حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج

اختصاصی از حامی فایل کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج


کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج ها

 

 

 

 

 

 

 

در بیشتر اوقات لازم است در مراکز صنعتی و کارگاه ها نیروهایی که بر یک جسم وارد می شود را اندازه بگیریم. مثلا برای کنترل پایداری یک پل که هر روز هزاران هزار اتومبیل از روی آن می گذرند باید میزان نیروهایی که بر آن وارد می شوند را حساب نماییم. برای اندازه گیری نیروهای وارد بر یک جسم از مبدل هایی استفاده می شود که نیروسنج نام دارند. وقتی بر جسمی نیرو وارد می گردد تنش (Stress) و کرنش (Strain) ایجاد می شود. تنش معرف مقاومت درونی جسم در مقابل نیرو است و کرنش در حقیقت بیانگر جابجائی و تغییر شکل جسم می باشد. استرین گیج (Strain Gauge) یا کرنش سنج در واقع برای اندازه گیری کرنش و تغییرات فیزیکی ناشی از اعمال فشار بر جسم طراحی گردیده است و معمولا استرین گیج ها را از سیم هایی با جنس مس نیکل می سازند و به شکل رفت و برگشت روی پلاستیک های مقاومی می چسبانند. ابعاد استرین گیج ها از چند میلی متر مربع تا چند سانتی متر مربع است و دارای مقاومتی از چند ده تا چند هزارم اهم می باشند. استرین گیج ها در اندازه گیری فشار، وزن در لودسل، گشتاور در ترک متر و همچنین سنسورهای موقعیت به وفور مورد استفاده قرار می گیرد. برای اندازه گیری تغییرات مقاومتی سنسور استرین گیج از پل وتسون استفاده می گردد...

کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج ها (An Introduction to Stress Analysis and Transducer Design using Strain Gauges)، توسط شرکت HBM گرد آوری شده است و به گونه ای کاربردی و علمی به مبحث  تحلیل تنش و طراحی مبدل ها (Transducer) با کرنش سنج ها (Strain Gauge) پرداخته شده است. این کتاب مشتمل بر 262 صفحه، در 9 فصل، به زبان انگلیسی، همراه با تصاویر به ترتیب زیر گردآوری شده است:

Chapter 1: Introduction

  • Metal strain gages
  • Semiconductor strain gages
  • Vapor-deposited (thin-film) strain gages
  • Capacitive strain gages
  • Piezoelectric strain gages
  • Photoelastic strain gages
  • Mechanical strain gages
  • Other systems
  • The operating principle of the strain gage
  • Metal strain gages
  • Semiconductor strain gages
  • The measurement system

Chapter 2: Terms and units of measurement used in strain gage technology

  • Strain: Definition and unit of measurement
  • Absolute change of length
  • Relative change of length or strain
  • Unit of measurement for strain
  • Mechanical stress: Definition and unit of measurement
  • Normal stress
  • Shear stress
  • Residual stress, thermal stress
  • Stress states
  • Material parameters
  • Modulus of elasticity, definition and units
  • Shear modulus
  • Poisson's ratio
  • Thermal expansion
  • Strain gage loading
  • Static measurements - zero referenced
  • Quasi-static measurements
  • Dynamic measurements - non-zero referenced

Chapter 3: Selection criteria for strain gages

  • Range of application
  • Stress analysis, model measurement techniques, biomechanics
  • Transducer construction
  • Types of strain gages
  • Length of measuring grid
  • Homogeneous field of strain
  • Inhomogeneous strain field
  • Dynamic strain conditions
  • Multiple strain gages, their advantages and fields of application
  • Strain gage chains for the determination of stress gradients
  • Strain gage rosettes for the determination of stress conditions
  • Strain gage rosettes for the investigation of residual stress
  • Special strain gages
  • Weldable strain gages
  • Free-grid strain gages, high-temperature strain gages
  • Weldable high-temperature strain gages
  • Electrical resistance
  • Useful temperature range
  • Technical data
  • Strain gage sensitivity (gage factor) for metal strain gages
  • Gage factor for semiconductor strain gages
  • Transverse sensitivity
  • Temperature response of a mounted strain gage
  • Temperature compensated strain gages
  • Thermal drift
  • The dependence of sensitivity on temperature
  • Static elongation
  • Dynamic strain measurement
  • Continuous vibration characteristics
  • The cut-off frequency
  • Electrical loading
  • Creep
  • Mechanical hysteresis
  • Environmental influences
  • Temperature
  • Humidity
  • Hydrostatic pressure
  • Vacuum
  • Ionizing radiation
  • The effects of ionizing radiation on strain gage measuring points
  • Magnetic flelds
  • Storage

Chapter 4: Materials used for mounting strain gages

  • Strain gage bonding materials
  • Mounting materials
  • Cleaning agents
  • Soldering agents
  • Soldering devices
  • Solders and fluxing agents
  • Connection methods
  • Solder terminals
  • Lead material
  • Methods of testing
  • Visual inspection
  • Electrical continuity
  • Insulation resistance
  • Protection of the measuring point

Chapter 5: The Wheatstone bridge circuit

  • The circuit diagram of the Wheatstone bridge
  • The principle of the Wheatstone bridge circuit
  • Bridge excitation and amplification of the bridge output voltage

Chapter 6: Calibrating measurement equipment

  • The operating principle of the compensation and calibration devices on a measuring amplifier
  • Calibration using the calibration signal from the measuring amplifier
  • Shunt calibration
  • Calibration with a calibration unit
  • Taking account of gage factors with a value other than 2

Chapter 7: The reduction and elimination of measurement errors

  • Compensation of thermal output
  • Compensation for thermal output using a simple quarter bridge circuit
  • Thermal output of a quarter bridge in a three-wire configuration
  • Temperature compensation of a quarter bridge with compensating
    strain gages
  • Compensation of thermal output with the double quarter or diagonal
    bridge
  • Compensation for thermal output using the half bridge circuit
  • Compensation for thermal output with the full bridge circuit
  • The influence of lead resistances
  • Simple quarter bridge circuit
  • Quarter bridge in a three-wire circuit
  • Quarter bridge with compensating strain gage
  • Double quarter or diagonal bridge
  • Half bridge circuit
  • Full bridge circuit
  • Error correction using the gage factor selector
  • Eliminating cable effects with special circuits in the measuring amplifier
  • HBM bridge
  • The six-wire circuit
  • The influence of cable capacitances
  • Capacitive unsymmetry
  • Phase rotation
  • Correction of the transverse sensitivity of a strain gage
  • Corrections for individual measuring grids
  • Correction for strain gage rosettes
  • X rosettes
  • Rosettes

Chapter 8: Hooke’s Law for the Determination of Material Stresses from Strain Measurements

  • The uniaxial stress state
  • The biaxial stress state
  • The biaxial stress state with known principal directions
  • The biaxial stress state with unknown principal directions
  • Measurements with the 0°/45°/90° rosette
  • Measurements with the 0°/60°/120° rosette
  • The determination of the principal directions
  • Other ways of determining the principal normal stresses and their
    directions
  • Mohr's Stress Circle
  • Determination of residual stresses according to the drill-hole method
  • Strain measurements and stress analysis for various loading cases
  • Measurement on a tension/compression bar
  • Measurements on a bending beam
  • Symmetrical and asymmetrical cross-sectional beams loaded with both an axial force and a bending moment
  • Measurements on a shaft under torsion - twisted shaft
  • Transferring the measuring signal from rotating shafts
  • Measurement on a twisted shaft with superimposed axial force and
    bending moment
  • Measurements on a shear beam
  • Measurement of thermal stresses
  • Comparison of measurements on a free and on a restrained object
  • Measurement with a compensating piece
  • Separate or later determination of the thermal output

Chapter 9: Measurement accuracy

  • Causes of measurement errors
  • Calculating the degree of random deviation in a measurement series
  • Test requirements
  • The Gaussian distribution
  • Arithmetical mean
  • standard deviation s and coefficient of variance v
  • Confidence limits and confidence range for the expected value μ
  • Measurement uncertainty u
  • Measurement result

جهت خرید کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج ها (An Introduction to Stress Analysis and Transducer Design using Strain Gauges) به مبلغ استثنایی فقط 3000 تومان و دانلود آن بر لینک پرداخت و دانلود در پنجره زیر کلیک نمایید.

!!لطفا قبل از خرید از فرشگاه اینترنتی کتیا طراح برتر قیمت محصولات ما را با سایر محصولات مشابه و فروشگاه ها مقایسه نمایید!!

 

!!!تخفیف ویژه برای کاربران ویژه!!!

با خرید حداقل 10000 (ده هزارتومان) از محصولات فروشگاه اینترنتی کتیا طراح برتر برای شما کد تخفیف ارسال خواهد شد. با داشتن این کد از این پس می توانید سایر محصولات فروشگاه را با 20% تخفیف خریداری نمایید. کافی است پس از انجام 10000 تومان خرید موفق عبارت درخواست کد تخفیف و ایمیل که موقع خرید ثبت نمودید را به شماره موبایل 09365876274 ارسال نمایید. همکاران ما پس از بررسی درخواست، کد تخفیف را به شماره شما پیامک خواهند نمود.


دانلود با لینک مستقیم


کتاب مقدمه ای بر تحلیل تنش و طراحی مبدل ها با استفاده از کرنش سنج

پروژه رشته زمین شناسی ارزیابی رفتار تنش – کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خود کنترل

اختصاصی از حامی فایل پروژه رشته زمین شناسی ارزیابی رفتار تنش – کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خود کنترل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه رشته زمین شناسی ارزیابی رفتار تنش – کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خود کنترل


پروژه رشته زمین شناسی ارزیابی رفتار تنش – کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خود کنترل

دانلود پروژه رشته زمین شناسی ارزیابی رفتار تنش – کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خود کنترل با فرمت ورد و قابل ویرایش تعداد صفحات 33

دانلود پروژه آماده

 

چکیده

مطالعه رفتار سنگ ها بر خلاف بعضی از مصالح مهندسی در محدوده الاستیک خلاصه نمی شود. جهت تعیین رفتار واقعی توده های سنگی، مطالعه رفتار سنگ ها در تمام مراحل بارگذاری حتی پس از نقطه مقاومت نهایی، شکست و خرابی کامل سنگ نیز امری ضروری است. به همین دلیل ارزیابی رفتار و مطالعه جامع سنگ ها در آزمایشگاه توسط دستگاههای عادی آزمایش ( که صرفاً قادر به بارگذاری سنگ تا مقاومت نهایی سنگ هستند) را نمی توان به طور کامل انجام داد و نیاز به دستگاه های پیچیده و پیشرفته و مجهز به امکانات الکترونیکی است. این نوع دستگاه ها در مکانیک سنگ تحت عنوان خود کنترل ( servo- control) مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله سعی شده است تا حدودی مکانیزم رفتاری سنگ ها در بارگذاری، کاربرد منحنی های کامل تنش- کرنش سنگ ها، انواع آزمایش هایی که توسط این نوع دستگاه ها در دنیا انجام شده است و در پایان اندرکنش ماشین- نمونه، تاثیر سختی ماشین و نمونه در بدست آوردن این نوع منحنی ها و به طور کلی اصول و کلیات دستگاه های خود کنترل به تفصیل پرداخته شود.

کلمات کلیدی: رفتار شکننده، رفتار خمید، خود کنترل، تنش. کرنش، سختی

 

 

فهرست مطالب

عنوان    صفحه
چکیده    1
رفتار شکننده و خمیری    2
مفهوم اندرکنش ماشین – نمونه (مفهوم ماشین ، نرم و سخت)     5
عامل مؤثر در شکست کنترل شده سنگها در ماشین آزمایش    8
اصول و مبانی دستگاههای خود کنترل    16
خلاصه ای از مطالعات انجام شده و نتایج حاصل از آن توسط دستگاه خودکنترل    20
نتیجه گیری    28
خلاصه و پیشنهاد    30
منابع    31

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

اختصاصی از حامی فایل دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو


دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet  با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود. اما یکی از چالش های اصلی در این میان وجود مقاومت های پارازیتی سورس و درین است.

در این پروژه، ترانزیستور ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته به عنوان ساختاری که این مشکل را مرتفع می کند مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. تونل زنی از سد شاتکی و جریان ترمویونی از سازوکارهای اصلی جریان در این افزاره است. استفاده از ساختار ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حامل ها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال سیلیسیم شده است. افزاره ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته دارای جریان حالت روشنی کمتر نسبت به ساختار متناظر با سورس / درین آلاییده شده می باشد. با افزایش درصد مولی ژرمانیم در کانال سیلیسیم / ژرمانیم، جریان حالت روشن در این افزاره بهبود می یابد. همچنین شبیه سازی ها نشان می دهند کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی در این افزاره موجب بهبود چشمگیر مشخصه های الکتریکی شده است. جریان های تونل زنی و انتشار ترمویونی از سورس به بستر، از عوامل اصلی افزایش جریان حالت خاموشی و محدودیت عملکرد این افزاره محسوب می شوند. جهت رفع این نقیصه، برای نخستین بار ساختار بدیع ماسفت با سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلیسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است به طوری که با استفاده از فناوری سیلیسیم – بروی – عایق، جریان حالت خاموشی به میزان 98% کاهش یافته است.

مقدمه:

با ساخت اولین ترانزیستور در سال 1947 میلادی، صنعت الکترونیک وارد مرحله جدیدی گردید. این فناوری در کمتر از 50 سال مرزهای میکرون را در نوردید و با عرضه تراشه Pentium IV توسط شرکت Intel با دقت ابعادی در حد دهم میکرون، عملا عصر نانو الکترونیک آغاز گردید. کاهش ابعاد ترانزیستورها از چند جنبه قابل بررسی است: افزایش سرعت یکی از مهمترین مزایای کاهش ابعاد ترانزیستورها می باشد. افزایش سرعت مدارهای مجتمع قابلیت انجام محاسبات پیچیده تر در زمان های کمتر را به وجود می آورد. ویژگی دیگری که در ساخت تراشه های مدار مجتمع مورد توجه است کاهش ولتاژ و توان الکتریکی مورد نیاز مدارهای مجتمع می باشد. امروزه کوچک بودن و قابل حمل بودن در بسیاری از سیستم های الکترونیکی مورد توجه است. تراشه های مدار مجتمع با سطح ولتاژ و جریان پایین کاربردهای وسیعی یافته اند. کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش بازدهی و کاهش قیمت تمام شده افزاره های نیمه هادی گردیده است.

روند کاهش ابعاد ترانزیستورها در ابعاد نانو مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند و موجب ضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردند.

برای رفع مشکلات فوق، در این پروژه اصول و عملکرد یک ترانزیستور اثر میدانی سورس و درین فلزی با کانال کرنش یافته مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. از آنجا که تغییر مقیاس و مجتمع سازی افزاره وابستگی شدیدی به کاهش میزان جریان نشتی دارد، برای نخستین بار ترانزیستور اثر میدانی سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است. براساس نتایج بدست آمده، به نظر می رسد این افزاره می تواند گزینه مناسبی برای کاربرد در ابعاد نانو محسوب گردد.

شامل 125 صفحه فایل pdf


دانلود با لینک مستقیم


ارزیابی رفتار تنش - کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خودکنترل

اختصاصی از حامی فایل ارزیابی رفتار تنش - کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خودکنترل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ارزیابی رفتار تنش - کرنش سنگها با استفاده از دستگاه آزمایش خودکنترل


ارزیابی رفتار تنش - کرنش سنگها با استفاده  از دستگاه آزمایش خودکنترل

فایل بصورت ورد (قابل ویرایش) و در 44 صفحه می باشد.

 

 

چکیده.......................................... 1

رفتار شکننده و خمیری........................... 2

مفهوم اندرکنش ماشین نمونه (مفهوم ماشین ، نرم و سخت)    5

عامل مؤثر در شکست کنترل شده سنگها در ماشین آزمایش   8

اصول و مبانی دستگاههای خود کنترل............... 16

خلاصه ای از مطالعات انجام شده و نتایج حاصل از آن توسط دستگاه خودکنترل............................................... 20

نتیجه گیری..................................... 28

خلاصه و پیشنهاد................................. 30

منابع.......................................... 31


دانلود با لینک مستقیم