چکیده:
قرن حاضر، پیشرفت های اساسی را در زمینه نیمه هادیها تجربه کرده است. بسیاری از اکتشافات عظیم در فیزیک از مطالعه بر روی امواج در ساختارهای پریودیک سرچشمه می گیرد. شکاف باندهای الکترومغناطیسی (EBG) دسته ای جدید از دی الکتریکهای متناوب هستند که می توان آن ها را جایگزین فوتونیکی نیمه هادی ها دانست. امواج الکترومغناطیسی در EBG رفتاری مشابه الکترون ها در نیمه هادی ها دارند. تناوب در این مواد باعث جلوگیری از انتشار امواج در یک فرکانس معین می شود. ظهور ساختارهای EBG کاربردهای آنتنی بسیار جدید را به همراه داشت.دو ویژگی اساسی شکاف باندهای الکترومغناطیسی، تضعیف مدهای زیر لایه ای ناخواسته و داشتن رفتاری مشابه صفحه زمین مغناطیسی مصنوعی است. امروزه بسیاری از انتن ها بایستی کوچک و پهن باند باشند. دستیابی به چنین آنتن هایی نیاز به زیر لایه ای ضخیم با گذردهی الکتریکی بالا دارد. چنین زیر لایه ای دو عیب عمده دارد: ماده ای با گذردهی بالا از نظر اقتصادی مقرون به صرفه نیست و دومین ایراد به مدهای زیر لایه ای ناخواسته باز می گردد که در لبه های زیر لایه منتشر و اثر مخربی بر پترن تشعشعی آنتن دارد.
مقدمه:
در حالیکه اغلب، یک ماده با چندین مقدار ثابت نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی (مستقل از فرکانس) توصیف می شود. ولی در حقیقت ویژگی های مواد دارای وابستگی فرکانسی می باشند. انواع مختلفی از مدلها برای توصیف پاسخ فرکانسی مواد وجود دارد. با در نظر گرفتن اینکه در یک محیط میدان الکتریکی غالب است یا میدان مغناطیسی، این مدل ها به چندین گروه تقسیم می شوند. اگر میدان مغناطیسی از میدان الکتریکی کوچکتر باشد به گونه ای که سیستم جهت تاثیر میدان الکتریکی قرار گیرد، حساسیت الکتریکی مدل را به سمت نفوذپذیری الکتریکی آن ماده سوق می دهد. حال اگر میدان الکتریکی از میدان مغناطیسی کوچکتر باشد، حساسیت مغناطیسی غالب بوده و نتیجه آن نفوذپذیری مغناطیسی است.
تعداد صفحه :86
سمینار ارشد برق بررسی مواد بند گپ، فرا موادها و کاربرد آن ها در خطوط انتقال و آنتن ها
