حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

حامی فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

اختصاصی از حامی فایل دانلود پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

نوع فایل:  ppt _ pptx ( پاورپوینت )

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید : 

 

تعداد اسلاید : 13 صفحه

Lecture 4A Secondary Storage Device:Magnetic Tape (sections 3.2 – 3.3) یک حافظه ثانوی: باند مغناطیسی(Magnetic Tape) باند مغناطیسی (Magnetic Tape)چیست؟
خواص باند مغناطیسی خواص باند مغناطیسی چیست؟
امکان دسترسی مستقیم (direct access) به رکوردها را نمی دهد! (چرا؟
) ولی امکان دسترسی سری (sequential access) را با سرعت بالا دارد. در مقابل شرایط مختلف محیطی (environment) پایداری خوبی دارد. براحتی حمل و نگهداری می شود .
از دیسکهای سخت ارزانتر است. در گذشته برای نگهداری فایلهای بزرگ (بجای دیسکهای سخت) استفاده می شد.
(چرا؟
) ولی اکنون فقط برای آرشیو داده ها (backup) استفاده میشود.
(چرا؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
ساختار باند مغناطیسی باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
داده ها روی 9 شیار موازی به صورت دنباله ای از بیت ها (bits) ثبت میشوند. بنابراین هر مقطع از باند (Frame) شامل 9 بیت و معادل یک بایت داده میباشد. در هر 9 بیت ، هشت بیت برای داده ها و یک بیت برای کنترل صحت (Parity) داده ها وجود دارد.
(چگونه؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
مکان منطقی (Logical Position) یک بایت همان مکان فیزیکی آن میباشد. یعنی رکوردها به طور مرتب پشت سرهم قرار دارند.
(Sequential Access) File Structure Dr.
M.
Rahgozar ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
در فاصله بین بلوک داده ها فضای استفاده نشده ای به نام Gap وجود دارد که در آن تمام بیتها صفر می باشند در گذشته نوع رایج باندها حاوی 6250 بایت دراینچ (bpi) بوده است. انواع جدیدتر باندها 30,000 bpi یا بیشتر میباشند File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
راندمان استفاده از باند به چه عواملی بستگی دارد؟
فشردگی داده های باند (Tape density) مثال 6250 bpi : سرعت حرکت باند (Tape Speed) مثال 200 ips : فاصله بین بلوکهای داده (inter block gap) مثال 0.3 inch : File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
مثال: فایلی با مشخصات 1,000,000 رکورد 100 بایتی را در نظر میگیریم . طول باند مورد نیاز را با فشردگی bpi 6250 برای دو حالت مختلف حساب میکنیم. حالت اول :فاکتور بلوک (blocking factor) برابر با یک : طول مورد نیاز =تعداد بلوک ها ) * طول هر بلوک + فاصله بین بلوکها ( طول مورد نیاز 316.000=1,000,000*(100/6250+0.3)=اینچ یعنی بیش از 10 کارتریج 2400 فوتی (Cartridge) درگذشته رایجترین طول کارتریجها 2400 فوت بوده است.
اکنون کارتریجهای معمول با طول 3600 فوت یا بیشترمیباشند.
(ظرفیت؟
) File Structure Dr.
M.
  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  ................... توجه فرمایید !

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .

 



 « پرداخت آنلاین »


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

تحقیق درباره میدان مغناطیسی زمین 13ص

اختصاصی از حامی فایل تحقیق درباره میدان مغناطیسی زمین 13ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

 

میدان مغناطیسی زمین

دید کلی

در هر نقطه‌ای در نزدیکی سطح زمین ، عقربه مغناطیسی آویزان از رشته یا واقع روی یک نقطه به ترتیب خاصی سمت گیری می‌کند (تقریبا در جهت شمال به جنوب). این واقعیت مهم به این معنا است که زمین میدان مغناطیسی ایجاد می‌کند، مطالعه میدان مغناطیسی زمین برای مقاصد عملی و علمی از اهمیتی اساسی برخودار است.

 

از زمانهای قدیم ، قطب نماها ، یعنی وسایلی بر اساس استفاده از میدان مغناطیسی زمین برای سمت گیری نسبت به چهار جهت اصلی ، بکار گرفته می‌شدند. قطب نمای مرسوم شامل یک عقره مغناطیسی و یک صفحه مدرج است و در جهت یابیها کاربرد وسیعی دارد.

از میدان مغناطیسی زمین چه استفاده‌هایی می‌شود؟

در دریانوردی و هوانوردی جدید ، دیگر قطب نمای مغناطیسی تنها وسیله‌ای برای سمت گیری و تعیین مسیر کشتی یا هواپیما نیست. برای این منظور وسایل دیگری نیز وجود دارد. با وجود این ، از اهمیت قطب نمای مغناطیسی به هیچ وجه کاسته نشده است. تمام کشتیها و هواپیماهای امروزی به قطب نمای مغناطیسی مجهزند. زمین شناسان ، شکارچیان و مسافران نیز از قطب نما خیلی استفاده می‌کنند. وجود میدان مغناطیسی زمین انجام پاره‌ای از بررسیهای مهم دیگر را میسر ساخته است. از آن جمله می‌توان از روشهای اکتشاف و مطالعه ذخایر آهن نام برد.

 

قطبهای مغناطیسی زمین

مغناطیس زمین پیرامون زمین را میدان مغناطیسی که ماینوتسفر یا مغناطو کره نامیده می‌شود احاطه نموده است. باید توجه داشت که نقاط به هم رسیدن خطوط میدان مغناطیسی روی سطح زمین قرار ندارد، بلکه قدری از آن پایینتر هستند. همچنین قطبهای مغناطیسی زمین با قطبهای جغرافیایی آن منطبق نیستند. محور میدان مغناطیسی زمین ، یعنی خط مستقیمی که از هر دو قطب مغناطیسی می‌گذرد، از مرکز زمین نمی‌گذرد و از اینرو قطر زمین نیست. مغناطو کره توسط دو عامل مشخص می‌شود: انحراف مغناطیسی و شیب مغناطیسی.انحراف مغناطیسی عبارت است از زاویه انحراف عقربه مغناطیسی از نصف النهار جغرافیایی مورد نظر. خطوط واصل نقاط دارای انحراف مغناطیسی مساوی که خطوط هم گوشه نام دارند، در جنوب و شمال قطبین مغناطیسی که مخالف قطبین جغرافیایی است، همگرا می شود. برخی از محققان ، عدم تطابق قطبهای مغناطیسی و جغرافیایی را به توزیع نایکنواخت خشکی و آب در زمین توجیه می‌نمایند.شیب مغناطیسی عبارت است از زاویه میان عقربه مغناطیسی نسبت به افق (در نیمکره شمالی سر شمالی عقربه و در نیمکره جنوبی عقربه به افق متمایل می شود). ضمن حرکت از استوا به سوی قطبین ، شیب مغناطیس افزایش می یابد. خط واصل نقاط دارای شیب صفر استوای مغناطیسی نام دارد . استوای مغناطیسی ، استوای جغرافیایی را در دو نقطه، یکی با 169˚ طول شرقی و دیگری با ˚23 طول غربی به جنوب و در نیمکره شرقی به شمال منحرف می گردد. در قطبین مغناطیسی شیب به ˚90 می رسد.

 

مغناطش خود بخودی مواد در میدان مغناطیسی زمین

از مغناطش خودبخودی مواد در میدان مغناطیسی زمین استفاده‌های زیادی می‌شود. از جمله در ساخت مینهای مغناطیسی است که در عمق معینی زیر سطح آب قرار می‌دهند و با عبور کشتی از بالای آنها منفجر می‌شود. ساز و کاری که باعث صعود مین به سطح و انفجار آن می‌شود وقتی عمل می‌کند که عقربه مغناطیسی که می‌تواند حول میله‌ای افقی بچرخد، بر اثر میدان مغناطیسی کشتی که از بالای مین می گذرد، بتواند بگردد. معلوم شده است که کشتی همیشه خودبخود آهنربا می‌شود. برای محافظت در مقابل مینهای مغناطیسی دو روش بکار می‌برند:

مین روبی

این روش عبارت است از حمل مغناطیس نیرومندی که با طنابهای سیمی از هواپیمای در حال پرواز در ارتفاع کم در منطقه مین گذاری شده آویزان می‌شود. گاهی کابل سیمی دایره شکلی را بطور شناور روی آب قرار می‌دهند و جریانی از آن می‌گذرانند. بر اثر میدان مغناطیسی یا جریان ، ساز و کار مینها عمل می‌کند و بدون هیچ خسارتی منفجر می‌شوند.

خنثی سازی میدان مغناطیسی کشتی


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره میدان مغناطیسی زمین 13ص

تحقیق درباره ایمنی در میدانهای مغناطیسی

اختصاصی از حامی فایل تحقیق درباره ایمنی در میدانهای مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

 

ایمنی در میدانهای مغناطیسی :

مقدمه

هر جا که الکتریسیته وجود دارد ارتعاشات مغناطیسی نیز وجود دارند و در واقع میدان  جاذبه زمین ، خود یک مغناطیس بزرگ است. میدانهای مغناطیسی در همه جا به وفور یافت می شود، نظیر خانه ها، ادارات امروزی که بستگی به میزان مصرف نیروی الکتریکی مورد نیاز روزانه آنها دارد. میدانهای مغناطیسی اطرافمان را می توان کاهش داد. در واقع این کار به تنهایی و بدون در نظر گرفتن الکتریسیته امکان پذیر نخواهد بود.

تا صد سال پیش مواجهه انسان با میدانهای مغناطیسی منحصر به منابع طبیعی تولید آن بود. بشر در تمام دوران زندگی خود روی کره زمین در تماس با میدانهای مغناطیسی ضعیفی با شدت حدود 30 تا 70 میکرو تسلا بوده است. به هنگام طوفان های خورشیدی به میزان شدن میدانهای مغناطیسی در روی زمین افزوده می شود. مطالعات اپیدمیولوژیکی ارتباط مواجهه افراد با میدانهای مغناطیسی را با اثرات سوء فیزیولوژیکی از جمله ناراحتی های روانی، اختلال در سیستم قلبی- عروقی در انسان نشان داده است.

میدانهای مغناطیسی بسیار بیشتر از مقادیر طبیعی در تمامی صنایعی که به نوعی از الکتریسیته استفاده می کنند وجود دارد .

تشعشعات الکترومغناطیسی معمولا در خانه ها و ادارات به میزان کمتر از 1 میکرو تسلا یافت می شوند. انتقال نیرو حاصل از امواج مغناطیسی با ولتاژ کمتر400 کیلو ولت حدود 20 میکرو تسلا است. همچنین میدانهای خطوط نیروی کمتر از 20 کیلو ولت در مناطق مسکونی، بطور متوسط2 تا 3 میکرو تسلا است و فقط در فاصله ای به طول 10 متر قدرت میدان کمتر از 1 میکرو تسلا کاهش می یابد.

آزمایشات انجام گرفته نشان داده اند که میدانهای مغناطیسی ELF آثار زیانباری روی بهداشت و سلامت افراد دارند. مقادیر مجاز از سوی کشورهای بزرگ صنعتی در زمینه مواجهه افراد با این میدانها وضع گردیده که یقینا با توجه به اثرات بهداشتی میدانهای مغناطیسی است. ارزیابی میزان مواجهه حرفه ای در ساختن محیطی ایمن برای افراد شاغل مفید بوده و آنها را از خطرات احتمالی تماسهای بیشتر از حد مجاز مصون نگاه خواهد داشت.

مروری بر پژوهشهای گذشته

در سال 1935  Dulland Dull 4000 مورد اختلالات عصبی و خودکشی  را در یک دوره 5 ساله در شهرهای کپنهاک و زوریخ ارائه دادند و ارتباط آنها را با 67 طوفان مغناطیسی بیان نمودند.

در مطالعات اپیدمیولوژیک دیگر افزایش شیوع تعداد سرطان ها در کارگرانی که در میدانهای مغناطیسی خطوط انتقال نیرو با فرکانس های 50 تا 60 هرتز هستند گزارش شده است.

A.M. Koehler از دانشگاه هاروارد گزارشی  از احساس درد ملایمی در دندانهای فردی که در تماس با میدانهای مغناطیسی یکنواخت با شدت 20000 گوس برای مدت 15 دقیقه بود را ارائه نمود.

مشخصه های فیزیکی میدانهای مغناطیسی

میدان مغناطیسی: در محیط اطراف هر آهن ربا خاصیتی به وجود می آید که به موجب آن به هر عقربه مغناطیسی یا هر آهن ربای دیگر واقع در آن نیرو اعمال می شود. میدان مغناطیسی را با نماد B نمایش می دهند و یکای میدان مغناطیسی در SI تسلا می باشد.

یک تسلا واحد نسبتا بزرگی برای میدانهای مغناطیسی است. در تکنولوژی و علوم کاربردی برای میدان مغناطیسی واحد کوچکتری به کار می برند که یک گوس نام دارد و با نماد G نمایش می دهند.                                                         تسلا      4-10   =  یک گوس

بزرگی میدان مغناطیس زمین در نقاط مختلف زمین یکسان نیست ولی مقدار متوسط آن حدود 5-10*3 تسلا یا 3/0 گوس است.

میدانهای مغناطیسی را بطور کلی می توان در دودسته بررسی نمود:

-   میدانهای مغناطیسی طبیعی به عنوان میدانهایی که ناخواسته در مواجهه با آن هستیم.

-    میدانهای مغناطیسی مصنوعی یا ساخته بشر که از منابع متعددی ساطع می شوند و شدتها و بسامدهای آنها گستره وسیعی دارند.

بطور کلی میدانهای مغناطیسی متناوب (AC)  مربوط به شبکه های برق شهری، مخابرات و وسایل خانگی خیلی ضعیف تر از میدانهای مغناطیسی مستقیم (DC) هستند.

میدان الکتریکی: در اطراف یک جسم دارای بار میدان الکتریکی وجود دارد که اثر آن به صورت نیرو الکتریکی وارد بر بارهای موجود در آن میدان ظاهرمی شود. این تاثیر که مداوما در اطراف جسم A که دارای بار الکتریکی است یک میدان الکتریکی وجود دارد و اگر جسم دارای بار B در میدان قرار گیرد و بر آن نیرو الکتریکی وارد می شود. این تاثیر که در اطراف هر جسم دارای بار وجود دارد را میدان الکتریکی می نامند واحد آن V/m می باشد.

شدت میدان الکتریکی: نیروی وارد بر یکای الکتریکی مثبت در هر نقطه از میدان می باشد. واحد آن N/C یا M/S می باشد.

اثرات میدانهای الکترومغناطیس روی بدن انسان

در مورد اثرات بیولوژیکی میدانهای مغناطیسی یکنواخت روی انسان شواهد متعددی در دسترس می باشد.

گزارش نتایج مطالعات در اتحادیه جماهیر شوروی روی شاغلین در تماس با میدانهای مغناطیسی دائمی را داده اند:

برادی کاردی – تاکیکاردی – کاهش فشار خون شریانی با علائم تحریک پذیری، خستگی، تغییر در اشتها، سردرد نیز مشاهده شده است تغییر در  الکتر آنسفالوگرام (EEG) مخصوصا تحریکات نوری در کارکنان همراه با خارش، سوزش، کرختی مو، ایجاد نقوش رنگی روی پوست دست گزارش شده است. البته به شدت میدانهای مغناطیسی که سبب ایجاد چنین علائمی شده اند اشاره نشده است.

به دلیل اینکه میدانهای مغناطیسی می تواند توسط فعالیت بعضی از اندامها مثل ضربان قلب و مغز ایجاد شود می توان حدس زد که کارکنان شاغل در مواجهه با میدانهای مغناطیسی یکنواخت با شدت زیاد فعالیت الکتریکی مغز و قلبشان تحت تاثیر خطوط نیرویی که در اطراف آنها وجود دارد قرار می گیرد.

همچنین اثر میدانهای مغناطیسی روی رفتار آدمی و دستگاه عصبی (CNS) توسط محققین اثبات شده است.

کسانی که در داخل اعضای بدن خود قلب مصنوعی دارند یا در بدنشان پلاتین یا اجسام فلزی قرار دارد نباید در مواجهه با چنین میدانهایی قرار گیرند البته بدلیل طبیعت خاص شغلشان ، اجتناب از مواجهه با میدان های مغناطیسی برای این افراد امکان ندارد .

وسیله اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی (LEBOLD DIDACTIC GMBH)

دستگاه الکترومغناطیس سنج از قسمتهای زیر تشکیل شده است:

1- سوئیچ اندازه گیری رنج

2-  سوئیچ Off و On جهت خاموش و روشن کردن دستگاه

3- صفحه اندازه گیری یا نشانگر LCD

4-  سیم پیچ اندازه گیری کننده میدانهای الکتریکی و مغناطیسی

5- دکمه فیلتر

6- محل باطری

7- نشانگر هشدار باطری

8-   نشانگر فیلتر

9-   میزان اندازه گیری شده

10-                      ردیف های نشانه

11-                      کمیت اندازه گیری

12-                       مقدار عدد صفحه نمایش * 1000

با شدت میدان سنج 667922، می توان میدانهای الکتریکی متناوب را در محدوده 2000- 0 ولت بر متر و میدانهای مغناطیسی در محدوده 20000 – 0 نانوتسلا را اندازه گیری کرد. محدوده فرکانس 16 تا 100 کیلو هرتز می باشد. دکمه فیلتر (v) محدود فرکانس را به 500 – 16 هرتز تغییر می دهد و ســبب می شود اجــــزاء فرکانس پایین تشـــخیص داده شود (مثل ولتاژهای اصلی در 50 هرتز) و اجزایی که توسط وسایل با فرکانس بالاتر تولید می شوند (مثل مانیتور های کامپیوتر). هنگامی که فیلتر روشن است، علامت (~) در سمت چپ صفحه نمایش ظاهر می شود.

حدود مجاز تماس با میدانهای الکتریکی پایا و با فرکانس 30 KHz و کمتر از آن

پرتوگیری شغلی در فرکانس صفر هرتز تا 100 هرتز نباید از شدت میدان 25 کیلو ولت برمتر بیشتر باشد. در فرکانس 100 هرتز تا 4 کیلو هرتز مقدار سقف شدن میدان از رابطه زیر بدست می‌آید.

              حد تماس شغلی برحسب (V/M) 

F: فرکانس بر حسب هرتز

مقدار سقف حد تماس برای فرکانس‌های 4 کیلوهرتز تا 30 کیلوهرتز 625 ولت بر متر می‌باشد. این مقادیر سقف برای فرکانس‌های صفر تا 30 کیلوهرتز برای بخشی از بدن و نیز برای تمام بدن در نظر گرفته می‌شود.

حدود مجاز تماس با میدانهای مغناطیسی با فرکانس 30 KHz و کمتر از آن

پرتوگیری شغلی در گسترة فرکانسی 300 هرتز تا 30 کیلو هرتز نباید از مقدار سقف 0.2 mT تجاوز نماید.

مقادیر سقف برای فرکانس‌های 300 هرتز تا 30 کیلوهرتز شامل پرتوگیری تمام بدن و همچنین قسمتی از بدن می‌باشد.

مقدار حد تماس شغلی برای فرکانس‌های کمتر از 300 هرتز در ناحیه دستها و پاها با ضریب 10 و همچنین بازو و ساق پا با ضریب 5 می‌تواند افزایش یابد.

 

پرتوگیری شغلی در گسترة فرکانسی یک تا 300 هرتز از طریق رابطه زیر بدست می‌آید.                                                                                                                                    

B: حد تماس شغلی شار مغناطیسی میلی تسلا.                                         

F: فرکانس بر حسب هرتز.

حداکثر چگالی شار مجاز در فرکانس 60 هرتز 1 میلی تسلا می‌باشد.

حد مجاز تماس با میدانهای مغناطیسی پایا

مقادیر حد تماس شغلی با شدتهای شار مغناطیسی پایا به مقادیری اشاره دارد که به نظر میرسد چنانچه تقریباً کلیه شاغلین به طور مکرر در روزهای متوالی در مواجهه با آن قرار گیرند اثر سوء بر سلامت آنان عارض نگردد. مقادیر تعیین شده باید به عنوان راهنما جهت کنترل مواجهه با میدانهای مغناطیسی پایا استفاده شود نباید به‌ عنوان مرز مشخصی بین ایمنی و خطر تلقی گردد.

جدول 1 : مقادیر تماس شغلی مجاز با میدانهای مغناطیسی برای تمام بدن و برای دستها و پاها

موقعیت

TWA هشت ساعته

مقدار سقف

تمام بدن

60 mT

2 T

دستها و پاها

600 mT

5 T

افراد حامل وسایل پزشکی الکترونیکی

____

0.5 mT

 

 روش اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی

برای اندازه گیری میدانهای الکتریکی و مغناطیسی حاصل از جریانهای الکتریسیته لازم است ،جهت صفحه گیرنده دستگاه عمود بر جهت میدان الکتریکی و مغناطیسی قرار گیرد،در غیر اینصورت شدتهای بدست آمده از میدانها غیر واقعی خواهد بود.

 ابتدا برای اندازه گیری میدان الکتریکی، سوئیچ اندازه گیری رنج را چرخانده و بر روی حالتی قرار می دهیم، تا بتوان بوسیله دستگاه ،شدت میدان الکتریکی را بر حسب V/m بدست آورد.سه حالت بالای سوئیچ مربوط به شدت میدانهای الکتریکی و سه حالت پایین آن مربوط به شدت میدانهای مغناطیسی است . ابتدا دستگاه را بر روی کمترین رنج قرار داده و شدت میدان مورد نظر را اندازه گیری می کنیم، در صورتی که  شدت میدان بالاتر از رنج داده شده به دستگاه باشد ،یک خط عمودی در سمت چپ صفحه نمایشگر دستگاه ظاهر می شود.در این حالت لازم است رنج اندازه گیری دستگاه را بالا برد. در رنج پایین ،دستگاه قادر است میدانهای الکتریکی را تا شدت 20 ولت بر متر اندازه گیری نماید.در صورت وجود میدانهای الکتریکی با شدت بالاتر از رنجهای 20-200 و یا 200-2000 استفاده می کنیم.دستگاه برای نشان دادن شدت میدانهای بالای


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره ایمنی در میدانهای مغناطیسی

تحقیق درباره آبیاری با آب مغناطیسی به عنوان روش جدیدی در افزایش بهره وری کشاورزی

اختصاصی از حامی فایل تحقیق درباره آبیاری با آب مغناطیسی به عنوان روش جدیدی در افزایش بهره وری کشاورزی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

 

آبیاری با آب مغناطیسی به عنوان روش جدیدی در افزایش بهره وری کشاورزی

چکیده

هدف از این تحقیق، بررسی تحقیقات صورت گرفته در زمینه کاربرد آب مغناطیسی در کشاورزی میباشد که به سه دسته کلی تاثیر آبیاری مغناطیسی در افزایش محصول در گیاهان مختلف، تاثیر در جذب مواد غذایی و تاثیر در رشد ریشه تقسیم می شود. هدف از این بررسی، پاسخگویی به بحث ها، سوالات و ابهامات در زمینه آب مغناطیسی نیست، بلکه یافتن دلایل احتمالی بروز ابهامات و نتایج غیر قابل انتظار و گاهی متناقض بدست آمده از این پدیده از طریق بررسی تحقیقات صورت گرفته می باشد. ابتدا مروری بر تحقیقات صورت گرفته در این زمینه انجام داده، سپس سوالات مطرح شده در این زمینه و دلایل احتمالی بروز این سوالات، مورد بحث قرار میگیرد و در نهایت پیشنهاد انجام یک تحقیق سیستماتیک برای دستیابی به روند هدفمند در زمینه تاثیر آب مغناطیسی ارائه میشود.

کلید واژه : آبیاری با آب مغناطیسی، بهرهوری کشاورزی، ابهامات

مقدمه

خشکسالی و افزایش تقاضای آب، فشار زیادی به منابع آبی وارد میکند و با توجه به افزایش جمعیت کره زمین و نیاز به مواد غذایی، ضرورت بکارگیری روشهایی که بدون اعمال تنشهای آبی و شوری به گیاه، موجب تولید محصول بیشتر شوند را آشکار می سازد. مطابق با تحقیقات صورت گرفته یکی از روشهایی که کمیت و کیفیت محصول را بهبود میبخشد، آبیاری توسط آب مغناطیسی میباشد.

در زمینه تاثیر میدان مغناطیسی آب بر تولید محصول و بهرهوری آب، برخی تاثیرات مثبت آبیاری با آب مغناطیسی بر روی عملکرد گیاه در شرایط صحرایی گزارش شده است و برخی شرکتهای خدمات کشاورزی و آبیاری در این زمینه تجربیات صحرایی کسب کردهاند که کمتر به صورت یک گزارش علمی ثبت شده است.

یوتوات و لین (1990) افزایش بهرهوری آب را در محصولات زراعی در اثر مغناطیسی کردن آب را گزارش کردند. به نقل از بوگاتین و همکاران (1999)، با دادههای اخذ شده از روسیه، رومانی، بلغارستان، اسلواکی، اسپانیا و فلسطین اشغالی، آزمایشاتی برای روی 20 نوع بذر علوفه، سبزیجات و محصولات جالیزی در مساحتی معادل 100 کیلومتر مربع انجام گرفته است. در اثر کاربرد آبیاری مغناطیسی، افزایش قلیائیت خاک، افزایش فرم متحرک (قابل جذب) کودها، و افزایش در محصول و کوتاه شدن زمان رسیدن در این گیاهان مشاهده شده است. همچنین یک سری آزمایشات در ترکمنستان، ارمنستان، آذربایجان و ازبکستان بر روی مساحتی معادل 2 کیلومتر مربع انجام شد و نتایج این آزمایشات، افزایش شدت آبشویی نمک از پروفیل خاک قلیایی را در اثر آبیاری مغناطیسی نشان داد. مطابق با نتایج این تحقیقات، کاربرد آبیاری مغناطیسی در خاکهای با غلظت زیاد قلیا، تاثیرات بیشتری دارد. مطالعات تاثیرات آبیاری مغناطیسی بر روی رشد گیاه، توسعه و تولید محصول در گیاهان زراعی توسط محققان روسی بر روی 20 نوع بذر، علوفه، سبزیجات و محصولات جالیزی انجام گرفت و افزایش تولید محصول به میزان 15 درصد به همراه بهبود کیفیت محصول گزارش شد (به نقل از بوگاتین و همکاران (1999)).

برخی مطالعات نشان دادند که در اثر آبیاری مغناطیسی افزایش در تعداد گلها، زودرسی محصول و افزایش تعداد کل میوه در توت فرنگی و گوجه فرنگی مشاهده شده است (دانیلوو و همکاران 1994 و اسیتکن و توران 2004).

در سالهای اخیر نیز باسانت و همکاران (2009)، در استرالیا در گلخانه شیشهای با شرایط محیطی کنترل شده به مدت 9 ماه، تاثیرات آبیاری مغناطیسی(با شدت میدان 5/3-136 میلی تسلا) با آب شور را، بر روی تولید محصول و بهرهوری آب در گیاه کرفس، نخود فرنگی سفید و نخود فرنگی، مورد بررسی قرار دادند. مطابق با نتایج، در گیاه کرفس و نخود فرنگی سفید، افزایش محصول مشاهده کردند. تاثیرات معنیداری بر روی میزان محصول و بهرهوری آب در گیاه نخود فرنگی مشاهد نشد. بررسی خصوصیات خاک بعد از برداشت محصول نشان داد که آبیاری مغناطیسی موجب کاهش اسیدیته خاک شده و هدایت الکتریکی خاک و فسفر قابل دسترس برای گیاهان کرفس و نخود فرنگی سفید را افزایش داده است.

قادوس و هوزاین (2010) در مصر، آزمایشی در شرایط گلخانه در طول دو سال زراعی انجام دادند تا تاثیر آبیاری مغناطیسی را بر روی میزان رشد، کمیّت و کیفیت و ترکیبات شیمیایی در گیاه عدس مورد بررسی قرار گیرد. نتایج نشان داد که آبیاری مغناطیسی پارامترهای مورد نظر را در مقایسه با آبیاری معمولی افزایش میدهد. بطور متوسط در طول دو فصل زراعی، در اثر آبیاری مغناطیسی، به ترتیب افزایش 75/21، 18/18، 05/15و 37/1 درصد در ارتفاع بوته، وزن تر و وزن خشک بوته و درصد آبِ گیاه مشاهده شد. همچنین از نظر کیفیت محصول نیز در برخی شاخصها مانند رنگدانه کل، فنول کل و ایندولِ کل افزایش مشاهده شد. همچنین در اثر آبیاری مغناطیسی، 7 باند پروتئینی جدید در گیاه تشکیل شد. و از دیگر نتایج بدست آمده، افزایش تعداد دانه، میزان کاه و میزان محصول بیولوژیکی هربوته نسبت به آبیاری با آب معمولی به ترتیب 98/24، 69/26 و 82/25 درصد می باشد.

همچنین هوزاین و قادوس (2010) آزمایش مشابهی را بر روی گندم انجام دادند، نتایج نشان داد که آبیاری مغناطیسی، برخی پارامترهای رشد، کمیّت و کیفیت و ترکیبات شیمیایی محصول را در مقایسه با آبیاری معمولی افزایش میدهد. در اثر آبیاری مغناطیسی، تعداد باندهای پروتئینی در گیاه افزایش یافت و افزایش تعداد دانه، میزان کاه و میزان محصول بیولوژیکی هربوته نسبت به آبیاری با آب معمولی به ترتیب 33/31 ، 56/24 و 24/28 درصد مشاهده گردید.

تحقیق مشابه دیگری توسط هوزاین و قادوس(2010)، با شرایط فوق الذکر بر روی کمیّت و کیفیت محصول گیاه نخود صورت گرفت، و نتایج نشان داد که آبیاری مغناطیسی تاثیرات معنی دار مثبتی را بر روی تمامی پارامترهای مورد مطالعه نظیر کاروتنوئید، رنگدانه کل، ایندولِ کل، میزان فنولِ کل و پروفیل پروتئین و میزان تولید محصول نشان داد. دراثر آبیاری مغناطیسی، درصد افزایش تعداد دانه، میزان کاه و میزان محصول بیولوژیکی نسبت به آبیاری با آب معمولی به ترتیب 64/39، 03/41 و 85/39 درصد بود.

اگرچه تحقیقات صورت گرفته برخی تاثیرات مثبت میدان مغناطیسی بر روی رشد گیاه را نشان می دهد اما هنوز مکانیزیم این تاثیرات به روشنی مشخص نیست (باسانت و همکاران 2009، هوزاین و قادوس 2010).

مواد و روش ها:

هدف از این بررسی، پاسخگویی به بحث ها، سوالات و ابهامات در زمینه آب مغناطیسی نیست، بلکه یافتن دلایل احتمالی بروز ابهامات و نتایج غیر قابل انتظار و گاهی متناقض بدست آمده از این پدیده از طریق بررسی تحقیقات صورت گرفته می باشد.

پس از مروری بر تحقیقات صورت گرفته در این زمینه، سوالات مطرح شده در این زمینه و دلایل احتمالی بروز این سوالات، مورد بحث قرار میگیرد و در نهایت پیشنهاد انجام یک تحقیق سیستماتیک برای دستیابی به روند هدفمند در زمینه تاثیر آب مغناطیسی ارائه میشود.

لازم به توضیح است که هدف از ارائه این مباحث، زیر سوال بردن نتایج تحقیقات صورت گرفته در این زمینه نمیباشد، بلکه تاکیدی بر دقت در تحلیلهای حاصل ازنتایج بدست آمده از این تحقیق میباشد که دلیل اصلی آن ناشناخته بودن سایر عوامل موثر احتمالی و عدم لحاظ آنها میباشد.

سوالاتی که در مورد تاثیر میدان مغناطیسی مطرح می شود:

چرا آبیاری مغناطیسی در برخی گیاهان تاثیرات مثبتی بر روی کمیت و کیفیت محصول می گذارد و در برخی دیگر تاثیری ندارد؟

میدان مغناطیسی چقدر بر هریک از عوامل خاک، آب و گیاه تاثیر می گذارد؟

آیا نتایج حاصل از آزمایشات در گلخانه، در مزرعه هم صادق خواهد بود؟

قبل از بررسی نتایج تحقیقات صورت گرفته تا کنون و سوالات مطرح شده در این زمینه، ذکر چند نکته ضروری است:

اگرچه میدان مغناطیسی بر برخی خواص فیزیکی و شیمیایی آب تاثیری نداشته است و از این جهت بحث های زیادی را درباره تاثیر میدان مغناطیسی مطرح کرده است(لاهورتازامورا و همکاران 2008) ، اما بر روی هدف نهایی در کشاورزی، به طورمثال میزان تولید محصول و بهرهوری آب تاثیر مثبت داشته است (بوگاتین و همکاران (1999)، باسمات (2009) و هوزاین و قادوس(2010)). بنابراین این احتمال هست که ابهامات در مورد تاثیر مغناطیس بر خواص فیزیکی و شیمیایی آب و نتایج غیرقابل انتظاری که گاهی در مورد تاثیر میدان مطرح میباشد، چندان در مبحث "آبیاری" مغناطیسی مطرح نباشد بلکه موضوع اصلی در تاثیر میدان مغناطیسی در کشاورزی، تنها به چگونگی مکانیزم جذب آب توسط انواع گیاهان و محیط خاک بستگی داشته باشد.

برخی تحقیقات صورت گرفته بر روی تاثیر میدان مغناطیسی که بر روی آب شور دریا صورت گرفته است (باسانت و همکاران 2009)، تاثیراث مثبت آب مغناطیسی شور با غلظت کلریدسدیم 500 و 1000 پی پی ام بر عملکرد محصول و راندمان تولید گیاهان کرفس و نخود برفی( را نشان داده است و برخی گزارش کردهاند که تاثیر میدان مغناطیسی در آب هایی با غلظت بیش از 50 میلیگرم بر لیتر و اسیدیته بزرگتر از 2/7، بیشتر میباشد (بوگاتین و همکاران 1999)، بنابراین تحقیقات بر روی منابع آب شور (مانند آب دریا) یا آبهای نامتعارف (نظیر آب فاضلاب) با توجه به ضرورت آن در سالهای آینده، گزینه های خوبی برای بررسی بر روی آبیاری مغناطیسی می باشد.

در زمینه تاثیر میدان مغناطیسی بر روی کاهش رسوبات کربنات کلسیم تحقیقات زیادی توسط صورت گرفته است (کویی و همکاران 2000، کوب و همکاران 2001، و پوهار و کنز، 2005، گابریلی و همکاران 2001، علیمی و همکاران 2009 ) که نتیجه آنها نشان دهنده تاثیر میدان مغناطیسی بر کاهش رسوب کربنات کلسیم میباشد. میتوان بر مبنای این تحقیقات صورت گرفته، توسط مدلهای ریاضی و نرم افزارها، قبل از انجام تحقیقات صحرایی، تاثیر غیرمستقیم کاهش رسوب کربنات کلسیم بر میزان تغییرات جذب املاح توسط گیاه و بر تغییرات رشد ریشه را در گیاهان مختلف مورد بررسی قرار داد. برای این منظور می توان از نرم افزارهایی که جذب املاح توسط گیاه و رشد ریشه را شبیه سازی میکنند، استفاده کرد.

با توجه به تاثیر عوامل احتمالی مختلف بر تاثیر میدان مغناطیسی، بهتر است تعداد تکرارهای آزمایشی از نظر آماری بهینه باشد.

معنیدار بودن اختلاف مقادیر مشاهده شده پس از اعمال میدان مغناطیسی و آزمایش کنترل (بدون اعمال میدان مغناطیسی) که در اکثر مقالات در زمینه تاثیر میدان مغناطیسی برابر با 5 درصد و 1 درصد در نظر گرفته شده است، قابل بررسی میباشد. برای تعیین α باید توان آزمون ها را برای رد فرض صفر مد نظر قرار داد و همچنین لازم است که بین توان آزمون و معنی داری، تعادل برقرار کرد. روشن است که در حالت ایده آل α برابر با صفر است و این مطلب بصورت شهودی نشان میدهد که برای نمونه های بزرگتر که انتظار داریم به حالت ایده آل نزدیک تر شوند، α باید کوچکتر از مقادیری باشد که فیشر در نظر میگرفت در حالیکه این مسئله در عمل نادیده گرفته میشود.

دلایل احتمالی بروز ابهامات و نتایج غیر قابل انتظار و گاهی متناقض بدست آمده:

یکی از ابهامات مورد بحث در سالهای اخیر،‌ مکانیزم تاثیر میدان مغناطیسی بر کاهش رسوب کربنات کلسیم می باشد. بر اساس تحقیقات صورت گرفته در دهههای قبل از 80، عقیده بر این بود که وجود ذرات کلوئیدی موجود در آب باعث کاهش رسوب کربنات کلسیم می شود(به نقل از ماگارد 1989) و دلیل اینکه برخی تحقیقات صورت گرفته در زمینه تاثیر آب مغناطیسی بر کاهش رسوب کربنات کلسیم، نتایج مثبت گزارش نکردهاند، استفاده از آب با ذرات غیرکلوئیدی (مانند آب مقطر) بوده است اما در برخی تحقیقات صورت گرفته امروزی لزوم وجود ذرات کلوئیدی مورد تردید قرار گرفته است و نتایج یک تحقیق آزمایشگاهی نشان داده است که وجود ذرات کلوئیدی در کاهش رسوب کربنات کلسیم ضرورتی ندارد (علیمی و همکاران 2006).

با توجه به اینکه ممکن است، اختلاط فیزیکی بین لولههای جریان در سیالی که در معرض میدان قرار گرفته در میزان تاثیر میدان مغناطیسی اهمیت داشته باشد (لین 1991)، بهتر است در تحقیقات صورت گرفته، برای مشخصه جریان بجای سرعت جریان سیال، عدد رینولز مد نظر قرار گیرد. بر این اساس، نتایج تحقیقات صورت گرفته به دو دسته جریانهای خطی یا آشفته (بر مبنای عدد رینولز) تقسیم بندی شود و نتایج بدست آمده بر این اساس تحلیل گردد.

شرایط محیطی کنترل شده در گلخانه مانند دمای کنترل شده 15-20 درجه سانتی گراد (باسمات و همکاران 2009)، یا اسیدیته ثابت، میتواند به عنوان یک عامل محدود کننده و نکته قابل تامل در کاربردی بودن نتایج و بعضاً بروز نتایجی غیر قابل انتظار در تحقیقات در مزرعه محسوب شود. چرا که در شرایط واقعی در زراعت عملاً ممکن است ثابت نگه داشتن تمامی شرایط مانند درجه حرارت، اسیدیته و سایر شرایط محیطی امکان پذیر نباشد اگرچه این موضوع در صنعت به عنوان محدویت مطرح نبوده است.

ضرورت وجود برخی یون ها در آب، جهت داشتن تاثیر مورد انتظار از میدان مغناطیسی قابل بررسی میباشد (مگارت 1989).

نتایج و بحث:

در اکثر تحقیقات صورت گرفته نحوه مکانیزم مجهول بوده است. پیشنهاد میشود که در این زمینه یک تحقیق سیستماتیک به صورت زیر انجام شود:


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره آبیاری با آب مغناطیسی به عنوان روش جدیدی در افزایش بهره وری کشاورزی

مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

اختصاصی از حامی فایل مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T


مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 

فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحات:18

ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد. و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد.

هر هسته دارای اسپین  و ممان مغناطیسی  است.

ممان متوسط مغناطیسی ماده  (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟

فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است. همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم.

هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین

یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا

                (Cثابت تناسب است     )

چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است.

از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با

 

و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است. (چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE،  افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص)

و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد.

با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد.

 

 

که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد:

 

واضح است که

 اگر

 

نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه  هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد.

در اینصورت  تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه:

 

از طرف دیگر اگر

 اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است

 

تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم.

بوسیله محاسبه واقعی متوسط  

 

 

Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H

 

حالا چک کنیم که آیا  استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟

اگر  

 

 

اگر 

 

 

مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود. Magnetic Susceptibility of Substance

X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است  Curie’s Law

از طرف دیگر

مستقل از H است  یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization  که ماده می تواند نمایش بدهد.

بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن  به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است.

 


دانلود با لینک مستقیم


مقاله محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T