مشخصات این فایل
عنوان: رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم
فرمت فایل: (قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 30
این مقاله در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم می باشد.
بخشی از تیترها به همراه مختصری از توضیحات هر تیتر از رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم
5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
وسایل بکار گرفته شده برای رسوب دهی لایه TiN به روش CVD در شکل 5.2 ارائه شده است در این روش یک محفظه واکنش گرم شده و وسایل انتقال گاز مورد نیاز است. در بیشتر موارد زیر لایه به روش هرفت یا تشعشعی ازداخل محفظه پوشش دهی گرم میشود. فرآیند با تغییر دادن درجه حرارت قطعات تحت پوشش ترکیب شیمیایی و فشار گانه ها کنترل میشود. همانطور که قبلا اشاره شد واکنشهای هالیه فلزات مثلا با هیدروژن ،نیتروژن یا متان. بکار گرفته میشود تا بتوان پوششهایی مثل انواع نیترید ها یا کاربیدهای فلزات را ایجاد کرد....(ادامه دارد)
5.2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
Fither برای کاهش بیشتر درجه حرارت میتوان از فعال کردن الکترونی محیط گازی با استفاده از تخلیه (glow) استفاده کرد که این عمل با جریانهای با فرکانس بالا یا با اعمال تکنولوژی لیزر (LCVD) یا اشعه الکترونی (EA CVD) از یک محیط گازی مناسب انجام میشود. در فرایند کمکی پلاسما (PACVD) CVD که در آن یک تخلیه الکتریکی در گاز فشار پایین صورت می گرید تا سینک واکنشهای CVD تشدید شود. این فرایند یکی از پرمصرف ترین روشهای رسوب دهی( ترکیب شده) محسوب میشود. این فرایند ترکیبی از درجه حرارتهای متوسط رسوب دهی(حدود 600c) وایجاد...(ادامه دارد)
رسوب دهی فیلمهایی از الماس
The روش کمکی پلاسمای CVDبعنوان یکی از روشهای متداول برای رسوب دهی فیلمی از الماس نازک روی قطعات مطرح است. از این روشها تجزیه گازهای جاری کربن در حضور هیدروژن واغلب اکسیژن صورت می گیرد.
بعنوان مثال مخلوطی از گازهای متان، هیدروژن و دی اکسید کرین ممکن است استفاده شود.The most آخرین توسعه در ایجاد پوشش های سخت ایجاد فیلمهای الماس در فشارهای کم با استفاده از تجزیه گازهای کربن دار در حضور یونهای هیدروژن است...(ادامه دارد)
5.3 تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار
5.3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
در دهه 1980 روش رسوب فیزیکی بخار (PVD) بعنوان یک فرایند اقتصادی برای ایجاد پوششهای TiN روی ابزار کاربید ممانته مطرح شد. در مقایسه با CVD ،فرایند PVD در درجه حرارتهای نسبتا پایین رسوب دهی معمولا بین 200 تا C 500 بکار گرفته میشود. رسوب دهی در دماهای پایین از تشکیل فاز جلوگیری می‌کند و پوششهای عاری از ترک با دانه هایی ریزتر را ایجاد می‌کند. نتیجتا نیازی به (تیز کردن hone) لبه های ابزار قبل از فرایند پوشش دهی وجود ندارد. پوششهای PVD مزایای بسیاری از قبیل عملیات ماشین کاری و یا مواد مورد ماشینکاری نسبت به فرایند CVD داراست....(ادامه دارد)
5.3.4 پوشش دهی یونی و تکنیکهای مخلوط
سومین فرایند PVD مهم پوشش دهی یونی است که در این فرایند اتمها یا مولکولهای مواد پوشش از یک منبع داغ تبخیر شده و داخل یک تخلیه glow شده که معمولا حاوی آرگون در فشار 0.1 تا 10 پاسکال است.[3] منبع بخار ممکن است بصورت مقاومتی یا باید اشعه الکترونی گرم شود یا ممکن است برخورد قوس الکتریک به یک منبع جامد تامین میشود. انرژی بالای اتمها در سطح زیر لایه به همراه تفرق ناشی از برخورد یونهای آرگون باعث ایجاد یک پوشش یکنواخت چسبندگی خوب در حین...(ادامه دارد)
کاربردهای غیرسنتی پوششها PVD
Gvlizia و همکاران [33] گزارش کرده اند که بسیاری از پوششهای PVD از سیستمهای تبخیر با اشعه الکترونی به ولتاژهای کم استفاده کرده اند که میتوان به TicN , crN,.TiN اشاره کرد که قادرند اثر معروف به لحیم کاری را که در دایکاست فشار بالا (HPDC) آلیاژهای آلومینیوم صورت میگیرد را حذف کنند. آلیاژهای مذاب تمایل دارند که با فولاد ابزار قالب بین ماهیچه وتیغچه ها واکنش انجام دهند. براساس بررسیهای صنعتی پدیده (HPDC)دیده شده که پوششهای PVD که بر روی زیر لایه های صاف و صیقلی اعمال شده اند بعنوان مانعی فیزیکی عمل کرده و از هرگونه...(ادامه دارد)
بخشی از فهرست مطالب مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم
مقدمه
5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار
5.2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD
5.2.2 روش تحت فشار اتمسفر رسوب شیمیایی بخار (APCVD)
5.2.3 فرایند درجه حرارتهای متوسط (MT- CVD) CVD
5.2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
5.2.5رسوب دهی فیلمهایی از الماس
5.3تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار
5.3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
5.3.2 تکنیکهای تبخیر
5.3.3 تکنیکهای Spottering
5.3.4 پوشش دهی یونی و تکنیکهای مخلوط
5.3.5رسوب دهی پوششهای WC/C , TiAlN
5.3.6رسوب دهی پوششهای الماس و CBN
5.3.6تکنیکهای هیبریدی PVD-CVD
...(ادامه دارد)
دانلود مقاله رسوب دهی لایه های نازک سخت و یا نرم
