ترانزیستور لایه نازک

اختصاصی از حامی فایل ترانزیستور لایه نازک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل یک پاورپوینت شامل 22 اسلاید در مورد ترانزیستورلایه نازک می باشد. در این 22 اسلاید مطالب زیر آورده شده است:

1)مقدمه 2)انواع ترانزیستور 3)معرفی ترانزیستور آلی(OTFT) 

 4) فیزیک کار ترانزیستور آلی

پاور پوینت فیلم های لایه نازک

اختصاصی از حامی فایل پاور پوینت فیلم های لایه نازک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

اختصاصی از حامی فایل دانلود مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مشخصات این فایل
عنوان: رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم
فرمت فایل: (قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 30

این مقاله در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم می باشد.

 

بخشی از تیترها به همراه مختصری از توضیحات هر تیتر از  رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
وسایل بکار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شکل 5.2 ارائه شده است در این روش یک محفظه واکنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم می‌شود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت قطعات تحت پوشش ترکیب شیمیایی و فشار گانه ها کنترل میشود. همانطور که قبلا اشاره شد واکنشهای هالیه فلزات مثلا با هیدروژن ،نیتروژن یا متان. بکار گرفته می‌شود تا بتوان پوششهایی مثل انواع نیترید ها یا کاربیدهای فلزات را ایجاد کرد....(ادامه دارد)

5.2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
Fither برای کاهش بیشتر درجه حرارت میتوان از فعال کردن الکترونی محیط گازی با استفاده از تخلیه (glow) استفاده کرد که این عمل با جریانهای با فرکانس بالا یا با اعمال تکنولوژی لیزر (LCVD) یا اشعه الکترونی (EA CVD) از یک محیط گازی مناسب انجام می‌شود. در فرایند کمکی پلاسما (PACVD) CVD که در آن یک تخلیه الکتریکی در گاز فشار پایین صورت می گرید تا سینک واکنشهای CVD تشدید شود. این فرایند یکی از پرمصرف ترین روشهای رسوب دهی( ترکیب شده) محسوب می‌شود. این فرایند ترکیبی از درجه حرارتهای متوسط رسوب دهی(حدود 600c) وایجاد...(ادامه دارد)

رسوب دهی فیلمهایی از الماس
The روش کمکی پلاسمای CVDبعنوان یکی از روشهای متداول برای رسوب دهی فیلمی از الماس نازک روی قطعات مطرح است. از این روشها تجزیه گازهای جاری کربن در حضور هیدروژن واغلب اکسیژن صورت می گیرد.
بعنوان مثال مخلوطی از گازهای متان، هیدروژن و دی اکسید کرین ممکن است استفاده شود.The most آخرین توسعه در ایجاد پوشش های سخت ایجاد فیلمهای الماس در فشارهای کم با استفاده از تجزیه گازهای کربن دار در حضور یونهای هیدروژن است...(ادامه دارد)

5.3 تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار
5.3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
در دهه 1980 روش رسوب فیزیکی بخار (PVD) بعنوان یک فرایند اقتصادی برای ایجاد پوششهای TiN روی ابزار کاربید ممانته مطرح شد. در مقایسه با CVD ،فرایند PVD در درجه حرارتهای نسبتا پایین رسوب دهی معمولا بین 200 تا C 500 بکار گرفته می‌شود. رسوب دهی در دماهای پایین از تشکیل فاز جلوگیری می‌کند و پوششهای عاری از ترک با دانه هایی ریزتر را ایجاد می‌کند. نتیجتا نیازی به (تیز کردن hone) لبه های ابزار قبل از فرایند پوشش دهی وجود ندارد. پوششهای PVD مزایای بسیاری از قبیل عملیات ماشین کاری و یا مواد مورد ماشینکاری نسبت به فرایند CVD داراست....(ادامه دارد)

5.3.4 پوشش دهی یونی و تکنیکهای مخلوط
سومین فرایند PVD مهم پوشش دهی یونی است که در این فرایند اتمها یا مولکولهای مواد پوشش از یک منبع داغ تبخیر شده و داخل یک تخلیه glow شده که معمولا حاوی آرگون در فشار 0.1 تا 10 پاسکال است.[3] منبع بخار ممکن است بصورت مقاومتی یا باید اشعه الکترونی گرم شود یا ممکن است برخورد قوس الکتریک به یک منبع جامد تامین می‌شود. انرژی بالای اتمها در سطح زیر لایه به همراه تفرق ناشی از برخورد یونهای آرگون باعث ایجاد یک پوشش یکنواخت چسبندگی  خوب در حین...(ادامه دارد)

کاربردهای غیرسنتی پوششها PVD
Gvlizia و همکاران [33] گزارش کرده اند که بسیاری از پوششهای PVD از سیستمهای تبخیر با اشعه الکترونی به ولتاژهای کم استفاده کرده اند که میتوان به TicN , crN,.TiN اشاره کرد که قادرند اثر معروف به لحیم کاری را که در دایکاست فشار بالا (HPDC) آلیاژهای آلومینیوم صورت میگیرد را حذف کنند. آلیاژهای مذاب تمایل دارند که با فولاد ابزار قالب بین ماهیچه وتیغچه ها واکنش انجام دهند. براساس بررسیهای صنعتی پدیده (HPDC)دیده شده که پوششهای PVD که بر روی زیر لایه های صاف و صیقلی اعمال شده اند بعنوان مانعی فیزیکی عمل کرده و از هرگونه...(ادامه دارد)

بخشی از فهرست مطالب مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم

مقدمه
5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار
5.2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD
5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
5.2.3 فرایند درجه حرارتهای متوسط (MT- CVD) CVD
5.2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
5.2.5رسوب دهی فیلمهایی از الماس
5.3تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار
5.3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
5.3.2 تکنیکهای تبخیر
5.3.3 تکنیکهای Spottering
5.3.4 پوشش دهی یونی و تکنیکهای مخلوط
5.3.5رسوب دهی پوششهای WC/C , TiAlN
5.3.6رسوب دهی پوششهای الماس و CBN
5.3.6تکنیکهای هیبریدی PVD-CVD
...(ادامه دارد)

دانلود تحقیق جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

اختصاصی از حامی فایل دانلود تحقیق جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژی

 چکیده

 در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به  بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly  اشاره نمود . مواد نانوساختاری  یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

 مقدمه

 علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .

نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها  و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .

نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.

وی معتقد بود با وجود  فقدان ابزار تجربی هیچ  گونه  مانعی  برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد . 

 علم لایه های نازک

 لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتم های ازآزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد .

درسال های اخیر ، علم لایه های نازک به عنووان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است . اهمیت پوشش ها و سنتزمواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است . امروزه این پیشرفت ها با جهش های علمی و تکنولوژیکی صنایع مایکرو الکترونیکی ، اپتیک و نانو تکنولوژی همراه گشته است . تغییرات سریع مورد نیاز درمواد و ابزار متشکل از لایه های نازک، جایگاه های جدیدی در توسعه فرآیند ها ، مواد وتکنولوژی های جدیدی را ایجاد نموده است . شکل 4 ، عناصر اصلی تاثیرگذار برعلم لایه های نازک نشان می دهد .

عمده پیشرفت های صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکرو الکترونیک می باشد . البته کاربرهای روبه رشدی نیز در لایه های  نازک اپتیکی ، مغناطیسی ، الکتروشیمی ، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن می باشند . بیشتر اکتیویته های لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان مهندسی سطح مطرح می گردد . مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی ، فصل مشترک های داخلی و مشخصه های آن ها می باشد . مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصه های سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.

 تکنولوژی لایه های نازک و نانو تکنولوژی

 افزایش تحقیقات علمی به موازات فراهم آوردن کشفیات بشری ، جهش های تکنولوژیکی حاصل از آن یافته ها را نیز به همراه دارد . تکنولوژی ، علم را از طریق استفاده از ابزار آلات علمی و حل مشکلات تحت تاثیر قرار می دهد در حالی علم با تئوری و تعیین پارامترهای  مجزای برهمکنش ها وتاثیرمتقابل آنها سبب توسعه تکنولوژی می شود . نتیجه این فرآیندهای در حال تغییر ، پیشرفت هر دوی آن ها می باشد . در حال حاضر توسعه علمی و تکنولوژیکی باعث رشد علوم نانو و نانوتکنولوژیکی گردیده است .

فاصله بین حل کردن مسائل بنیادی مواد وتوسعه ابزار لایه های نازک جدید در کاربردهای میکرو الکترونیک و نانو تکنولوژی به سرعت در حال افزایش است . به عنوان مثال در بسیاری از کاربردها ، توسعه سیستم لایه های نازک با مشکلات فرآوری و بنیادی مواد همراه است که نیاز دارد در آینده تلاش های زیادی صرف حل آن ها گردد . مثال های واضح در این مورد چسبندگی و پایداری حرارتی و اتمسفری لایه های نازک است . پیشرفت های آ ینده برای از رو برداشتن موانع در جهت مینیاتوری کردن اندازه ابزار در مقیاس نانومتری بسیار بحرانی و حساس است . تحقیقات بنیادی دراین زمینه درحوزه توسعه ابزارتجربی لازم برای مشخصه یابی

In-Situ (for example methods ELLIPSOMETRY,SPM,RHEED,

 بررسی   PLASMA-ASSISED TECHNIQUES) ساختار لایه های نازک و همچنین توسعه تکنیک های نویین سنتز و ساخت می باشد .این تکنیک ها باید قابل اطمینان تر ، ارزان تر و با قابلیت تولید لایه هایی با خواص نو و اصلاح شده باشند .

تعداد صفحات تحقیق: 20

با فرمت ورد و با قابلیت ویرایش

ساخت لایه نازک PZT بروش سل - ژل و اندازه گیری خواص آن

اختصاصی از حامی فایل ساخت لایه نازک PZT بروش سل - ژل و اندازه گیری خواص آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این مقاله ی کاربردی با فرمت Pdf ساخت لایه نازک PZT بروش سل - ژل و اندازه گیری خواص آن مورد تحقیق و پژوهش قرار گرفته است
دراین پژوهش پس از آماده سازی نمونه ها و تهیه محلول مورد نظر عملیات لایه نشانی به روش چرخشی روی زیرلایه فولاد ضدزنگ L316 انجام شده و نمونه ها پس از خشک کردن تحت عملیات حرارتی پخت قرارگرفتند پارامترهای مختلف ساخت لایه های نازک PZT به روش سل - ژل جهت دستیابی به فیلم با کیفیت مناسب و با ضخامتهای مختلف ارزیابی و بهینه سازی گردید از تصاویر SEM و آنالیز xRD برای بررسی مورفولوژی سطح و وضعیت کریستالی لایه ایجاد شده استفاده شد درضمن خواص مختلفیچون ضریب دی الکتریک تانژانت تلفات، پلاریزاسیون باقیمانده Pr و میدان مجبور کننده EC بارسم منحنی هیسترزیس P-E اندازه گیری شد نتایج اولیه بدست آمده از این مطالعه نشانداد که لایه ایجاد شده خواص مناسبی دارد.