پاورپوینت تئوری و تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی 1-
درس کارشناسی ارشد الکترونیک(فارسی)
فرایند های ساخت
- برداشتن لایه (Etching)
•Wet Etching
هیدروفلوریک اسید (HF) برای برداشتن Sio2
فسفریک اسید (H3PO4) برای برداشتن Si3N4
اسید نیتریک، استیک اسید، یا هیدروفلوریک اسید برای برداشتن پلی سیلیکان
هیدروکسید پتاسیم برای برداشتن سیلیکان
مخلوط اسید فسفریک برای برداشتن فلز
•Dry or Plasma Etching
خیلی شبیه Sputtering است.
استفاده از گازهای یونیزه شده که به وسیله یک پلاسمای تولید شده توسط RF از نظر شیمیایی فعال میشوند.
کاربرد در فناوریهای زیر مایکرون (Submicron)
نوع برداشت لایه Anisotropic (بدون Undercutting)
پاورپوینت تئوری و تکنولوژی ساخت قطعات نیمه هادی 1-درس کارشناسی ارشد الکترونیک
