حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

شناسایی نوع، علل و مکانیزم آسیب¬های رایج در هندبالیست¬های نیمه حرفه¬ای 17 تا 20 سال با تأکید بر پست بازی

اختصاصی از حامی فایل شناسایی نوع، علل و مکانیزم آسیب¬های رایج در هندبالیست¬های نیمه حرفه¬ای 17 تا 20 سال با تأکید بر پست بازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شناسایی نوع، علل و مکانیزم آسیب¬های رایج در هندبالیست¬های نیمه حرفه¬ای 17 تا 20 سال با تأکید بر پست بازی

به صورت ورد ودر92صفحه

چکیده:

آسیب عاملی مخرب در موفقیت ورزشکار بحساب می¬آید و شناسایی آسیب به پیشگیری و کاهش آن کمک می¬کند. ورزش هندبال یک رشته¬ی پرطرفدار بوده و همواره با پدیده آسیب همراه می¬باشد. هدف این تحقیق، شناسایی نوع، علل و مکانیزم آسیب¬های رایج در هندبالیست¬های نیمه حرفه¬ای 17 تا 20 سال با تأکید بر پست بازی بود. نمونه¬های تحقیق را 103 نفر (53 پسر و 50 دختر) از هندبالیست¬های جوان 17 تا 20 سال تشکیل دادند که بصورت تصادفی در دسترس از بین باشگاه¬های ورزشی هندبال استان تهران انتخاب شدند. برای جمع¬آوری اطلاعات از پرسشنامه¬ای شامل دو بخش، اطلاعات فردی (سن، قد، وزن و سابقه فعالیت) و استاندارد گزارش آسیب بر گرفته از طب ورزش استرالیا استفاده شد. برای وصف اطلاعات از آمار توصیفی میانگین، انحراف استاندارد، فراوانی و درصد فراوانی و آمار استنباطی خی¬دو تک نمونه¬ای به منظور تعیین تفاوت معنادار بین نوع، علل و مکانیزم آسیب در پست¬های مختلف استفاده شد. نتایج نشان داد که بیشترین شیوع آسیب در پسران و دختران در پست¬های مختلف بازی آسیب¬های عضلانی-تاندونی و مفصلی است درحالی¬که آسیب¬های استخوانی و پوستی در مراتب بعدی قرار گرفتند. آسیب پذیرترین قسمتِ اندام فوقانیِ پسران در آسیب¬های عضلانی-تاندونی شانه، انگشتان و کف دست و بازو و در دختران شانه، باز و آرنج بود. آسیب پذیرترین قسمتِ اندام تحتانیِ پسران و نیز دختران در آسیب¬های عضلانی-تاندونی، مچ پا و سپس زانو و کشگک بود. فشار مداوم بیش از حد، بیشترین علت تکرار شونده آسیب در پستهای مختلف و ضربه مستقیم و استفاده بیش از حد از یک عضو بیشترین مکانیزم¬های آسیب زا در پسران و دختران شناخته شدند.


دانلود با لینک مستقیم


شناسایی نوع، علل و مکانیزم آسیب¬های رایج در هندبالیست¬های نیمه حرفه¬ای 17 تا 20 سال با تأکید بر پست بازی

نرم افزار نیمه کاره ارتقا

اختصاصی از حامی فایل نرم افزار نیمه کاره ارتقا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
نرم افزار نیمه کاره ارتقا

این نرم افزار قرار است پس از تکمیل در مارکت ها با قیمت گذاری 1000 تومن منتشر شود.

با خرید این محصول به نصف قیمت می توانید از مطالب فعلی استفاده کرده و تا انتشار در مارکت ها منتظر شوید.در ضمن با اینکار از تیم برنامه نویسی حمایت می کنید تا بتوانند برنامه را منتشر کنند.

*پس از خرید این برنامه برای بروزرسانی باید از مارکت ها اقدام کنید که چون از قبل نرم افزار روی موبایل شما نصب شده است مارکت ها هیچگونه هزینه در قبال بروزرسانی از شما نمی گیرند.

 

محتوای این نرم افزار عبارت است از:

تقویت هوش

چرا دانش آموزان درس را فراموش می کنند

تقویت حافظه

تکنیکهای مختلف افزایش حافظه

و مطالبی که در حال اماده سازی اند


دانلود با لینک مستقیم


نرم افزار نیمه کاره ارتقا

تحقیق درباره بررسی و ارزیابی دستگاه نیمه هادی چهارلایه تیرستور

اختصاصی از حامی فایل تحقیق درباره بررسی و ارزیابی دستگاه نیمه هادی چهارلایه تیرستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره بررسی و ارزیابی دستگاه نیمه هادی چهارلایه تیرستور


تحقیق درباره بررسی و ارزیابی دستگاه نیمه هادی چهارلایه تیرستور

فرمت فایل : word (قابل ویرایش) تعداد صفحات : 41 صفحه

 

 

 

 

تعریف :

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت[1] است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت[2] (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی[3] به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن[4] هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند
بود.

جریان  ناشی از :

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال  

3-حفره های تزریق شده به اتصال  که از طریق ناحیه n اشاعه
می یابند اتصال
 را قطع می کند .

4-حاملهای اقلیت از اتصال  که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال  عبور کرده است . عیناً  نیز از شش قسمت و  از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه[5] مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .

ادامه...


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره بررسی و ارزیابی دستگاه نیمه هادی چهارلایه تیرستور