حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ابتکارات فردی سنجش و ارزشیابی پاداش و تشویق و تقویت در امر آموزش که باعث پیشرفت دانش آموزان در امر یادگیری می گردد.

اختصاصی از حامی فایل ابتکارات فردی سنجش و ارزشیابی پاداش و تشویق و تقویت در امر آموزش که باعث پیشرفت دانش آموزان در امر یادگیری می گردد. دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ابتکارات فردی سنجش و ارزشیابی پاداش و تشویق و تقویت در امر آموزش که باعث پیشرفت دانش آموزان در امر یادگیری می گردد.


ابتکارات فردی سنجش و ارزشیابی پاداش و تشویق و تقویت در امر آموزش که باعث پیشرفت دانش آموزان در امر یادگیری می گردد.

دانلود ابتکارات فردی سنجش و ارزشیابی پاداش و تشویق و تقویت در امر آموزش که باعث پیشرفت دانش آموزان در امر یادگیری می گردد.  بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 18

مقدمه کوتاه  :

شاید برای عده ای تصور اینکه بتوان در مدرسه ای از تشویق استفاده کرد کمی دشواراست اما واقعیت این است که می توان در سنگر مدارس شاهد حضور با شکوه معلمان وشاگردانی بود که با سرمایه از محبت وچهره های متبسم ومصصم در تلاش هستند که در کارهای خود موفق بوده اند. پس باید رنگ مدرسه ای یادآور زیبائیها ونیکوئیها باشد. چرا که هم انسانها بالاخص نوجوانان محبت پذیر می باشند. ولذا نیاز به محبت از اساسی ترین نیازهای هر انسان می باشد. تشویق نیروها واستعدادهای دانش آموزان را به کار می اندازد واستقامت آنها را در کارها زیاد می کند وموجبات سرعت در کارهای بدنی را فراهم می کند ودر کارهای فکری موجب سعی وکوشش بیشتری  می گردد  تشویق وتقویت رفتار مثبت کودکان سبب شکل گیری عادات مطلوب در آنان می شود. به عبارت دیگر از آنجا که از طریق رفتارهای تشویق آمیز کلامی وغیر کلامی مادی وعنوی فردی وگروهی مستقیم وغیر مستقیم مربی بیش از هر چیز به یک نیاز هم نوجوانان یعنی نیاز به محبت متعلق وتوجه پاسخ داده می شود. ما شاهد بیشترین مؤثرترین وپایدارترین اثر در رفتار آنان هستیم در حالی که وقتی دانش آموزی را تنبیه می کنیمن نه تنها به هیچ یک از نیازهای خطری واساسی او پاسخ نمی دهیم بلکه تعادل حیاتی اش را برهم زده او را با تجربه ناخوش آیندی که همواره ازآن گریز دارد مواجه می کنیم ولو اینکه بطور موقت رفتار مطلوب آن را کنترل کرده باشیم  رسول خدا پایه رفتار با کودکان و نوجوانان را بر محبت استوار کرده وسفارش می کند که آنان را گرامی بداریم وبا جایزه ای که امکان وفایش هست انان را تشویق نمائیم.  استفاده ازروش تشویق ومحبت یکی از روشهای تربیتی بسیار مؤثر ونشانه صدر ونقش مطمئنه داشتن فرد است. خدای تعالی رمز پیروزی پیامبر اکرم (ص) رادر همین شرح صدور محبت ورزی پیامبر به امت خود می داند : به موجب لطف ورحمت الهی برایشان اموزشی نجواه وبا انان مشورت کن ( وبه آنان شخصیت بده )  کودک اگر از لحاظ درسی واخلاقی در سطح غیر قابل قبولی باشد باید نقطه مثبتی در وضع رفتار وظاهر او یافت وازآن بعنوان جای پای برای تشویق وی استفاده کرده مثلا ممکن است دستهایش لطیف واز آن بعنوان جای پای برای تشویق وی استفاده کرده مثلا ممکن است دستهایش لطیف ویا موی سرش اصلاح شده ومرتب باشد همچنین ممکن است به تمیزی کفشهایش اهمیت بده ویا دفتر وکتاب خودرا خوب نگه داری کند. به هر حال باید از همان نقطه مثبت و روزنه کوچک نوری به زندگی تحصیلی کودک تابیده شخصیت قابل قبولی از او ساخت وزندگی جدیدی را برایش پی ریزی کرد. سرگرمیها وعلائق کودک نیز نباید از نظر معلم دور نماید 

بیان وضعیت موجود       

اینجانب  ...... سال سابقه تدریس در آموزش و پرورش هستم.  امکانات مدرسه در حد محدود  بوده  و وسایل آموزشی به ندرت دیده می شد . والدین اغلب کشاورز و  دامدار بو دند و   در ابتدای  سال تحصیلی  فرصتی  برای رسیدگی به امور تحصیلی فرزندشان نداشتند . دانش آموزان در حالی که مشتاق به نظر می رسیدند ازامکانات زیادی  برخوردار نبودند  با توصیف چنین شرایطی تصمیم گرفتم در حد امکان از تمام امکانات برای رشد و پیشرفت دانش آموزان استفاده نمایم و تحولی در امر ارزشیابی بوجود آورم.      حدود سه ماه از شروع  سال تحصیلی گذشته بود. پس از چندین جلسه تدریس  . درباره پیشرفت دانش آموزان نگرانی هایی احساس کردم . به نظر می رسید   بعضی ازدانش آموزان در فعالیت های کلاسی شرکت جدی نداشتند و نمی توانستند  درس های  تدریس شده  قبلی را بخوانند   بنا به اهمیت موضوع تصمیم گرفتم با انجام مطالعات بیشتر و تحول در ارزشیابی سطح دانش و معلومات دانش آموزان را بالا ببرم.


دانلود با لینک مستقیم


زمین شناسی (زمین های تقویت شده)

اختصاصی از حامی فایل زمین شناسی (زمین های تقویت شده) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

زمین شناسی (زمین های تقویت شده)


زمین شناسی (زمین های تقویت شده)

فایل بصورت ورد (قابل ویرایش) و در 26 صفحه می باشد.

 

خلاصه: یک ساختمان تقویت شده با طول 215 متر و ارتفاع 19 متر در  Iserlohn ساخته شده است. ساختمان در جاده 46A قرار داشته در پایه دارای ابعادی به شرح ذیل می باشد. ارتفاع 7/16 ، پهنای 2/11 محاسبات طراحی بوسیله  صورت پذیرفته است. طراحی بنا بر صورت می پذیرد. دیواره تکمیل شده دارای زاویه شیب 80 درجه می باشد این مقاله نگرش طراحی و جزئیات ساخت را تشریح می نماید. این موارد شامل زمان ساخت،‌نحوه نصب، جزئیات پیرامون ساختار سطح آن می باشد.

نتایج محاسبات تخریب در طی دوره 2 ساله پس از ساخت مد نظر قرار می گیرد.

کلمات کلیدی: مورد مطالعه - خاکریزها - تسطیح - شبکه های زمین - کنترل


مقدمه

در سال 1997 یک اداره مرکزی جدید در Iserlobhm طراحی گردید. ساختار آن بگونه ای بود که دارای یک شیب خاص در جهت شمال بود. محل آن از غرب به خط راه آهن از شمال به جاده 46A منتهی می گردید. تفاوت سطح در مرزهای شمالی و جنوبی 17 متر بود. هدف ساختار حفاظت از ساختمان جدید در برابر شلوغی خیابان 46 A بود در عین حال محل پارک مناسبی را ایجاد می نمود. که در شکل 1 نشان داده شده است.


دانلود با لینک مستقیم


آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD

اختصاصی از حامی فایل آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD


 آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD
 
 
 
 
آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD

Analysis and simulation of single stage small signal
microwave amplifier with the FDTD method





فهرست مطالب:
چکیده......................................................................................................... 1
FDTD فصل اول : معرفی روش
در معادلات ماکسول............................................................................ 6 FDTD -1 تاریخچة تکنیک -1
و تکنیک های حوزة زمان شبکة مکانی مربوطه .......................................... 7 FDTD -2 مشخصه -1
در یک بعد............................................................................................................................. 8 FDTD -3 -1
14.................................................................................................................. FDTD -4 پایداری در روش -1
-5 تعیین اندازه سلول................................................................................................................................ 14 -1
در فضای آزاد............................................................. 15 FDTD -6 شبیه سازی در سه بعد به روش -1
-7 خواص الکترومغناطیسی در مرز بین دو سلول............................................................................... 17 -1
18..................................................................................................................... PML -8 لایه تطبیق کامل -1
FDTD فصل دوم : مدل کردن عناصر فشرده پسیو و اکتیو با استفاده از روش
-1 عناصر فشردة خطی.............................................................................................................................. 27 -2
-1 مقاومت............................................................................................................................................... 29 -1 -2
-2 منبع ولتاژ مقاومتی......................................................................................................................... 30 -1 -2
-3 خازن................................................................................................................................................... 32 -1 -2
-4 سلف.................................................................................................................................................... 32 -1 -2
-5 سیم یا اتصال.................................................................................................................................... 33 -1 -2
-2 مدل کردن عنصر فشرده در بیش از یک سلول............................................................................. 33 -2
-3 مدل کردن عناصر اکتیو...................................................................................................................... 37 -2
بسط یافته.................................................................................................................... 39 FDTD -4 روش -2
-5 مدل گلوبال............................................................................................................................................ 41 -2
-6 روش منبع جریان معادل .................................................................................................................... 48 -2
-1-6 فرمول بندی روش منبع جریان معادل....................................................................................... 49 -2
-2-6 دستگاه های اکتیو خطی............................................................................................................... 53 -2
-3-6 دستگاه اکتیو غیر خطی................................................................................................................. 56 -2
فصل سوم : تقویت کننده مایکروویوی
-1 عناصر مداری مایکروویو........................................................................................................................ 61 -3
-1 مدارات عنصر فشرده....................................................................................................................... 61 -1 -3
-2 مدارات خط توزیع شده.................................................................................................................. 61 -1 -3
-2 تطبیق شبکه های مایکروویو ............................................................................................................ 61 -3
-3 تقویت کننده های مایکروویو............................................................................................................ 61 -3
-1 تقویت کننده های مایکروویوی از نظر ساختار........................................................................ 62 -3 -3
-2 تقویت کننده های مایکروویوی از نظر ساختار مداری........................................................... 62 -3 -3
-3-3 تقویت کننده های مایکروویوی از نظر عملکرد......................................................................... 62 -3
-4 تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی................................................................................................ 65 -3
67.................................................................................................... MESFET -5 مدل سیگنال کوچک -3
-1 اندوکتانس های پارازیتیک.............................................................................................................. 67 -5 -3
-2 مقاومت های پارازیتیک.................................................................................................................. 68 -5 -3
-3 خازن های درونی............................................................................................................................... 68 -5 -3
69................................................................................................................................... Ri -4 مقاومت با ر -5 -3
-5 ضریب هدایت متقابل........................................................................................................................ 69 -5 -3
-6 زمان گذر ............................................................................................................................................. 69 -5 -3
-7 مقاومت خروجی................................................................................................................................. 70 -5 -3
فصل چهارم : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده
-1 طراحی تقویت کننده سیگنال کوچک............................................................................................. 73 -4
-1 شبکه تطبیق خروجی..................................................................................................................... 76 -1 -4
-2 شبکه تطبیق ورودی....................................................................................................................... 77 -1 -4
-2 مشخصات خط مایکرواستریپ........................................................................................................... 78 -4
در شبیه سازی...................................................................................... 80 FDTD -3 مشخصات شبکه -4
-4 مدل سازی عنصر فعال........................................................................................................................ 80 -4
-1 مدل منبع جریان............................................................................................................................. 85 -4 -4
-2 مدل منبع ولتاژ................................................................................................................................ 89 -4 -4
92...................................................................................................................... S -5 محاسبه پارامترهای -4
-6 پروسه شبیه سازی................................................................................................................................ 94 -4
نتیجه................................................................................................................................................................... 100
پیوست........................................................................................................ 101
منابع و ماخذ................................................................................................. 102
چکیده انگلیسی.............................................................................................. 106


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق تقویت دیوار ها

اختصاصی از حامی فایل تحقیق تقویت دیوار ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق تقویت دیوار ها


تحقیق تقویت دیوار ها

 

 

 

 

 



فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:14

فهرست مطالب:

مقدمه
روش تقویت
نمونه آزمایش
مقدمه چینی تست
مکانیزم گسیختگی
تقویت یک سمت
تقویت کردن دو سمت دیوار
تجزیه و تحلیل نتایج آزمایش
نتیجه گیری
منابع

 

 

تقویت برشی دیوارهای چینه URM بوسیله سیستم های FRP
S.GRANDO  , M.R.VALLUZZI
واحد آموزشی مهندسی حمل و نقل و ساختمان ، دانشگاه پادوا
VIAMARZOLO – 9 – 35131 پادوا ، ایتالیا
A.NANNI , J.G. TUMIA  
مرکز تحقیقات مهندسی زیر سازه
      65409-00300 ، آمریکا Mo , Rolla , Minercircle
این مقاله یک برنامه آزمایشی را ارائه می دهد که به موضوع تقویت برشی به وسیله سیستم های FRP دیوارهای URM ساخته شده با واحدهای رسی می پردازد. پنج پانل بنایی رسی با ترکیب FRP به شکل ورقه ها و میله ها تقویت شده و به منظور لحاظ کردن عملکرد برش آنها در طول قطر دیوار بارگذاری شدند. ابعاد پلانهای بنایی m22/1*22/1 و به ضخامت mm120 بودند. از تکنیکهای گزارش شده ساختمانی برای میله ها استفاده می شود. این تکنیک شامل قراردادن میله های FRP در مفصل های بستر بنایی است. از سوی دیگر، برای ورقه ها از تکنیک قراردادن دستی استفاده می شود. نتایج، کارآیی عملکرد برش در حال افزایش دیوارهای چینه URN را برحسب ظرفیت و شکل پذیری ظاهری نشان می دهند.


مقدمه:
وقتی بار پلان بر روی دیوار کشیده شده اعمال شود، ظرفیت نهایی را میتوان به آسانی به دست آورد و دیوار URM فرو می ریزد. تأثیر اصلی این نوع بار عبارت است از تنش برشی که بوسیله ترکهای موجود در سراسر طول و با امتداد گسیختگی برش قابل تشخیص است. بعد از باز شدن ترک، دیوار کل ظرفیت خود را از دست داده و میتواند به آسانی به زیر و خارج از بار پلان فرو بریزد و زندگی انسان را به مخاطره بیاندازد. به این دلیل، پیش گیری و مهار این نوع گسیختگی دارای اهمیت است.
استفاده از سیستم های FRP میتواند جواب قانع کننده ای برای این مشکل باشد. با استفاده از ترکیبات FRP، افزایش ظرفیت نهایی دیوار بدون اضافه کردن وزن و سختی آن با اجتناب از پیامدهای خطرناک ناشی از حوادث زمین لرزه ای ، امکان پذیر است.
علاوه بر این، به واسطه استفاده از FRP ، سود زیبایی شناختی ساختمانی و منطقی وجود دارد، که عبارتند از حداقل اتلاف فضای مفید و با یک گچکاری میتوان مصالح تقویت کننده ساختمان را مخفی کرد.
توصیف مصالح ساختمان (مواد کار)
آزمایشات تجربی برای توصیف خصوصیات مکانیکی مصالح ساختمان بکار رفته در این بررسی، به نتیجه رسیدند. متوسط تاب فشردگی آجرهای رسی بنایی حاصل از آزمایش منشور.


دانلود با لینک مستقیم