3-6-2- بافت دار کردن با اشعه یونی
هادسن (1977) نشان داد که یک منبع اشعه یون روش کنترل شدهای برای بافت دار کردن سطوح است. هادسن علاوه بر نیکل بیست و شش ماده دیگر از جمله فولاد زنگ نزن، نقره و طلا را بررسی کرد. او مقالات درباره تحقیقات دیگر خود که در آنها بافتهای سطحی میکروسکوپی به وسیله انجام همزمان اچ پودری و روکش کاری پودری ماده ای با تسلیم کمتر بر روی سطح ایجاد شده نوشته است.
جولی و همکاران او درباره کاربردهای بافت دار کردن با اشعه یونی بیشتر بحث کرده اند. این کاربردها شامل ایجاد پیوند بهتر سطحی افزایش سطحی خازنها و عملیات سطحی قطعات پزشکی که در بدن جاگذاری می شود است.
3-6-3- تمیز کاری با اشعه یونی
به وسیله IBM می توان سطوحی تولید کرد که از نظر اتمی تمیز باشند. به همین دلیل این روش نسبت به روشهای اشعه الکترونی و تخلیه الکتریکی که سطح را خراب می کنند بهتر است. هارپر کومو و کافمن (1982) درباره جزئیات این کاربرد خوب تکنولوژی اشعه یونی بحث کرده اند. مثلا آنها با تمیز کاری پودر بستر به وسیله اشعه یون اکسیژن یا آرگون (پیش از تبخیر) به پیشرفتهای زیادی در چسابندن لایه های طلا به بسترهای از جنس سیلیسیم و اکسید الومینیم Al2O3 دست یافته اند. در تمیز کاری هیدروکربنها و اب جذبی برداشته می شوند. برای برداشتن یک لایه اکسید سطحی یونهایی با انرژی بیشتر چند صد Ev لازم هستند. ممکن است جنس بستر خراب شود در این حالت می توان از یک گاز واکنشی با قابلیت انتخاب اچ اکسید استفاده کرد.
3-6-4- شکل دهی پولیش و نازک کاری با IBM
برای بهتر کردن عملیات پولیش نازک کاری با برخورد مایل یونهای آرگون به کار رفته است (کارپر کومو کافمن 1982). نازک کاری ماکروسکوپی و شکل دهی انجام را می توان در ساخت کلاهک های مغناطیسی و دستگاههای موج صوتی سطح به کار برد.
هارپر، کومو و کافمن (1982) و تانیگوچی (1983) پولیش و شکل دهی سطح نوری را نیز گراش کرده اند. تانیگوچی خلاصه با ارزشی از کاربردهای IBM شامل شبیه کروی کردن عدیسها تیز کردن دندانه زنهای الماسی و الماسه های برش و ابزارهای برشی ارائه کرده است.
تانیگوچی (1983) نشان می دهد که این عملیات با پخش مستقیم پیش فرمها در شیشه سیلیس و الماس انجام می شود. برخلاف روش های مرسوم مثل برش، سنگ زدن، لپینگ و پولیش، در فرآیند اشعه یونی سطح پولیش، مثلا خطوط راهنما با توجه به اینکه معیار پیش فرم یا ماسک مدلسازی است وجود ندارد.
با برخورد عمودی یونهای آرگون نمونه هایی از جنس سیلیسیم تا ضخامت 10-15 mm نازک کاری شده اند. تولید نمونه برای ریزنگاری الکترون انتقالی (TEM) کاربرد گسترده دیگری است که دو اشعه مخالف موضعی دایروی را روی یک نمونه چرخان نازک می کنند تا مرکز آن با اچ شدن سوراخ شود و ریشه هایی مناسب TEM روی آن ایجاد گردد.
3-6-5- فرزکاری یونی
جولی و همکاران او (1983) کردند که فرزکاری برای تولید دقیق شیارهای عمیق مفید است. برای تولید آرایه های منظم حفره هایی به پهنایی 5-200mm تا عمق 1mm برای پیوند بهتر فرزکاری پوششها به کار رفته است. این گروه اعلام کردند که شکلهای ستون مانند که در تولید مقاومتهای الکتریکی دقیق و آرایه های فیبرنوری مفید هستند را می توان با روش اشعه یونی تولیدکرد.
محققان دیگر کارآیی تکنیکهای فرزکاری یونی را به عنوان جایگزینی برای تولید با اچ شیمیایی قطعات ظریف اثبات کرده اند. در روش اچ شیمیایی پهنای خط بیش از 2 mm و نسبت عمق به پهنا 1 : 1 است. در روش IBM محدودیت فقط به توانایی پوشش بستگی دارد. مثلا در تولید قطعات حافظه حبابی به روش IBM پهنای خط 0.2 mm و نسبت عمق به پهنای 2 : 1 به دست آمده است.
از آنجا که در این روش پوشش فقط باید از تابش اشعه جلوگیری کند (سایه ایجاد کند) مشکلاتی از قبیل کمبود آشکار شدن خطها که در روش اچ شیمیایی بر اثر نچسبیدن مقاومت و ایجاد شیار در لایه ها به وجود می آید وجود ندارد (بولینگر، 1977). اچ ظرفیت توسط IBM را بر روی دیواره های تقریبا عمودی روی بستری از جنس GaAs شیاری ایجاد نمی شود و کف کانال دقیقا تا رابط دیواره تخت است. یک مدل حافظه حبابی یک بار از جنس آهن – نیکل (Ni- Fe) را نشان می دهد که با IBM اچ شده و پهنای خط آن 2mm است ضخامت لایه های 0.5 mm و دیواره های جانبی ایجاد شده تحت زاویه 10° نسبت به خط عمود هستند.
هارپر کومو و کافمن (1982) درباره تولید ظرفیت مدل به وسیله IBM بیشتر بحث کرده اند. آنها تولید پهنای خطی به نازکی 80 A در غشاهای کربنی به ضخامت 200 A به وسیله اچ با اشعه یونی تشریح کرده اند.
