دانلود تحقیق تاًثیرات تقویت تراکمی بر روی استحکام برشی تیرهای پل بتن مسلح 71 ص

اختصاصی از حامی فایل دانلود تحقیق تاًثیرات تقویت تراکمی بر روی استحکام برشی تیرهای پل بتن مسلح 71 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 99

«تاًثیرات تقویت تراکمی بر روی استحکام برشی تیرهای پل بتن مسلح»

ظرفیت برشی پیش بینی شده از تیرهای بتن مسلح موجود یک موضوع مهمی است که لازم است به تفصیل بیشتری ذکر شود. توجه در خصوص اینکه آیا کد ارزیابی پل جاری برای انگلستان خیلی محافظه کارانه است هنگامی که مقاومت برش تیرهای بتن موجود ارزیابی می گردد که حاوی مقادیر قابل ملاحظه ای از فولاد می باشد در طی ارزیابی نا دیده گرفته می شود. این مقاله به تاثیرات سودمند چنین فولاد تراکمی ای بر روی استحکام برش تیرهای بتن مسلح توجه دارد. نتایج بررسی آزمایشگاهی با پیش بینی های کد جاری برای استحکام برش تیرهایی مقایسه می شوند که فرض می شوند صرفاً حاوی فولاد کشش می باشد. فشردگی های بعدی با یک راه حل پلاستیسیتة حدّ بالایی انجام می شوند که قادر است تمام تقویت فولاد را در یک تیر بتن در نظر بگیرد. دلایل متعددی وجود دارند که چرا پل ها مخازن پنهان استحکام را، نشان می دهند و عمل غشاء فشاری احتمالاً از همه مهمتر است. با این حال، دلایلی از قبیل حضور فولاد فشاری به استحکام پنهان کمک می کند طوری که تحقیق از این نوع، برای ارزیابی درست و انجام پیش بینی های استحکام لازم است. و نشان داده می شود که حضور فولاد با فشردگی زیاد دارای تأثیر چشمگیری بر روی ظرفیت تیرهای پل بتن مسلح است که دارای تقویت نهایی برش می باشد.

نمادها(نمادگذاری):

Abs مساحت فولاد تحتانی در تیر d عمق مؤثر تیر

Ats مساحت فولاد فوقانی در تیر a طول دهانه برش

D نرخ پراکندگی یا پراکنش انرژی در واحد حجم

bs d فاصله از نقطة دوران تا فولاد کف(تحتانی)

ts d فاصله از نقطه دوران تا فولاد سر(فوقانی)

ED نرخ پراکنش انرژی کل در سیستم

EDc پراکنش انرژی ناشی از بتن (صرفاً)

EDci پراکنش انرژی ناشی از بتن در هر نقطه در امتداد خط ناپیوستگی

EDs پراکنش انرژی ناشی از فولاد (صرفاً)

fc استحکام فشاری مؤثر بتن ( ( fc=yfcu fcn استحکام مکعب فشاری بتن

ft استحکام کشش بتن

fy استحکام تسلیم فولاد

Pهر بار بکار رفته (N )

aزاویة بین جهت (i و خط ناپیوستگی

(بردار جابجایی نسبی در عرض یک خط ناپیوستگی

(iبردار جابجایی نسبی در هر نقطه در امتداد یک خط از ناپیوستگی

IPفاصله از خط دوران تا بار نقطة اول(mm)

Lstirrap طول دهانة برش که بر روی آن رکاب ها(Stirrups) بطور مؤثر لنگر می شوند.

پرسشنامه عوامل خانوادگی موثر در ایجاد و تقویت انگیزش پیشرفت دانش آموزان

اختصاصی از حامی فایل پرسشنامه عوامل خانوادگی موثر در ایجاد و تقویت انگیزش پیشرفت دانش آموزان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این پرسشنامه دارای 33 سوال بصورت طیف لیکرت و 11 سوال زمینه ای می باشد. نوع فایل: WORD.

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستور های MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید

اختصاصی از حامی فایل پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستور های MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO₂) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

فهرست مطالب:

مقدمه

نحوه عملکرد

ایجاد کانالی برای عبور جریان

ترانزیستور NMOS

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ Vds

اشباع ترانزیستور

بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ

جریان در ناحیه تریود

جریان در ناحیه اشباع

تکنولوژی زیرمیکرونی

ترانزیستور PMOS

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور

عملکرد در ناحیه زیر آستانه

مشخصه Id-Vds

مقاومت کانال

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان

مقاومت خروجی

مدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

شکست و محافظت از ورودی

مدارات ماسفت در حالت DC

مثالها

استفاده از ترانزیستور ماسفت در مدارات تقویت کننده

مشخصه سیگنال بزرگ

انتخاب نقطه کار مناسب

روشهای مختلف بایاس کردن

مدار سیگنال کوچک

مقدار ترارسانایی

مدار معادل سیگنال کوچک

و...

تحقیق درمورد نانو کامپوزیت

اختصاصی از حامی فایل تحقیق درمورد نانو کامپوزیت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

از مزایای عمده نانو کامپوزیت پلیمری با تقویت کننده خاک رس میتوان به پایداری حرارتی ، کاهش نفوذ پذیری ، کاهش ضریب انبساط حرارتی و افزایش سختی ، استحکام و چقرمگی اشاره کرد .

این خواص در نایلون 6 و نانو کامپوزیت زمینه نایلون 6 حاوی 4.2 درصد وزنی نانو لایه های مونت موریلونیت مقایسه شده است .

همانگونه که قبلا اشاره شد از گرافیت ورقه ای نیز برای ساخت نانو کامپوزیت های پلیمری می توان استفاده کرد. در این گروه از نانو کامپوزیت ها ، ضخامت لایه های گرافیت با ضخامت خاک رس یکسان است . با نگاهی اجمالی به برخی تغییرات حاصله در نانو کامپوزیت های حاوی ورقه های گرافیت پی برد . در جدول 3 برخی خواص گرافیت و خک رس با هم مقایسه شده است .

پایین بودن مقاومت الکتریکی گرافیت از خصوصیات بارز آن است که باعث افزایش هدایت الکتریکی نانو کامپوزیت ها می گردد .گرافیت لایه ای نسبت به دوده کربنی ، الیاف کربنی و بخار کربن مقاومت الکتریکی کمتری دارد .

بهبود هدایت الکتریکی مواد پلیمری با افزودن مقادیر کمی از نانو لایه های گرافیتی باعث می شود که حرارت ایجاد شده در قطعات الکتریکی و تجهیزات کامپیوتری کاهش یافته و قابل کنترل شود . با توجه به خواص ارائه شده ، کامپوزیت های حاوی نانو لایه های گرافیت، دارای هدایت الکتریکی بالا و نفوذ پذیری کمی هستند . برای تولید این نانو کامپوزیت ها ابتدا با امواج مافوق صوت لایه های گرافیت در منومر به صورت یکنواخت توزیع می شوند و در نهایت با پلیمریزاسیون بدست می ۀید . نمونه ای از این نانو کامپوزیت ها در تصور ارائه شده است . در این تصویر توزیع نانو لایه های گرافیت در زمینه پلی استایرن مشخص است .

نانو کامپوزیت های زمینه پلیمری حاوی نانو الیاف کربنی

نانو الیاف کربنی به عنوان ماده پر کننده در پلیمر های مختلف نظیر پلی پروپیلن، پلی کربنات نایلون و اپوکسی ، پلی اترسولفن استفاده می شوند. قطر نانوالیاف کربنی که در نانو کامپوزیت ها استفاده می شوند بین 50 تا 200 نانو متر است . این نانو الیاف مورفولوژیهای متعددی دارند که ساختار نی شکل و چیدمان فنجانی دو نوع از این مورفولوژی ها هستند . تصاویر TEM ایت ساختار ها در تصویر آمده است .

خواص نانو کامپوت های حائی نانو الیاف ها کربنی نظیر چگالی پایین ، انبساط حرارتی کم ، مقومت بالا در برابر شوک های حرارتی بالا در دماهای بالا باعث شده که این نانو کامپوزیت ها در صنایع خودرو و هوا-فضا مورد توجه زیادی قرار گیند . بسیاری از خواص نانو کامپوزیت های حاوی نانو الیاف به مراحل ساخت نانو کامپوزیت ، خصوصیات نانو الیاف کربنی ، نحوه توزیع نانو الیاف و چسبندگی آن ها به زمینه ارتباط دارد.

اصولا برای تولید این نانو کامپوزیت ها با توریع یکنواخت الیاف ، از مکانیزم های با نیروی برشی شدید مثل اکستروژن که در روش مخلوط سازی مستقیم توزیع شده است که با اصلاح سطحی و یا افزودن پر کننده های سرامیکی مناسب ، مینوان این شکل را تا حدودی کم کرد .

2-3-5 ) نانو کامپوزیت های پلیمری حاوی نانو لوله های کربنی

تحقیقات در زمینه توزیع نانو لوله های کربنی در پلیمر ها بسیار جالب است . نانو لوله های کربنی به جز بهبود خواص فیزیکی و مکانیکی پلیمر ها باعث بهبود خواص حرارتی و الکتریکی رزین ها نیز می شود . قطر نانو لوله های کربنی که در نانو کامپوزیت استفاده می شوند بین 100 تا 1000 است . در ادامه پس از بررسی برخی از خواص نانو لوله های

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان تقویت کننده های توان فرکانس رادیویی (RF Power Amplifier) در 105 اسلاید

اختصاصی از حامی فایل پاورپوینت کامل و جامع با عنوان تقویت کننده های توان فرکانس رادیویی (RF Power Amplifier) در 105 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تقویتگر الکترونیکی»، افزاره‌ای برای افزایشتوان نشانک می‌باشد. تقویتگر، شکل نشانک ورودی را حفظ می‌کند؛ امّا دامنه‌ی آن را بزرگ‌تر می‌کند.

از تقویتگرها برای تقویت صدای سازهای مانند گیتار برقی، گیتار باس، ویولن برای تقویت انواع خروجی‌های صدا مانند دستگاه‌های پخش خانگی،دستگاه‌های پخش خودرو و برای تقویت صداهای مضبوط در مسیر دستگاه‌های ضبط صدا در استودیوهای صوتی استفاده می‌شود.

تقویت‌کننده RF (به انگلیسی: RF power amplifier) نوعی تقویت کننده الکترونیکی مورد استفاده برای تبدیل سیگنال فرکانس رادیویی کم قدرت به سیگنال با دامنه‌ای با اندازه قابل توجهی بزرگتر، معمولا جهت ارسال آن بر آنتن فرستنده، می‌باشد.

تقسیم بندی تقویت کننده های توان:

• کلاس A
• کلاس B
• کلاس AB
• کلاس C
• کلاس E
• کلاس F
• تقویت کننده دوهرتی

فهرست مطالب:

تقابل بین توان خروجی و سویینگ ولتاژ

مثال RF Choke

قرار دادن شبکه تطبیق

مثالی از طبقه سورس مشترک با بار سلفی

اثر جریان های بزرگ

مثال پارازیت های بسته بندی

بازده

خطسانی

تبدیل AM/AM و تبدیل AM/PM و مدل رپ

تقویت کننده های توان تک سر

تقویت کننده های نفاضلی

مثالی از بازده و تلفات در طرح دو به تک سر

طبقه بندی تقویت کننده های توان

تقویت کننده توان کلاس A

مثال

بازده در حالت های مختلف مقیاس دهی

مثالی از طبقه خروجی با منبع تغذیه ولتاژ متغیر

تقویت کننده توان کلاس B

مثال

سویینگ ولتاژ تقویت کننده های کلاس B  و کلاس AB

محاسبه بازده تقویت کننده توان کلاس B

تقویت کننده توان کلاس C

بازده تقویت کننده های توان کلاس E

مثال محاسبه هارمونیک طبقه کلاس C

تقویت کننده های توان با بازده بالا

تقویت کننده کلاس A با بهبود هارمونیک

طبقه کلاس E:طبقه خروجی با ترانزیستور کلید زنی شده

مقابله با زمان های گذار محدود در ورودی و خروجی

سه شرط برای Vx

مثال طبقه کلاس E

تقویت کننده های توان کلاس F

مثال

طبقات خروجی دوش سوار

مثال

خطسانی طبقات دوش سوار

مثال پایداری طبقات دوش سوار

تطبیق امپدانس سیگنال بزرگ

اندازه گیری کشش بار

و...