راههای تقویت انشا نویسی در دانش آموزان

اختصاصی از حامی فایل راههای تقویت انشا نویسی در دانش آموزان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

راههای تقویت انشا نویسی در دانش آموزان

با فرمت ورد قابل ویرایش

فهرست مطالب
عنوان صفحه
چکیده 5
مقدمه 7
تعریف انشا و هدف از تدریس آن: 9
ـ تعریف علمی انشا: 9
انشا از نظر لغوی : 9
نحوه ی آموزش انشا: 10
مراحل آموزش انشا درحالت کلی : 11
ـ مراحل آموزش انشا: 11
ـ هدفهای تدریس انشا: 12
مهارت های مورد نیاز برای نگارش انشا: 13
تجدید نظر و بازنگری متن انشا: 15
روش آموزش انشا نویسی: 16
• معیار انتخاب موضوع انشا: 17
• ا قسام انشا: 20
1) انشا توصیفی یا وصفی: 20
چه نکاتی را اید در خلاصه نویسی انشا رعایت نمود؟ 24
در تصحیح انشا باید به نکات ذیل توجه نمود: 25
راه های تقویت مهارت انشا نویسی
26
• اصول آموزش انشا : 28
• دانش آموزباید: 28
• راهکارهای اجرایی جهت نگارش و نوشتن خلاق: 28
ضعف ناشنوایان انشا نویسی
36
ارائه ی روش های کاربردی برای بهبود کیفیت آموزش انشا 40
کارگاه های نوشتن به جای انشا 40
شیوه های آموزش نگارش در آموزش ابتدایی 41
برای نوشتن فعال و راه حل آن : 43
تجزیه و تحلیل داده ها 47
راهکارهای اجرایی 48
گردآوری اطلاعات شواهد 2 49
ربه ای نو در آموزش انشا 52
جمله سازی و انشاء
55
آموزش انشا در دوره ابتدایی: 56
آموزش انشاء در دوره ابتدایی 63
مراحل اجرای روش بدیعه پردازی 69
چگونگی پرورش مهارت نوشتن انشا 74
مراحل نوشتن 76
ویژگی های انشا 76
مرحله ی پیش از نوشتن 77
چگونه باشیم؟ 77
مرحله حین نوشتن 78
مواردی که در بررسی انشای دانش آموزان باید در نظر داشته باشیم 79
معیارهای ارزشیابی انشا 79
آموزش انشا 80
راهکارهایی جهت تقویت نگارش و انشا 80
هفت گام اساسی تا انشا نویسی 82
انواع انشا 84
اصول آموزش انشا 87
توصیه هایی درباره ی آموزش انشا در پایه های مختلف تحصیلی 88
نکاتی پیرامون آموزش انشا 91
انواع موضوعات انشا 93
نوشتن انشاهای خلاق 96
هدفهای آموزش انشا 97
نکات مهم در نوشتن انشا 103
پیشنهادات 109
نتیجه گیری : 110
فهرست منابع 111

چکیده
نوشتن فرصتی برای اندیشیدن ، تجسم نمودن و به خاطر آوردن است . دیدگاه مشترک درباره ی نوشتن بدین قرار می باشد ، که نوشتن برقراری ارتباط و انتقال اطلاعات و عقاید از طریق نظامی از نشانه های مکتوب است . در واقع نوشتن یک آفرینش و خلاقیت تام است که در یک طرف آن خلق افکار و اندیشه ها و در طرف دیگر نظم بخشی این اندیشه ها در قالب های زبانی مورد نظر قرار دارد .
در اقدام پژوهی حاضر مشکلاتی که در نوشتن یک انشای مطلوب بر سر راه دانش آموزان کلاس دوپایه ی اول و دوم راهنمایی مدرسه شهید کشوری روستای مسگر وجود داشت شناسایی گردید سپس با توصیف وضعیتی که دانش آموزان و معلم در آن قرار داشتند و گردآوری شواهد 1 مسئله شفاف سازی شده ، با روش هایی گوناگون که با توجه به مشکلات متعدد نگارشی ، صرفی و نحوی دانش آموزان به کار گرفته شده بود تا حدود زیادی موانع برطرف و افق های جدیدی برابر چشم دانش آموزان برای نوشتن انشا باز گردید و این از بازخورد رفتار دانش آموزان و بررسی انشاهای آنان روشن گردید در نهایت یافته های زیر از این پروژه حاصل شد :
1- انجام فعالیت های گروهی باعث افزایش علاقه مندی دانش آموزان به درس وایجاد رقابت سالم دربین آنها می گردد .
2- به کار بردن لوازم ومواد آموزشی و استفاده ی مناسب از کتابخانه باعث عینی تر شدن مطالب وافزایش یادگیری می گردد .
3- انجام فعالیت های عملی در جریان آموزش علاوه بر تقویت رابطه ی عاطفی بین معلم ودانش آموزان کلاس را از حالت خسته کنندگی خارج کرده ،آن را ، هم برای معلم و هم برای دانش آموزان لذت بخش تر می نماید .

واژه های کلیدی : اقدام پژوهی ، انشا ، روش های نوین ، مقطع راهنمایی ، یادگیری

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز

اختصاصی از حامی فایل طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

 

 

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز

 

فرمت PDF

تعداد صفحات 269

پایان نامه ارشد برق روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی

اختصاصی از حامی فایل پایان نامه ارشد برق روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو افزایش یافته است. در بسیاری از کاربردهای مایکروویو غالباً تقویت کننده هایی با پهنای باند وسیع مورد نیاز می باشد. یکی از مدارهایی که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند استفاده می شود، مدار تطبیق راکتیو است. در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریبا غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد. در روش جدید ارائه شده، ابتدا پارامتری به نام خطای تطبیق برای کنترل تغییرات بهره در طول باند تعریف می شود. آنگاه، رابطه ای برای محاسبه خطای تطبیق براساس المان های مقدار تطبیق و پارامترهای S ترانزیستور در فرکانس های باند طراحی استخراج می گردد. سپس به منظور بهینه سازی خطای تطبیق از الگوریتم ژنتیک و الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات استفاده می شود. به منظور بررسی کارایی روش جدید پیشنهاد شده، مدار تطبیق خروجی چندین تقویت کننده با استفاده از روش های تطبیق جبران سازی شده و روش پیشنهاد شده طراحی گردید. نتایج نشان داد زمان طراحی و خطای تطبیق به طور چشمگیری کاهش یافته اند. همچنین سرعت همگرایی الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات بسیار بهتر از الگوریتم ژنتیک بود. در نهایت به عنوان یک نمونه موردی، برای بررسی تغییرات بهره در طول باند طراحی، تقویت کننده ای با روش جدید طراحی و توسط برنامه AWR شبیه سازی شد. این شبیه سازی کارایی روش جدید و تغییرات کم بهره در طول باند را ثابت کرد.

مقدمه

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو برای سیستم های مخابراتی افزایش یافته است و مدارهای فعال و غیرفعال مایکروویوی برای سیستم های مخابرات بیسیم به شدت پیشرفت نموده است. تقویت کننده های مایکروویو یکی از حساس ترین مدارهای فعالی است که در کاربرد سیستم ها استفاده می شود.

طراحی تقویت کننده های مایکروویو با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای مجتمع مایکروویوی یا مدارهای مجتمع مایکروویوی یکپارچه، در تمام زیر سیستم های ساخته شده برای کاربردهای بیسیم مایکروویو به طور وسیع استفاده می شود. مشخصات تقویت کننده ها به کاربرد آنها وابسته است و طراحی تقویت کننده ها با توجه به کاربرد آنها متفاوت می باشد. مثلاً یک فرستنده مخابراتی بیسیم به یک تقویت کننده رادیویی با توان خروجی زیاد نیاز دارد اما، یک گیرنده مایکروویو به تقویت کننده ای با بهره بالا نیازمند است که سیگنال دریافتی را بدون افزودن هیچ گونه نویزی تقویت نماید. مشخصات گیرنده های مایکروویو بسیار به کاربرد آنها وابسته است. مثلا ممکن است گیرنده های مخابراتی فقط به یک باند باریک اما، قابل تنظیم نیاز داشته باشند در حالی که، گیرنده های رادارهای تجاری به یک فرکانس ثابت با پهنای متوسط (متناسب با معکوس پهنای پالس) نیازمندند. به هرحال سیستم های جنگ الکترونیک و مخابرات نوری به پهنای باند زیادی نیاز دارند. پهنای باند زیاد در سیستم های جنگ الکترونیک برای اصلاح فرکانس های غیر قطعی منتشر شده و در سیستم های مخابرات فیبر نوری برای افزایش نرخ انتقال دیتا استفاده می شود.

فلسفه طراحی تقویت کننده های پهن باند، به دست آوردن بهره ای هموار در سرتاسر باند فرکانسی تعیین شده می باشد.

مشکلاتی که ممکن است در طراحی این نوع تقویت کننده ها با آنها مواجه شویم، عبارتند از:

– تغییرات IS21I و IS12I با فرکانس. به عنوان مثال، IS21I با فرکانس به نرخ 6 دسیبل بر اکتاو کاهش می یابد و IS12I با فرکانسی با همین نرخ، افزایش می یابد.

– پارامترهای پراکندگی S11 و S22 نیز، به فرکانس وابسته می باشند و تغییرات ایجاد شده در آنها در طیف گسترده ای از فرکانس ها حائز اهمیت می باشد.

– در برخی از دامنه های فرکانسی تقویت کننده پهن باند، می توان شاهد افت عدد نویز و VSWR بود.

اساساً تقویت کننده های توان پهن باند در مقایسه با تقویت کننده های توان باند باریک دارای توان راندمان افزوده کمتری تقریباً بین 8 تا 19 درصد هستند زیرا، طراحی تقویت کننده با هدف ماکزیمم کردن توان خروجی بر روی یک باند چند اکتاوی بازده را تحت تاثیر قرار می دهد.

رایج ترین و بهترین روش های مداری که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند در تکنولوژی هایبرید و یکپارچه استفاده می شود عبارتند از:

– مدار تطبیق راکتیو

– مدار توزیعی موج متحرک

– مدار فیدبک

– مدار تطبیق تلفاتی.

این روش ها در فصل اول بررسی خواهند شد.

در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریباً غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد.

تعداد صفحه : 152

سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB

اختصاصی از حامی فایل سمینار ارشد برق بررسی عملکرد تقویت کننده کم نویز CMOS در باند بسیار زیاد UWB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده : . .................................................................................................................................................................................... 1
مقدمه: ....................................................................................................................................................................................... 2
تاریخچه : .................................................................................................................................................................................. 4
فصل اول: سیستمهای باند فرا پهن . ..................................................................................................................................... 5
فراپهن باند در مقایسه با باند باریک ................................................................................................................................... 6
فرستنده ها ............................................................................................................................................................................... 9
گیرنده ها .................................................................................................................................................................................. 9
فصل دوم : تقویت کننده کم نویز و ساختارهای مختلف آن . ........................................................................................ 11
روش اول: ............................................................................................................................................................................... 12
روش دوم:............................................................................................................................................................................... 13
فصل سوم : تکنولوژیهای نیمه هادی تقویت کننده های کم نویز باند فراپهن . .......................................................... 15
16 ........................................................................................................................................... . SiGe یک مثال برای ساختار
18 ................................................................................................................................................................................. . CMOS
18 ............................................................................................................................................................ . CMOS ساختار 1
22 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 2
24 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 3
26 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 4
29 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 5
32 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 6
35 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 7
38 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 8
و
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
41 ......................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 9
44 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 10
46 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 11
49 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 12
51 ...................................................................................................................................................... . CMOS ساختار 13
مقایسه ساختارهای بررسی شده : .................................................................................................................................... 54
های ارائه شده برای باند فراپهن . .................................................................... 56 MMIC فصل چهارم : ترانزیستورها و
57 ................................................................................................................................................... (AVAGO) HP شرکت
58 ................................................................................................................................................................ . ATF‐34143
59 ................................................................................................................................................................... Hittite شرکت
59 .......................................................................................................................................................... HMC‐ALH444
60 .......................................................................................................................................................... HMC753LP4E
61 ............................................................................................................................................................. HMC772LC4
فصل پنجم : نتیجه گیری . ................................................................................................................................................... 63
منابع و ماخذ .......................................................................................................................................................................... 65
فهرست منابع فارسی ............................................................................................................................................................ 65
فهرست منابع لاتین .............................................................................................................................................................. 66
سایتهای اطلاع رسانی . ....................................................................................................................................................... 67
چکیده انگلیسی

پایان نامه ارشد برق آنالیز، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های مایکروویو با فاز خطی و پهنای باند بسیار بالا با پاسخ فرکانسی دلخو

اختصاصی از حامی فایل پایان نامه ارشد برق آنالیز، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های مایکروویو با فاز خطی و پهنای باند بسیار بالا با پاسخ فرکانسی دلخواه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

هدف از انجام این پروژه دستیابی به تقویت کننده ای با حاصل ضرب گین در پهنای باند بزرگتر با بهینه سازی روش های موجود و حتی الامکان تلاش برای یافتن راهکارهای جدید بوده و از مهمترین مسائل مورد توجه همواری و خطی بودن اندازه و فاز بهره در سراسر پهنای باند است.

در فصل اول این گزارش مروری بر تقویت کننده های پهن باند با تأکید بیشتر بر تقویت کننده های گسترده موج متحرک ارائه شده و سپس رویه کلاسیک طراحی یک تقویت کننده گسترده موج متحرک که پایه و اساس تمام کارهای بعدی در این زمینه می باشد، به تفصیل بیان شده است. فصل دوم شامل سایر روش های طراحی و متدهای مهم بهینه سازی تقویت کننده های گسترده موج متحرک می باشد. یکی از مهمترین نیازهای یک تقویت کننده گسترده زیرساخت ادوات نیمه هادی (ترانزیستور)، زیرلایه مورد استفاده برای مدار، خطوط انتقال و در نهایت نحوه پیاده سازی و ساخت مدار است. بدین معنی که اولاً باید بتوانند در سراسر پهنای باندی که تقویت کننده گسترده در آن کار می کند (چند ده گیگا هرتز) عملکرد مطلوبی ارائه دهند یعنی حداقل ممکن حساسیت را به تغییرات فرکانس داشته باشند. خطوط انتقال به کار رفته (مایکرواستریپ، CPW و غیره) نیز باید حداقل پراش، تلفات و تفاوت فاز را به مدار تحمیل نمایند. زیر لایه ای که مدار روی آن پیاده سازی می شود نباید در فرکانس های بالا از خود اثرات تخریبی از جمله اتلاف و تضعیف سیگنال بروز دهد. در نهایت پیاده سازی مدار باید با حداقل ممکن طول و تعداد اتصالات انجام شود که تکنولوژی فلیپ چیپ و CSP برای این کار پیشنهاد می شود. به دلیل اهمیت و تأثیر زیاد این مسائل زیرساختی که از اولین مراحل طراحی گرفته تا شبیه سازی و ساخت یک DA کاملاً نمایان هستند، فصل سوم را به بحث پیرامون این موضوعات اختصاص داده ایم. تا اینجا مطالب لازم برای ایجاد دید روشن از مسئله کاملاً در گزارش درج شده است.

فصل آخر با طراحی مدار اولیه به روش کلاسیک آغاز و در ادامه روش نوینی برای بهینه سازی عملکرد مدار ارائه شده است. روش ساده ای که بدون افزودن حتی یک المان به مدار اولیه در عین بهبود گین از نقطه نظر اندازه و هموار بودن و نیز افزایش پهنای باند، عدد نویز را هم کمتر می کند و این همه فقط به قیمت افزایش بسیار کم تأخیر گروهی رخ می دهد. در ضمن با اضافه کردن فقط یک ترانزیستور دیگر به خروجی مدار به شکل تقویت کننده درین – مشترک و ایجاد تطبیق به یک روش خاص (استفاده از سلف هائی هم اندازه آخرین سلف مدار قبلی) اندازه گین باز هم افزایش یافته است. روشی که در نوع خود جدید است.

در نتیجه با استفاده از این سه مورد نوآوری به تقویت کننده ای دست یافته ایم که اندازه بهره آن به طور متوسط 10dB نسبت به مدار کلاسیک بالاتر است و با توجه به اینکه بهره مدار کلاسیک در بالاترین حد خود 7/4273dB می باشد پس اندازه بهره بیش از 130 درصد بهبود یافته. عدد نویز در تقویت کننده کلاسیک از 3/7dB در فرکانس های پایین شروع می شود. سپس در فرکانس 43/4GHz به حداقل مقدارش یعنی 3/1dB می رسد. در حالی که در تقویت کننده جدید عدد نویز از 3/5dB در فرکانس های پایین شروع می شود، در فرکانس 31GHz به حداقل مقدارش یعنی 1/343dB می رسد و تا فرکانس 48/34GHz از مورد کلاسیک کمتر است. یعنی در پهنای باند بیش از 48GHz به طور متوسط بیش از 1dB بهبود عدد نویز (معادل با حدوداً 33 درصد بهینه سازی عدد نویز).

بهره تقویت کننده کلاسیک در فرکانس 1GHz در بالاترین حد خود یعنی 7/4273dB قرار دارد و در فرکانس حدود 32/5GHz به 4/42dB می رسد. یعنی پهنای باند 3dB تقویت کننده کلاسیک برابر 32/5 گیگا هرتز است. ولی گین تقویت کننده جدید در 1GHz برابر 8dB است و در 58/7GHz به 5dB می رسد. پس پهنای باند از 32 به 58 گیگاهرتز رسیده است. یعنی بهبودی معادل 81/2 درصد در پهنای باند.

نکته جالب توجه دیگر این است که روش جدید، در عین اینکه عملکرد تقویت کننده را در سراسر پهنای باند فرکانسی از پایین ترین تا بالاترین بسامد بهبود می بخشد، در فرکانس های میانی (با بیش از 30GHz پهنای باند میانی از 17GHz تا 48GHz) پاسخی نزدیک به یک حالت ایده آل از خود بروز می دهد. با قرار دادن یک فیلتر میان گذر در این محدوده فرکانسی تقویت کننده گسترده میان گذری با گین بالا و هموار و عدد نویز پایین حاصل شد.

پس از آن برای دستیابی به پاسخ پایین گذر هموارتر، بخش های آخر فصل چهارم به روش های غیرکلاسیک طراحی DA می پردازد. در این قسمت با استفاده از دو متد مختلف، تقویت کننده های گسترده ای با پاسخ پایین گذر طراحی شده اند و بعد با بهینه سازی پاسخی بسیار هموار در محدوده فرکانس پایین به دست آمده است. نکته ارزشمند در طراحی این تقویت کننده ها اعمال عملکرد فیلتر پایین گذر به ساختار خود DA و کوچک سازی مدار است.

در نهایت پس از نتیجه گیری، پیشنهادی مبنی بر اجرای یک پروژه با همکاری گروهی متخصصان تقویت کننده های گسترده از یک سو و ادوات نیمه هادی از سوی دیگر با هدف طراحی و ساخت DAهای پیشرفته در ایران ارائه شده است. پیشنهاد دوم طراحی و بهینه سازی فیلتر میان گذری است که بین 17 تا 48 گیگاهرتز دارای پاسخ ایده آلی با حداکثر درجه همواری گین و حداقل تلفات باشد.

تعداد صفحه : 115

و.............................................