مقاله تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی

اختصاصی از حامی فایل مقاله تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی

این فایل در قالب Word قابل ویرایش، آماده پرینت و ارائه به عنوان پروژه پایانی می باشد

قالب: Word

تعداد صفحات: 38

توضیحات:

تأخیر CNTFET با CNTهای غیر رسوبی توسط تنظیم عرض دروازه ورودی

چکیده: این مقاله مربوط به عملکرد لوله‌های نانوکربنی ترانزیستور اثر فیلد (CNTFET) در حضور CNTهای غیر رسوبی به عنوان نقص می‌باشد. یک تجزیه و تحلیل مبتنی بر شبیه‌سازی تنزل تأخیر به دلیل ویژگی‌های مختلف (مانند کایرالیتی و توزیع CNT معیوب) از ابتدا دنبال شده است. دو راه حل برای کاهش تغییر در تأخیر ارائه شده است. این روش­ها بر تنظیم عرض دروازه CNTFET توسط لیتوگرافی (و از بین بردن CNTها) به عنوان بخشی از فرآیند ساخت استوار شده است. این دو روش، تأخیر متوسط و انحراف آن را به ترتیب، کاهش می‌دهد. سپس، تجزیه و تحلیل تأخیر در قالب احتمالات ارائه شد. عملکرد دو روش تنظیم پیشنهادی توسط ویژگی‌های CNT (مانند کایرالیتی و توزیع نقص)، شبیه‌سازی و روش‌های مبتنی بر احتمالات، مورد بررسی قرار گرفته است. توسط شبیه‌سازی قطعی (احتمالاتی)، اولین روش، به طور متوسط تأخیر را در حدود 6.968% (7.811%) کاهش می‌دهد؛ در حالی که انحراف، در حدود 32.444% (9.788%) افزایش (کاهش) می‌یابد. روش دوم، قطعی (احتمالاتی) به طور متوسط، انحراف را در حدود 44.159% (47.476%) با 2.166% (4.409%) کاهش تأخیر، می‌کاهد.

کلمات کلیدی: مدل‌سازی نقص. CNT.CNTFET. تولید. تکنولوژی‌های نوظهور