
-3 نتایج شبیه سازی 53 -4 -3
فصل چهارم: نتیجه گیری و پیشنهاد 57
-4-1 نتیجه گیری و جمع بندی 58
-4-2 پیشنهادها 59
پیوست ها 60
واژه نامه 61
برنامه های نرم افزاری 63
منابع و مراجع 75
چکیده انگلیسی 78

چکیده :

در این پایان نامه، نشان داده می شود که به کمک یک شبکه ی عصبی RBF می توان SNR یک کانال مخابراتی را در محدوده dB 30-1 با دقت مناسبی تخمین زد. سیستم معرفی شده تخمین را به صورت کور انجام می دهد که مزیت آن نسبت به تخمین زننده های TxDA است. کاهش حجم محاسبات ریاضی، مزیت دیگری است که این تخمین گر در مقایسه با تخمین گر های کلاسیک در اختیار قرار می دهد. با ملاک قرار دادن معیار میانگین مربع خطاهای بهنجار، نشان داده می شود که تخمین گر پیشنهادی خطای عملکردی در محدوده 0/005 تا 0/0005 برای مقادیر SNR بزرگتر از 8dB دارد، که برای کاربردهای عملی بسیار مناسب است. همچنین، نشان داده می شود که به کمک یک شبکه ی عصبی RBF می توان توان محوشدگی یک کانال مخابراتی را برای مقادیر SNR بزرگتر از 10dB و فرکانس های داپلر نه خیلی بزرگ با دقت مناسبی پیش گویی کرد. با ملاک قرار دادن معیار میانگین مربع های خطا، نشان داده می شود که خطای عملکرد سیستم پیش گویی کننده ی پیشنهادی در فرکانس داپلر 20Hz تا 0/01 و در فرکانس داپلر 5Hz تا 0/005 می تواند کاهش پیدا کند.

امروزه در سیستم های نوین مخابراتی، بخصوص در سیستم های مبتنی بر نسل سوم مخابرات سیار، مدیریت منابع رادیویی به صورت پویا انجام می شود، به این ترتیب که پارامترهای اساسی طراحی سیستم، نظیر پارامترهای مربوط به مدوله سازی و کدکردن یا پارامترهای مربوط به کنترل توان، متناسب با وضعیت پویای کانال مخابراتی تعیین می شوند و تغییر می کنند. این رویکرد در طراحی سیستم های مخابراتی که در پژوهش های اخیر از آن با عنوان های “تطبیق پیوند” یا “مدوله سازی و کدکردن وفقی” (AMC) یاد می شود، باعث افزایش کارایی سیستم در مقایسه با سیستم های ایستا و کلاسیک مخابراتی شده، امکان دست یابی به ظرفیت های مخابراتی بالاتر را در یک ارتباط رادیویی فراهم می سازد. این افزایش کارایی، بخصوص در ارتباط های سلولی چندکاربره، با توجه به ملاحظه ی لحظه ای حضور دیگر کاربران در ارتباط مخابراتی و تصمیم گیری پویا برای کاهش اثر تداخل آن ها، چشم گیر و غیر قابل صرف نظر است.

با این حال، استفاده از مزیت های مربوط به این روش تنها در صورتی ممکن است که شناخت مناسبی از وضعیت فعلی کانال در دسترس باشد. همچنین، لازم است که برمبنای پارامترهای فعلی کانال، نسبت به پیش گویی وضعیت کانال در لحظه های آینده اقدام شود، تا پارامترهای مربوط به طراحی سیستم (نظیر پارامترهای مدوله سازی و کدکردن) متناسب با این پیش گویی تعیین و تنظیم شوند.

تخمین کانال های مخابراتی در حالت های غیرخطی و متغیر با زمان، با پیچیدگی های تحلیلی و سخت افزاری بسیاری همراه است و تکنیک های کلاسیک مطرح شده در کتاب ها و مقالات مختلف برای همسان سازی کانال، اغلب از غیرخطی بودن و متغیر با زمان بودن کانال ها صرف نظر می کنند. از سوی دیگر، با فرض این که به پارامترهای فعلی کانال بتوان دسترسی داشت، برای پیش گویی کانال در لحظه های آینده، تنها چند روش محدود در مقاله ها و منابع کلاسیک مخابرات سیار ذکر شده که اغلب مبتنی بر پیش گویی خطی کانال هستند. استفاده از شبکه های عصبی، با توجه به ماهیت غیرخطی این شبکه ها و توانایی تعمیم آن ها پس از طی یک دوره ی آموزشی مناسب، می تواند راهکار تازه ای برای تخمین و پیش گویی کانال باشد. این پایان نامه به تحقیق درباره ی همین موضوع می پردازد.

در فصل اول این پایان نامه، ویژگی های اصلی کانال های سیار مخابراتی با محوشدگی باند باریک مرور می شوند. بحث درباره ی نویز سفید جمع شونده ی گوسی و مطالعه ی مدل رایلی از مباحث مطرح شده در این فصل هستند.

در فصل دوم، پس از بحث درباره ی اهمیت و مزیت های مدوله سازی تطبیقی، نشان داده می شود که با پیشگویی رفتار کانال می توان کارایی سیستمی را که از مدوله سازی تطبیقی استفاده می کند افزایش داد.

در فصل سوم، فرایند محاسبه ی سیگنال به نویز (SNR) به دو بخش تخمین نسبت سیگنال به نویز محض کانال (SNR0) و پیش گویی توان محوشدگی (α) تقسیم شده، سیستم پیشنهادشده ی مبتنی بر شبکه های عصبی برای محاسبه ی این دو پارامتر، معرفی و ارزیابی می شود.

فصل چهارم نیز به جمع بندی و ارائه ی چند پیشنهاد اختصاص یافته است.

و...

NikoFile


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

اختصاصی از حامی فایل دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو


دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet  با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود. اما یکی از چالش های اصلی در این میان وجود مقاومت های پارازیتی سورس و درین است.

در این پروژه، ترانزیستور ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته به عنوان ساختاری که این مشکل را مرتفع می کند مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. تونل زنی از سد شاتکی و جریان ترمویونی از سازوکارهای اصلی جریان در این افزاره است. استفاده از ساختار ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حامل ها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال سیلیسیم شده است. افزاره ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته دارای جریان حالت روشنی کمتر نسبت به ساختار متناظر با سورس / درین آلاییده شده می باشد. با افزایش درصد مولی ژرمانیم در کانال سیلیسیم / ژرمانیم، جریان حالت روشن در این افزاره بهبود می یابد. همچنین شبیه سازی ها نشان می دهند کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی در این افزاره موجب بهبود چشمگیر مشخصه های الکتریکی شده است. جریان های تونل زنی و انتشار ترمویونی از سورس به بستر، از عوامل اصلی افزایش جریان حالت خاموشی و محدودیت عملکرد این افزاره محسوب می شوند. جهت رفع این نقیصه، برای نخستین بار ساختار بدیع ماسفت با سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلیسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است به طوری که با استفاده از فناوری سیلیسیم – بروی – عایق، جریان حالت خاموشی به میزان 98% کاهش یافته است.

مقدمه:

با ساخت اولین ترانزیستور در سال 1947 میلادی، صنعت الکترونیک وارد مرحله جدیدی گردید. این فناوری در کمتر از 50 سال مرزهای میکرون را در نوردید و با عرضه تراشه Pentium IV توسط شرکت Intel با دقت ابعادی در حد دهم میکرون، عملا عصر نانو الکترونیک آغاز گردید. کاهش ابعاد ترانزیستورها از چند جنبه قابل بررسی است: افزایش سرعت یکی از مهمترین مزایای کاهش ابعاد ترانزیستورها می باشد. افزایش سرعت مدارهای مجتمع قابلیت انجام محاسبات پیچیده تر در زمان های کمتر را به وجود می آورد. ویژگی دیگری که در ساخت تراشه های مدار مجتمع مورد توجه است کاهش ولتاژ و توان الکتریکی مورد نیاز مدارهای مجتمع می باشد. امروزه کوچک بودن و قابل حمل بودن در بسیاری از سیستم های الکترونیکی مورد توجه است. تراشه های مدار مجتمع با سطح ولتاژ و جریان پایین کاربردهای وسیعی یافته اند. کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش بازدهی و کاهش قیمت تمام شده افزاره های نیمه هادی گردیده است.

روند کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانو مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند و موجب ضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردند.

برای رفع مشکلات فوق، در این پروژه اصول و عملکرد یک ترانزیستور اثر میدانی سورس و درین فلزی با کانال کرنش یافته مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. از آنجا که تغییر مقیاس و مجتمع سازی افزاره وابستگی شدیدی به کاهش میزان جریان نشتی دارد، برای نخستین بار ترانزیستور اثر میدانی سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است. براساس نتایج بدست آمده، به نظر می رسد این افزاره می تواند گزینه مناسبی برای کاربرد در ابعاد نانو محسوب گردد.

شامل 125 صفحه فایل pdf


دانلود با لینک مستقیم