حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

پکیج افزایش اعضا و ممبر کانال تلگرام تا سقف 100 هزار عضو در روز 100% تضمینی!

اختصاصی از حامی فایل پکیج افزایش اعضا و ممبر کانال تلگرام تا سقف 100 هزار عضو در روز 100% تضمینی! دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پکیج افزایش اعضا و ممبر کانال تلگرام تا سقف 100 هزار عضو در روز 100% تضمینی!


پکیج افزایش اعضا و ممبر کانال  تلگرام تا  سقف 100 هزار عضو در روز 100% تضمینی!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ربات افزایش ممبر کانال تلگرام تا سقف 100 هزار ممبر در روز!!!

 

(پکیچ کامل + نسخه اندروید + نسخه ویندوز + آموزش ساده و کاملا تصویری)

 

توجه : این ربات را با نرم افزار اشغال ادد ممبر اشتباه نگیرید ! بعضی از سایت ها نرم افزار ادد ممبر را به جای ربات افزایش ممبر کانال تلگرام به فروش میرسانند!!!

 

 

 

 ویژگی های این ربات کمیاب و پیشرفته: 

اضافه شدن ممبرها در کوتاه ترین زمان

ممبرهای کاملا فعال و ایرانی

نسخه ویندوز + نسخه اندروید

 

توجه کنید :

همه سایت ها با استفاده از این ربات به مردم ممبرهایی با قیمت های نجومی میفروشند ولی ما خود این ربات را به شما تقدیم میکنیم!!!

 

 

 قیمت با تخفیف فوق العاده :

فقط و فقط 15,000 

9,900 تومان

  

 

 


دانلود با لینک مستقیم


پکیج افزایش اعضا و ممبر کانال تلگرام تا سقف 100 هزار عضو در روز 100% تضمینی!

پایان نامه ارشد برق ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

اختصاصی از حامی فایل پایان نامه ارشد برق ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه ارشد برق ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو


پایان نامه ارشد برق ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

چکیده:

افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود. اما یکی از چالش های اصلی در این میان وجود مقاومت های پارازیتی سورس و درین است.

در این پروژه، ترانزیستور ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته به عنوان ساختاری که این مشکل را مرتفع می کند مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. تونل زنی از سد شاتکی و جریان ترمویونی از سازوکارهای اصلی جریان در این افزاره است. استفاده از ساختار ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حامل ها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال سیلیسیم شده است. افزاره ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته دارای جریان حالت روشنی کمتر نسبت به ساختار متناظر با سورس / درین آلاییده شده می باشد. با افزایش درصد مولی ژرمانیم در کانال سیلیسیم / ژرمانیم، جریان حالت روشن در این افزاره بهبود می یابد. همچنین شبیه سازی ها نشان می دهند کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی در این افزاره موجب بهبود چشمگیر مشخصه های الکتریکی شده است. جریان های تونل زنی و انتشار ترمویونی از سورس به بستر، از عوامل اصلی افزایش جریان حالت خاموشی و محدودیت عملکرد این افزاره محسوب می شوند. جهت رفع این نقیصه، برای نخستین بار ساختار بدیع ماسفت با سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلیسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است به طوری که با استفاده از فناوری سیلیسیم – بروی – عایق، جریان حالت خاموشی به میزان 98% کاهش یافته است.

مقدمه:

با ساخت اولین ترانزیستور در سال 1947 میلادی، صنعت الکترونیک وارد مرحله جدیدی گردید. این فناوری در کمتر از 50 سال مرزهای میکرون را در نوردید و با عرضه تراشه Pentium IV توسط شرکت Intel با دقت ابعادی در حد دهم میکرون، عملا عصر نانو الکترونیک آغاز گردید. کاهش ابعاد ترانزیستورها از چند جنبه قابل بررسی است: افزایش سرعت یکی از مهمترین مزایای کاهش ابعاد ترانزیستورها می باشد. افزایش سرعت مدارهای مجتمع قابلیت انجام محاسبات پیچیده تر در زمان های کمتر را به وجود می آورد. ویژگی دیگری که در ساخت تراشه های مدار مجتمع مورد توجه است کاهش ولتاژ و توان الکتریکی مورد نیاز مدارهای مجتمع می باشد. امروزه کوچک بودن و قابل حمل بودن در بسیاری از سیستم های الکترونیکی مورد توجه است. تراشه های مدار مجتمع با سطح ولتاژ و جریان پایین کاربردهای وسیعی یافته اند. کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش بازدهی و کاهش قیمت تمام شده افزاره های نیمه هادی گردیده است.

روند کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانو مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند و موجب ضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردند.

برای رفع مشکلات فوق، در این پروژه اصول و عملکرد یک ترانزیستور اثر میدانی سورس و درین فلزی با کانال کرنش یافته مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. از آنجا که تغییر مقیاس و مجتمع سازی افزاره وابستگی شدیدی به کاهش میزان جریان نشتی دارد، برای نخستین بار ترانزیستور اثر میدانی سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است. براساس نتایج بدست آمده، به نظر می رسد این افزاره می تواند گزینه مناسبی برای کاربرد در ابعاد نانو محسوب گردد.

تعداد صفحه : 125


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه ارشد برق ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

اختصاصی از حامی فایل لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن


 لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

 

 

 

 

 

چکیده:

دیودهای لیزر مبتنی بر ساختار بازتابگرهای توزیع شده براگ، به عنوان منابع نوری ارزان و مطمئن، امروزه در محدوده وسیعی از طول موج های 1.1μm:1.7μm با خاصیت تفرق پایین در سیستم های مخابراتی به کار رفته و گسترش وسیع یافته اند. تغییر در ساختمان و عمق فیزیکی این بازتابگرهای کنگره ای، خواص لیزر نیمه هادی مبتنی بر این تکنیک را تحت تاثیر قرار می دهند.

در این پایان نامه، لزر DBR مورد بررسی قرار می گیرد و مشخصات انعکاس آینه های براگی که عمق شیارهای آنها افزایش یافته تجزیه و تحلیل می گردد. ما با افزایش در عمق شیارهای این ساختار کنگره ای به بررسی بهبود منتجه در ضریب محدود کننده انرژی و ضریب امواج پرداخته و نشان دادیم در اثر افزایش عمق شیارها، منحنی اندازه ضریب بازتاب این بازتابگرهای توزیع شده بهبود یافته و منحنی تلفات مربوط به این آینه ها کاهش می یابد و نتیجه گرفتیم که مشخصات حالت آستانه لیزرهای نیمه هادی DBR مبتنی بر این تکنیک بهبود قابل ملاحظه ای می یابند. صحت نتایج به دست آمده با مقالات ارائه شده در قسمت منابع تایید می شود. محاسبات و رسم نمودارها با استفاده از نرم افزار MATLAB v7.0.4 انجام شده است.

مقدمه:

دی الکتریکهای شامل آرایه های تناوبی که می توانند نور را در طول موج های مختلف تابانده و یا عبور دهند، از اصول فیزیکی اولیه پدیده های زیبای طبیعی پیروی می کنند. به عنوان مثال، طیف های رنگ های زیبایی که از بالهای یک پروانه در زیر نور خورشید بازتابانده می شوند، ناشی از بازتاب های مختلف رنگهای تشکیل دهنده نور خورشید، از ساختارهای دی الکتریک تناوبی تشکیل دهنده سطح بال پروانه می باشند. اصول بکار رفته در فیزیک این فیدبک های تناوبی توزیع شده در یک ساختار و رفتار آنها در برابر نور تابیده شده، آنها را در محدوده وسیعی از کاربردها، از منابع بازخوان نوری اطلاعات در دیسک های فشرده شده کامپیوتری، تا انتقال دهنده های خاص لیزری در فیبرهای نوری سیستم های مخابراتی، متداول ساخته است. فرکانس گزین بودن خاصیت بازتاب و عبور این ساختارها نسبت به طیف های تشکیل دهنده نور تابیده شده، آنها را به بهترین گزینه برای جایگزینی با آینه های رایج ساختار لیزر فابری پروت ساده بدل ساخته است.

در واقع اگر بتوان رفتار آینه های دو سر لیزر فابری پروت را نسبت به طول موج های تابیده شده حساس و متفاوت ساخت، آنگاه می توان برای طول موجی خاص در داخل کاواک لیزر تشدید ایجاد نمود، طول موج خروجی نور لیزر را تحت کنترل درآورد و خروجی تک فرکانسی داشت. چنین لیزرهایی به عنوان لیزرهای تک فرکانسی شناخته شده و با توجه به اهمیت و نقش کلیدی آنها در سیستم های مخابرات نوری به طور گسترده ای از دهه 1980 مورد مطالعه گرفته اند.

دیودهای لیزر فابری پروتی که به جای یک یا هردو آینه انتهایی، از آینه هایی با بازتابگرهای تناوبی توزیع شده سود می جویند، به عنوان لیزر نیمه هادی DBR شناخته می شوند.

در این پروژه سعی شده است تا اثر تغییر عمق شیارهای ساختار کنگره ای بر عملکرد چنین لیزری بررسی گردد. فصل های تشکیل دهنده این پروژه عبارتند از:

فصل اول، که در آن به کلیاتی نظیر تاریخچه مخابرات نوری می پردازیم. در این فصل به چگونگی تولید نور لیزر در ساختارهای نیمه هادی، علت استفاده از دیودهای لیزر نیمه هادی در سیستم های مخابراتی و تقسیم بندی انواع دیودها از نقطه نظر هدایت مدهای تولید شده، می پردازیم.

فصل دوم، که در آن ضمن معرفی تئوری روش ماتریس انتقال، به روشی برای دستیابی به ضرایب بازتاب و انتقال کلی دیده شده از ساختاری با بازتابگرهای تناوبی توزیع شده و به کار رفته بجای آینه های لیزر فابری پروت، می پردازیم. روش ماتریس انتقال از آن جهت مورد توجه می باشد که ضمن عمومیت داشتن و مطمئن بودن، تمامی ساختارهای این چنینی را پوشش داده و به کمک آن می توان ضمن ساده سازی ساختارهای پیچیده به ساختارهای بنیادی و ساده تر متصل بهم، به آسانی رفتار کل مجموعه را تنها با ضرب ماتریس های انتقال این اجزای ساده تر به دست آورد و خواص کلی این مجموعه را مورد بررسی قرار داد.

فصل سوم، که در آن ضمن معرفی روش تئوری امواج تزویج شده، به بررسی انتشار مدهای تولید شده محفظه تشدید کاواک لیزر در محیط های دی الکتریک چند لایه پرداخته و ضرایبی نظیر ضریب محدود کننده مد در این محیط و ضریب تزویج این مدها را تعریف کرده و به دست می آوریم. این ضرایب در بررسی وضعیت انتشار امواج در ساختارهای فیزیکی متناوب مختلف بسیار مهم و کاربردی می باشند. سپس به بررسی اثر تغییر عمق شیارهای ساختار کنگره ای بر روی این فاکتورهای اساسی پرداخته و بر روی بهبودی که در مشخصات توصیف کننده عملکرد لیزر DBR به وجود می آید، بحث می نماییم.

و در فصل چهارم ضمن جمع بندی و تحلیل نتایج حاصله، نگاهی به کاربرد این قطعات در سیستم های امروزی انداخته و ضمن معرفی چند مرجع فارسی و غیر فارسی، پیشنهاداتی را جهت ادامه این بحث ارائه می نماییم.

تعداد صفحه : 113

 


دانلود با لینک مستقیم


لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

خارج شدن از ریپورت تلگرام و افزایش اعضای کانال

اختصاصی از حامی فایل خارج شدن از ریپورت تلگرام و افزایش اعضای کانال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ضدریپورت

دلت میخواد دیگه هیچوقت ریپورت نشی؟

پس این برنامه رو دانلود کن

یه کارایی دیگه هم داره

اونم این که اگه کانال داری با این برنامه میتونی روزانه 200نفرو به کانالت اضافه کنی

 

از دستش نده بهترین برنامه برای خارج شد از ریپورت در سریع ترین زمان

 

 

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


روش های جدید تخمین کانال در سیستم OFDM

اختصاصی از حامی فایل روش های جدید تخمین کانال در سیستم OFDM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

روش های جدید تخمین کانال در سیستم OFDM


 روش های جدید تخمین کانال در سیستم OFDM

 

 

 

 

 

 

چکیده

روش های تخمین کانال برای سیستم OFDM بر پایه زیرحامل های پایلوت نوع Comb در این گزارش بررسی شده است. این الگوریتم ها به دو بخش تخمین سیگنال پایلوت و جای گذاری کانال، تقسیم می شوند. تخمین سیگنال پایلوت بر پایه معیار LS یا MMSE و همچنین جای گذاری کانال بر پایه جای گذاری خطی تکه ای و یا جای گذاری چند جمله ای مرتبه دوم تکه ای مورد بررسی قرار گرفته اند. با بکارگیری تخمین MMSE روی سیگنال های پایلوت، اثرات تداخل بین حاملی و نویز سفید گوسی جمع شونده به طور قابل توجهی کاهش می یابند. پیچیدگی محاسباتی تخمین سیگنال پایلوت بر پایه معیار MMSE با استفاده از تخمینگر LMMSE ساده شده با تقریب مرتبه پایین و با استفاده از تجزیه مقدار منفرد، کاهش می یابد. در این گزارش روش های نظیری تخمین کانال، سیستم OFDM و روش های تخمین کانال در آن و در فصل های آخر روش های جدیدی از تخمین کانال بررسی خواهند شد.

مقدمه

در طراحی مدولاتور و دمدولاتور برای کانال های باند محدود باید مشخصه پاسخ کانال ((c(f) را داشته باشیم. اما در سیستم های مخابرات دیجیتال عملی که برای ارسال اطلاعات با سرعت بالا در کانال های باند محدود طراحی شده اند، پاسخ فرکانسی کانال ((c(f) با دقت لازم برای طراحی بهینه فیلترهای مدولاتور و دمدولاتور، شناخته شده نیست. برای مثال در شبکه نسبتا ساده تلفن ثابت در هر زمانی که شماره گیری کنیم کانال انتقال ممکن است متفاوت باشد به علت اینکه مسیر انتقال ممکن است متفاوت باشد. همچنین انواع دیگری از کانال انتقال وجود دارد مانند کانال های انتقال بی سیم از قبیل کانال های رادیویی و کانال های آکوستیک زیرآب که در آنها مشخصه پاسخ فرکانسی متغیر با زمان می باشد. برای این چنین کانال هایی غیرممکن است که بتوانیم فیلترهای دمدولاتور بهینه طراحی کنیم. همان طوری که می دانیم وجود اعوجاج در کانال انتقال یکی از دلایل به وجود آمدن ISI است که اگر در گیرنده جبران سازی نشود موجب به وجود آمدن نرخ خطای بالایی می شود که عملا بازسازی سیگنال فرستاده شده را غیرممکن خواهد ساخت.

برای از بین بردن ISI در سیگنال دریافت شده اکولایزرهای مختلفی می توانند استفاده شوند. الگوریتم های کشف سیگنال که بر پایه جستجوی trellis طراحی شده اند (مانند MLSE یا MAP) عملکرد خوبی در گیرنده دارند، اما از لحاظ محاسبات پیچیده هستند. اما همان طوری که اشاره شد این الگوریتم های کشف نیاز به اطلاعات پاسخ ضربه کانال (CIR) دارند که می تواند توسط تخمینگر کانال جداگانه به دست آید.

دو روش پایه برای تخمین کانال وجود دارد:

– روش استفاده از رشته آموزشی

– روش Blind

در روش تخمین کانال با استفاده از رشته شناخته شده (آموزشی) این رشته که برای هر فرستنده یکتاست، در هر burst انتقالی فرستاده می شود. بنابراین تخمینگر کانال می تواند CIR را برای هر burst به صورت جداگانه با استفاده از بیت های مشخص فرستاده شده و نمونه های دریافت شده متناظر با آنها تخمین بزند. هم اکنون این روش بسیار مورد استفاده قرار می گیرد و به راحتی روی هر سیستم مخابراتی قابل پیاده سازیست و پیچیدگی محاسباتی زیادی هم ندارد اما بزرگترین اشکال آن اینست که پهنای باند را هدر می دهد (به خاطر نیاز به فرستادن رشته آموزشی).

اما در مقابل روش Blind نیازی به ارسال رشته آموزشی ندارد و از مشخصات ریاضی خاص اطلاعات در حال ارسال استفاده می کند. این روش در جاهایی که پهنای باند محدودی دارند بسیار مناسب است. اما از لحاظ محاسباتی بسیار پیچیده است بنابراین به کار بردن آن در سیستم های بی درنگ بسیار دشوار است.

در فصل اول روش های پرکاربرد تخمین به صورت نظری بررسی خواهند شد. جهت تکمیل کردن مطالب روش های اولیه تخمین در پیوست 1 آورده شده اند. سپس مطالعات انجام گرفته روی روش های تخمین کانال بررسی خواهند شد. در این بررسی ابتدا روشهای تخمین کانال در کانال های ثابت ناشناخته و مدل های ریاضی آنها آورده خواهند شد و سپس تخمین کانال در کانال های متغیر با زمان ناشناخته بررسی می شوند که منجر به بررسی فیلتر وفقی خواهد شد.

در فصل دوم ساختار کلی سیستم OFDM و روش های پیاده سازی آن آورده شده است. سپس در این فصل به بررسی روشهای موجود تخمین کانال در سیستم OFDM پرداخته شده است.

در فصل سوم روش های جدیدی از تخمین کانال بر پایه پایلوت در سیستم های OFDM بررسی شده اند که منجر به بازدهی بالاتر در تخمین کانال در این سیستم خواهند شد.

در فصل چهارم این گزارش به بررسی بیشتر الگوریتم های به کار رفته در فصل سوم با توجه به مراجع موجود خواهیم پرداخت و مشاهده خواهیم کرد که روش بررسی شده نسبت به روش های پیشین چه معایب و چه محاسنی دارد. همچنین چند نمونه از شبیه سازی های انجام گرفته توسط نرم افزار MatLab و خروجی های آنها در پایان فصل آورده شده اند.

در پایان و در فصل چهارم نتایج نهایی گرفته شده از گزارش و پیشنهاداتی که ممکن است برای دیگر دانشجویات در جهت کار روی این الگوریتم و نمونه های مشابه کارساز باشد آورده شده اند.

تعداد صفحه : 131

 


دانلود با لینک مستقیم