
پاورپوینت ریاضی پنجم دبستان در مورد زاویه و نیمساز
فرمت فایل: پاورپوینت
تعداد اسلاید: 6
دانلود فایل پاورپوینت ریاضی پنجم دبستان در مورد زاویه و نیمساز ..
پاورپوینت ریاضی پنجم دبستان در مورد زاویه و نیمساز
فرمت فایل: پاورپوینت
تعداد اسلاید: 6
پاورپوینت ریاضی پنجم دبستان در مورد زاویه و نیمساز
فرمت فایل: پاورپوینت
تعداد اسلاید: 6
پاورپوینت ریاضی پنجم دبستان در مورد زاویه و نیمساز
فرمت فایل: پاورپوینت
تعداد اسلاید: 6
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 75
فهرست
مقدمه
4
چکیده
6
فصل اول تکنیک های پراش با زاویه کوچک(SAS)
7
1-1- تکنیک های پراکندگی زاویه کوچک (SAS)
8
2-1- پخش (ارسال) نوری:
17
3-1- ارسال نوترون زاویه کوچک( (SANS
21
فصل دوم تئوری SAXS
24
1-2- قانون Guinier و شعاع دوران
29
2-2- تداخل بین ذره ای (Interparticle Interference)
31
فصل سوم تجهیزات (SAXS)
33
1-3- تجهیزات آشکارسازی شمارنده ای
34
1-1-3- دیفرکتومتر چهار شکافی (Four –Slit diffractomter)
35
2-3- دوربینهای شناسایی فتوگرافیکی
37
1-2-3- دوربین kratky
38
3-3- تجهیزات سیستم SAXS نصب شده در شرکت مترولوژی (UMASS)
42
1-3-3- منبع تشعشع
42
2-3-3- جداسازی و برد q:
44
3-3-3- آشکارسازهای سطح:
49
4- 3-3- محفظه های مربوط به نمونه:
53
5-3-3- سیستم خلاء
55
6-3-3- سکوئی برای سیستم نصب:
55
7- 3-3- سیستم ایمنی:
55
8-3-3- الکترونیک و اینترفیس (واسطه) کامپیوتری:
56
9- 3-3- نرم افزار آنالیز داده ها
57
10-3-3- تجهیزات جانب یبرای عملکرد بهینه:
58
11- 3-3- گزینه ها:
59
فصل چهارم شرایط و دستورالعمل آزمایشگاهی
60
1-4- تکفام کنندگی و انتخاب طول موج
61
2-4- تنظیم و ساخت شکاف (slit)
61
3-4- خلاء لازم
62
4-4- روش آشکارسازی
62
5-4- آماده سازی نمونه ها
63
6-4- نمونه ها
63
7-4- نمونه های استاندارد
63
8-4- زمان آنالیز
64
فصل پنجم تصحیح داده ها
65
فصل ششم آنالیز داده های SAXS
67
فصل هفتم کاربرد SAXS
71
فصل هشتم مزایا و معایب روش SAXS
74
منابع:
76
مقدمه
ذرات فلزی با اندازه نانو نقش مهمی را در مهندسی مواد ایفا می کنند چون که ویژگیهای ذرات با اندازه نانو با ویژگیهای بقیه مواد متفاوت است ]1[
توزیع اندازه ذرات نانو با استفاده از تکنیک میکروسکوپ TEM قابل اندازه گیری است TEM یک تکنیک فوق العاده مفید برای حصول اطلاعاتی نظیر توزیع اندازه ذره ، اندازه متوسط ذره و شکل ذرات نانو است ]1[
اندازه گیری TEM نیاز به عملیات پیچیده برای آماده سازی نمونه و مهارت بالای اپراتور دارد و زمان اندازه گیری طولانی است بعلاوه تکنیک TEM یک روش اندازه گیری در محل (In situ) نیست و تعداد ذرات اندازه گیری شده از فتوگراف ، در اغلب موارد از اندازه گیریهای تئوریکی کمتر است ]1[
بنابراین اکثر محققان در ارتباط با نانو تکنولوژی در جستجوی یک روش مناسب و یک روش In situ برای اندازه گیری توزیع ذرات نانو بودند این روشها بر اساس پراکندگی در زوایای کوچک استوار بود ]1[
Small-angle scattering =SAS
SAX در واقع یک نام کلی است که برای مجموعه ای از تکنیکهای زیر بکار می رود]2[
فرمت فایل :powerpoint تعداد صفحات 68 صفحه
بخشی از اسلایدها:
طراحی:
روش مکان ریشه توسعه یافته برای سیستم های زمان پیوسته را می توان بدون تغییری به سیستم های زمان گسسته تعمیم داد بجز اینکه مرز پایداری در محور در صفحه S به دایره واحد در صفحه Z تبدیل می شود.
دلیل اینکه روش مکان ریشه را می توان برای سیستم های زمان-گسسته تعمیم داد آن است که معادله مشخصه سیستم های زمان-گسسته از همان نوع مانند مکان ریشه در صفحه S است.
معادله مشخصه سیستم ذیل مطابق رابطه ارائه شده می باشد که مشابه معادله تحلیل مکان ریشه در صفحه S است:
ساختن مکان ریشه:
● شکلی از نقاط در صفحه مختلط که تنها شرط زاویه را براورده می کنند مکان ریشه است. ریشه های معادله مشخصه (قطبهای حلقه بسته) متناظر با یک مقدار داده شده ضریب بهره را می توان از شرط اندازه تعیین نمود
● به علت اینکه قطبهای مختلط مزدوج و صفرهای مختلط مزدوج حلقه باز، در صورتی که وجود داشته باشند نسبت به محور حقیقی همیشه بطور متقارن قرار می گیرند، مکان ریشه ها نسبت به محور حقیقی همواره متقارن می باشد، بنابراین لازم است که تنها نیمه بالای مکان ریشه را بسازیم و سپس تصویر آئینه ای نیمه بالا را در نیمه پائین صفحه رسم نمائیم
● پس منحنی مکان ریشه به تعداد ریشه های معادله مشخصه شاخه خواهد داشت.
● اگر تعداد قطبهای حلقه بسته n برابر تعداد قطبهای حلقه باز باشد، در آن صورت تعداد شاخه های جدا از هم مکان ریشه که در یک صفر پایاندار حلقه باز پایان می یابد برابر عدد m تعداد صفرهای حلقه باز است. تعداد n-m شاخه باقیمانده در بینهایت (در n-m صفر ضمنی در بینهایت ) در امتداد مجانبها پایان می یابد
مرحله سوم-تعیین مکان ریشه روی محور حقیقی: مکان ریشه روی محور حقیقی از قطبها و صفرهای حلقه باز قرار گرفته روی آن تعیین می شود. قطبها و صفرهای مختلط مزدوج تابع تبدیل پالسی حلقه باز تاثیری بر روی محل مکان ریشه روی محور حقیقی ندارند.
● در ساختن مکان ریشه روی محور حقیقی یک نقطه آزمایشی بر روی آن انتخاب کرده و از معیار ذیل استفاده می گردد: ● اگر تعداد کل قطب های حقیقی و صفرهای حقیقی در سمت راست این نقطه آزمایشی فرد باشد، در این صورت این نقطه بر روی مکان قرار دارد.