پس از کشف نانولولههای کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسیهای بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان دادهاند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولولههای کربنی زیگزاگ و نانولوله های گالیم نیترید که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوهی توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدانهای مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازندههای کامپوتری از اهمیت ویژهای برخوردار است، انتخاب نانولولهای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسیها نشان میدهد تحرک پذیری الکترون در نانولولههای کربنی و گالیم نیترید متفاوت به ازای میدانهای مختلفی که در طول نانولولهها اعمال شود، مقدار بیشینهای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصههای هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال میشود باید نانولولهای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.
پایان نامه منحنی مشخصه ولتاژ جریان نانو لوله های کربنی و گالیم نیترید - در قالب ورد 80 صفحه
